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【元件】新洁能650V Gen.7 IGBT “V”系列产品，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用
NCE新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。本文要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。
森未科技IGBT模块SF450R12E6，规格为1200V/450A，具备低开关损耗和正温度系数
本文为大家推介的产品是森未科技IGBT模块：SF450R12E6，规格为1200V/450A。SF450R12E6采用森未科技E类封装，具体封装外形及内部电路拓扑结构如下图所示，设计指标对标国外某I公司第四代产品。
【元件】森未科技推出200kW+储能PCS用IGBT：S3L400R10HA7U_C20，采用Flow2系列封装
森未科技正式发布HA系列首款产品：S3L400R10HA7U_C20，可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能。S3L400R10HA7U_C20为三电平INPC拓扑，采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD，针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。
超有用！安装IGBT的正确打开方式
功率模块的安装是产品应用中的重要一环，本文详细介绍Vincotech产品系列中的Flow1的安装方式及注意事项，给您更好的安装参考。
AM40T120 IGBT 1200V，40A，IrRm=12.3A IGBT
描述- AM40T120是一款1200V、40A的IGBT，具有快速开关、低VCE(sat)和正温度系数等特点。该产品适用于UPS、焊接转换器和高频开关转换器等领域。
型号- AM40T120,AM40T120TL3FU,AM40T120TL3FVU
【应用】IGBT功率模块充分利用三电平NPC拓扑，成为太阳能、UPS和蓄能应用的热门选择
本文对Vincotech推出的Flow 0封装100A IGBT功率功率模块中的两个芯片组进行了比较（P927F58和P927F53），但Vincotech可提供更多的组合。这些广泛的标准模块可满足每个客户和选择太阳能、UPS和储能应用的芯片组时等应用的要求。
华润微电子IGBT和SiC二极管，短路耐受力强，抗浪涌能力优异，适合UPS电源应用
华润微电子针对UPS应用，采用Trench FS技术，开发了600V 20A~75A和1200V 15A/25A/40A的全系列化IGBT产品。针对UPS中电池双向DC/DC电路应用，可提供电压范围30V~200V，电流范围30A~150A的中低压MOSFET产品，满足12V—72V电池电压需求。另外新推出的650V、1200V系列的SiC二极管，适于高频高效的高端UPS应用。
AM40T120A IGBT 1200V，40A，IRRm=12.3A IGBT
描述- AM40T120A是一款1200V、40A的IGBT，具有快速开关、低VCE(sat)和正温度系数等特点。该产品适用于UPS、焊接转换器和高频转换器等应用。
型号- AM40T120A,AM40T120ATL3FVU,AM40T120ATL3FU
最简单易用的7管封装的IGBT模块
IGBT的优势在于输入阻抗很高，开关速率快，导通态电压低，关断时阻断电压高，集电极和发射机承受电流大的特点，目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件。
Vincotech的IGBT模块P914L33，匹配20KW的高性能UPS双BOOST设计
20KW的三相PFC采用P914L33做设计，因三相PFC都为双BOOST电路，故单机需采用Vincotech的10-FZ06NBA030SA-P914L33模块是3PCS，每相的工作原理均是一样的。基于应用设计原理，10-FZ06NBA030SA-P914L33模块完美的匹配了20KW的双BOOST设计。
AM10T65 IGBT 650V，10A IGBT
描述- AM10T65是一款650V、10A的IGBT，采用TO-252封装，具有快速开关、低VCE(sat)和正温度系数等特性。适用于UPS、空调、电机驱动和PFC等应用领域。
型号- AM10T65VR,AM10T65,AM10T65R
SD40R12A6带反并联二极管的分立式IGBT
描述- 本资料详细介绍了SD40R12A6型双极晶体管（IGBT）及其反并联二极管的电气特性和应用。该IGBT具有1200V沟槽栅/场终止工艺，低开关损耗和正温度系数，适用于充电桩、UPS和逆变器等应用。
型号- SD40R12A6
【产品】1200V/100A Sixpack IGBT功率模块，适用于工业驱动、电力供应和UPS
Vincotech公司推出IGBT功率模块30-F2126PA100M7-L289F79、30-P2126PA100M7-L289F79Y，分别采用焊接引脚、压接引脚的电气互连方式，击穿电压1200V/额定电流100A，采用Sixpack拓扑结构和IGBT M7芯片技术，使用flow 2模块外壳，封装尺寸107.2 mm x 47 mm x 17 mm，适用于工业驱动、电力供应和UPS。
【选型】新洁能新一代Trench FS Ⅱ IGBT系列产品，显著降低器件功耗，提升UPS系统效率
新洁能利用沟槽栅场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，通过采用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺，推出全新一代Trench FS Ⅱ IGBT系列产品，该系列产品通过优化载流子注入效率和载流子分布，显著降低器件饱和压降和关断损耗，从而降低器件功耗，提升系统效率。
SD75R07A6带反并联二极管的分立式IGBT
描述- 本资料详细介绍了SD75R07A6型双极晶体管（IGBT）及其反并联二极管的电气特性、典型应用、最大额定值、特征值、输入电容、输出电容、反向传输电容、集电极-发射极截止电流、栅极-发射极漏电流、开通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间、开通损耗能量、关断损耗能量、结-外壳热阻、开关状态下温度、反向重复峰值电压、连续正向直流电流、正向重复峰值电流、正向电压、反向恢复峰值电流、反向恢复电荷、反向恢复时间、反向恢复损耗、结-外壳热阻和开关状态下温度等参数。
型号- SD75R07A6
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