森未科技IGBT模块SF450R12E6B，采用先进的高密度沟槽技术，保证了较低的导通压降和开关损耗

时间： 2024-10-11 来源：SEMI-FUTURE官网

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森未科技IGBT模块SF450R12E6，规格为1200V/450A，具备低开关损耗和正温度系数

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阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块亮相深圳国际电子展，共襄科技盛宴！

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