森未科技变频器用PIM模块SP25R12G6采用G类封装，规格1200V25A，具有更低开关损耗

时间： 2024-10-11 来源：Semi-Future森未科技公众号

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森未科技正式推出变频器用PIM模块产品SP25R12G6，规格为1200V25A。

SP25R12G6采用森未科技G类封装，具体封装外形及内部电路拓扑如下图所示，设计指标对标国外某I公司第四代产品。

图 SP25R12G6产品封装外形及内部电路拓扑

在同样的测试条件下对某I公司**25R12W2T4产品与我司SP25R12G6进行了静态与动态的测试对比，具体测试结果见表1与表2：

表1 **25R12W2T4/SP25R12G6 部分静态参数对比

表2 **25R12W2T4/SP25R12G6动态参数对比

从表1与表2可以看出，SP25R12G6产品与**25R12W2T4相比在导通压降一致的情况下，150℃下的截止漏电流更低，Eon增加了4%，Eoff降低了21%，整体的开关损耗Etotal降低了8.3%。因此较国外产品，我司产品可使用频率范围更广，在较高开关频率下温升会更低。

产品优势

◆ 具有高性价比

◆ 系统损耗低

◆ 可靠性高

◆ 低EMI设计

成都森未科技有限公司是一家由清华大学和中国科学院博士团队创立的高科技企业，公司技术能力覆盖从功率半导体芯片设计、加工、测试到应用的全过程。目前IGBT产品覆盖600V-1700V的电压等级，单颗芯片电流可达200A，已成功应用于特种电源、变频器、感应加热设备等领域，正积极向电能治理、新能源发电等市场推广。

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