森未科技IGBT模块SF450R12E6，规格为1200V/450A，具备低开关损耗和正温度系数

时间： 2024-10-12 来源：SEMI-FUTURE官网

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今天为大家推介的产品是森未科技IGBT模块：SF450R12E6，规格为1200V/450A。

SF450R12E6采用森未科技E类封装，具体封装外形及内部电路拓扑结构如下图所示，设计指标对标国外某I公司第四代产品。

在同样的测试条件下对某I公司**450R12KT4产品与森未SF450R12E6进行了静态与动态的测试对比，具体测试结果见表1与表2：

表1 **450R12KT4/SF450R12E6部分静态参数对比

静态数据对比：在相同条件下的测试SF450R12E6比**450R12KT4，Vcesat小0.3V，VF小0.1V。

表2 **450R12KT4/SF450R12E6 动态参数对比

动态测试对比：在不同温度下总损耗SF450R12E6均低于**450R12KT4，且在常温下总损耗SF450R12E6比**450R12KT4低超过20%

同时，对SF450R12E6进行短路测试，在Vce=600V， T_A=25℃情况下，极限短路时间超过25μs。森未科技SF450R12E6模块目前已在变频器、电源等行业广泛使用，可靠性及功耗表现均达到业内领先水平。

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