森未科技200kW+储能PCS用IGBT：S3L225R12GA7H_C20，带铜基板，增加了输出能力

【元件】新洁能650V Gen.7 IGBT “V”系列产品，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用

NCE新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。本文要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。

森未科技IGBT模块SF450R12E6，规格为1200V/450A，具备低开关损耗和正温度系数

本文为大家推介的产品是森未科技IGBT模块：SF450R12E6，规格为1200V/450A。SF450R12E6采用森未科技E类封装，具体封装外形及内部电路拓扑结构如下图所示，设计指标对标国外某I公司第四代产品。

森未科技IGBT模块SF200R12E6具备低开关损耗、高短路能力等特点，适用于变频器、UPS、电源等

今天为大家推介的产品是森未科技变频器用IGBT模块：SF200R12E6，规格为1200V/200A，采用森未科技E类封装，目前已经在变频器、UPS、电源等行业广泛应用，可靠性及功耗表现均达到业内优秀水平。

超有用！安装IGBT的正确打开方式

功率模块的安装是产品应用中的重要一环，本文详细介绍Vincotech产品系列中的Flow1的安装方式及注意事项，给您更好的安装参考。

2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

华润微电子IGBT和SiC二极管，短路耐受力强，抗浪涌能力优异，适合UPS电源应用

华润微电子针对UPS应用，采用Trench FS技术，开发了600V 20A~75A和1200V 15A/25A/40A的全系列化IGBT产品。针对UPS中电池双向DC/DC电路应用，可提供电压范围30V~200V，电流范围30A~150A的中低压MOSFET产品，满足12V—72V电池电压需求。另外新推出的650V、1200V系列的SiC二极管，适于高频高效的高端UPS应用。

【应用】IGBT功率模块充分利用三电平NPC拓扑，成为太阳能、UPS和蓄能应用的热门选择

本文对Vincotech推出的Flow 0封装100A IGBT功率功率模块中的两个芯片组进行了比较（P927F58和P927F53），但Vincotech可提供更多的组合。这些广泛的标准模块可满足每个客户和选择太阳能、UPS和储能应用的芯片组时等应用的要求。

混合式IGBT——硅FRD的Snappy现象会限制IGBT的开通速度 ∣ 视频

基本半导体市场部总监魏炜老师将继续带来混合式IGBT话题第三讲，主要介绍硅基FRD反向恢复的Snappy现象对IGBT的开通速度的影响，以及用碳化硅肖特基二极管的替代解决办法，点击视频一探究竟！

【应用】ECONO封装，三菱M7晶圆的VINco E3系列IGBT半桥模块用于UPS，总损耗可降低15%

目前UPS中主电源的拓扑是半桥逆变电路，根据UPS功率段的不同，对应IGBT模块需要的电流从200A到600A不等，由于是380V系统，电压一般选择1200V规格。基于此，同时考虑到安装，损耗等综合因素，可选用Vincotech（威科）的VINco E3系列IGBT半桥模块。

最简单易用的7管封装的IGBT模块

IGBT的优势在于输入阻抗很高，开关速率快，导通态电压低，关断时阻断电压高，集电极和发射机承受电流大的特点，目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件。

【应用】数明半导体IGBT隔离驱动芯片SLMI334CG-DG助力UPS设备，隔离电压可达5kV

UPS全程为不间断电源，当市电输入正常时，UPS 将市电稳压后供应给负载使用，此时的UPS就是一台交流式电稳压器，同时它还向机内电池充电，本文将介绍一款数明半导体IGBT隔离驱动芯片SLMI334CG-DG，驱动IGBT实现直流电到交流电的逆变。

森未科技1200V S3L300R12D6S/L IGBT模块在200kw工商业储能的应用，开关损耗低

介绍SEMI-FUTURE（森未科技）S3L300R12D6S、S3L300R12D6L模块在工商业储能的应用。

【元件】森未科技推出200kW+储能PCS用IGBT：S3L400R10HA7U_C20，采用Flow2系列封装

森未科技正式发布HA系列首款产品：S3L400R10HA7U_C20，可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能。S3L400R10HA7U_C20为三电平INPC拓扑，采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD，针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。