IGBT驱动器短路保护功能的测试方式

时间： 2024-10-10 来源：SEMI-FUTURE官网

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

IGBT驱动器在应用中主要解决的问题就是如何在过流过流、短路和过压的情况下对igbt实行比较完善的保护。短路故障发生发瞬间就会产生极大的电流，很快就会损坏IGBT，主控制板的过流保护根本来不及，必须由驱动电路或驱动器立刻加以保护，本文森未科技就详细说说IGBT驱动器短路保护功能的测试方式。

电源的安全决定着IGBT驱动器的短路保护功能设计

过流故障一般需要稍长的时间才使电源过热,因此对它的保护都由主控制板来解决。过压一般发生在IGBT关断时,较大的di/dt在寄生电感上产生了较高的电压,这需要用缓冲电路来钳制,或者适当降低关断的速率。

短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流,很快就会损坏IGBT，主控制板的过流保护根本来不及，必须由驱动电路或驱动器立刻加以保护。因此驱动器的短路保护功能设计的是否完善，对电源的安全运行至关重要。

IGBT驱动器短路保护功能的第一种测试方式

IGBT驱动器电路
图中PWM信号送到驱动器的信号输入端，故障后再启动电容Creset=10nF，Dhv是高反压快恢复管，限流电阻Rlimit=10-100R，电容 C=10-470μF。示波器可在驱动器的输入和输出端监测。如果不接Creset，则驱动器输出端输出的是约1ms的脉冲，也就是IGBT每1ms短路一次。考虑到有的IGBT在这种情况下时间长了仍有可能过热烧毁，接入10nF的Creset后，则为约12ms短路一次，保证了IGBT的安全。过流动作阈值设置电阻Rn的选取，请根据所试驱动器说明中的关于Rn的说明和所试验IGBT的正向伏安特性曲线选取合适的阻值。在单管电路的开关电源中，接入适当的Creset后，可以省去通常的短路信号反馈光耦。

IGBT驱动器短路保护功能的第二种测试方式

与第一种方法类似，只是不让IGBT始终保持短路，用手工来短路A、B两点。这种短路试验比第一种更严酷，对驱动器的要求也更高，因为手工短路，不可能一下接实，实际是一连串的通断过程。落木源的驱动器可以保证您的IGBT的安全。

注意：实验时一定注意人身安全，最好在工频输入处加一个隔离变压器。

实现IGBT的短路保护要过流检测

为了实现IGBT的短路保护，则必须进行过流检测。适用IGBT过流检测的方法，通常是采用霍尔电流传感器直接检测IGBT的电流Ic，然后与设定的阈值比较，用比较器的输出去控制驱动信号的断；或者采用间接电压法，检测过流时IGBT的电压降UCE，因为管压降中含有短路电流信息，过流时UCE增大且基本上为线性关系，检测过流时的UCE并与设定的阈值进行比较，比较器的输出控制IGBT驱动电路的关断。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Natalia转载自SEMI-FUTURE官网，原文标题为:IGBT驱动器短路保护功能的测试方式，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

IGBT设计驱动电路的基本要求以及过流保护方法

驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用。本文SEMI-FUTURE来为大家介绍IGBT设计驱动电路的基本要求以及过流保护方法，希望对各位工程师朋友有所帮助。

2024-10-11 - 设计经验代理服务技术支持现货查询批量订货

不带铜底板IGBT功率模块的散热设计

不带铜底板的IGBT模块已经成为模块封装发展的一个趋势，本文通过大量仿真及实验数据，介绍了Vincotech公司推出的预涂高性能导热硅脂服务对模块散热的改善效果。

2016-04-15 - 设计经验代理服务技术支持现货查询批量订货散热方案设计

【经验】什么是双向IGBT及其使用IGBT驱动器的注意事项

双向IGBT是业界针对常规IGBT在各种应用中的一些不足而提出的一种新型五层四段结构的双向IGBT功率半导体器件。其核心是采用基于平面门IGBT的对称机构和双向输入控制方法，达到新装置双向控制的目的。

2022-01-13 - 设计经验代理服务技术支持现货查询批量订货

SEMI-FUTURE（森未科技）成立于2017年7月，被认定为国家高新技术企业、国家专精特新“小巨人”企业、成都市集成电路设计企业、成都市高新区瞪羚企业、成都市企业技术中心、成都市新经济双百企业，致力于先进IGBT芯片的国产化。芯片产品全面采用自主设计的沟槽栅+场截止技术，并已应用于工业变频、特种电源、感应加热、新能源发电以及新能源车等多个市场领域。

IGBT晶圆 IGBT模块 IGBT单管

代理服务线上商城技术资料

森未科技将携新能源领域最新研发产品亮相2024 SNEC国际储能展，邀您共同开启绿色能源新篇章

森未科技将携新能源领域最新研发产品惊艳亮相2024 SNEC ES+第九届国际储能展，共同开启绿色能源新篇章！森未科技自主研发的IGBT/SiC系列产品凭借高品质、高性能、高可靠性的技术优势，已在光伏储能、新能源车等领域中得到广泛应用。

2024-09-23 - 原厂动态代理服务技术支持现货查询批量订货

SD75R07A6 IGBT Discrete with Anti-Parallel Diode

型号- SD75R07A6

2021-10-18 - SEMI-FUTURE - 数据手册代理服务技术支持现货查询批量订货查看更多版本

【元件】森未科技推出200kW+储能PCS用IGBT：S3L400R10HA7U_C20，采用Flow2系列封装

森未科技正式发布HA系列首款产品：S3L400R10HA7U_C20，可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能。S3L400R10HA7U_C20为三电平INPC拓扑，采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD，针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。

2024-09-27 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

森未200kW+储能用IGBT：S3L225R12GA7H_C20，满足工商业储能1500VDC系统的功率变换

森未科技正式发布GA系列首发产品：S3L225R12GA7H_C20，可用于200kW+储能。S3L225R12GA7H_C20为三电平INPC拓扑，采用森未7代1200V IGBT芯片和软恢复FRD，针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。模块采用铜基板，并联使用可以实现200kW+，满足工商业储能1500VDC系统的功率变换。