为什么器件失效分析需要AFM机台？

时间： 2024-11-12 来源：SLKOR官网

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1. 概述

失效分析是确保集成电路和微电子器件可靠性、优化制造工艺的重要环节。随着技术的进步，特别是进入5nm、7nm等先进工艺节点后，器件失效模式变得更为复杂，要求我们使用各种高精度的分析工具进行失效定位和机理分析。原子力显微镜（Atomic Force Microscope，简称AFM）就是其中一种重要的分析工具。

2. 半导体工艺及失效分析

半导体制造技术随着摩尔定律的发展，已经从14nm、7nm工艺进化到5nm及更先进的节点。这些先进工艺节点中，器件的微缩程度极大，导致失效模式更加复杂和多样化。比如，FinFET结构由于其独特的三维设计，带来了更多失效模式的可能性，且其中许多失效仅能在微观或纳米级别进行有效分析。

在失效分析过程中，主要步骤包括：

失效定位：通过电测试、热成像等手段确定失效点。

物理失效分析（PFA）：利用各种显微技术（如AFM、SEM、TEM等）进一步分析失效的物理原因。

失效机理推断：通过对物理缺陷的分析，结合工艺流程和器件特性，推断失效机理。

在此过程中，AFM因其高精度的表面成像与纳米级别分辨率，成为定位和分析失效原因的重要工具。

3. AFM原理及其在失效分析中的优势

AFM的工作原理是利用一个尖锐的探针（探针半径通常在纳米级别）接触或接近样品表面，探针与样品表面的相互作用力（如范德华力、静电力等）使探针发生偏移，进而通过记录这些偏移来构建样品的三维形貌图。AFM的原理如下：

相较于扫描电子显微镜（SEM）等传统技术，AFM具有以下几个显著优势：

超高分辨率：AFM的分辨率可以达到纳米甚至亚纳米级，适用于分析极微小的结构失效。

表面形貌成像：AFM不仅能提供二维的表面形貌图，还可以通过分析探针与样品的力学相互作用，获取更多关于表面机械性能、电性能的细节。

非破坏性分析：在正确操作下，AFM不会破坏样品，非常适合后续需要进一步测试的样品分析。

因此，在先进工艺节点中，AFM特别适合分析器件的表面缺陷，如表面颗粒、形貌不均、纳米级的裂纹、金属层间的缺陷等。AFM看到的部分现象：

4. AFM在失效分析中的具体应用

在器件失效分析中，AFM的应用主要集中在以下几个方面：

4.1 表面形貌与粗糙度分析

在半导体工艺中，表面粗糙度往往会影响器件的电性能。特别是在14nm、7nm及更先进的FinFET器件中，鳍结构的表面粗糙度直接影响晶体管的驱动电流和漏电性能。如果晶体管表面存在过多的颗粒或不均匀形貌，将可能导致器件失效或性能下降。

AFM通过高精度的三维成像能力，可以精确测量器件表面的形貌和粗糙度，识别那些可能导致失效的微观缺陷。以FinFET器件为例，AFM能够检测到鳍结构表面的不均匀刻蚀、材料沉积不良等问题。

AFM应用中，力和距离之间的关系如下：

4.2 晶圆缺陷分析

在晶圆制造过程中，晶圆表面往往会因刻蚀、氧化、清洗等工艺步骤产生颗粒、裂纹或其他缺陷。AFM可以在纳米级别对这些表面缺陷进行精确定位和成像。AFM的操作示意图如下：

例如，在某些高性能产品中，如果金属互连层中残留了微小颗粒或形成了裂纹，将可能导致互连失败甚至短路问题。AFM通过其非破坏性表面成像能力，可以在不破坏样品的前提下检测这些缺陷。

4.3 纳米级别的电性能测量

除了表面形貌成像外，AFM还可以通过改进的操作模式（如导电AFM，C-AFM）测量器件的电性能。在半导体失效分析中，常常需要检测某个区域的漏电、绝缘失效或导电性差异，这些问题往往与器件表面的微观结构或材料不均匀性相关。

例如，在FinFET器件中，如果某个区域的栅极漏电较大，则可能是由于栅极材料刻蚀不充分或存在颗粒导致的。AFM可以通过扫描电流成像检测出该区域的电性能异常，并结合表面形貌分析，帮助定位失效原因。

4.4 局部机械性能分析

AFM还可以通过力学模式（如力曲线模式）测量样品的机械性能，如硬度、粘附性、弹性模量等。在半导体工艺中，材料的机械性能失效也可能导致器件功能受损。例如，某些电介质层如果在制造过程中产生了机械应力集中区，可能会导致开裂或层间剥离。

在这种情况下，AFM能够通过对材料表面机械性能的精细检测，识别出潜在的失效区域，为失效机理推断提供依据。

5. 与其他设备的联合应用

尽管AFM在失效分析中具有独特的优势，但单独使用AFM往往无法完全解决复杂的失效问题。因此，AFM常常与其他分析设备（如Nano-probe、TEM、SEM等）配合使用，形成综合的分析手段。

例如，针对某些深层的材料缺陷（如埋藏在多个金属层之下的互连短路问题），需要先使用Nano-probe进行电性能定位，再利用AFM对表面形貌进行分析，最终通过FIB截取样品进行TEM详细观察。这种多设备协同的分析方法可以确保失效问题得到全面的解析。

6. 案例分析：AFM在失效分析中的实际应用

案例一：16nm FinFET器件MG-MD短路问题

在某16nm制程的FinFET产品中，出现了Shmoo异常的问题。通过Nano-probe定位到SRAM区的一个bit cell，并进行AFM表面形貌分析后，发现该区域金属栅极的刻蚀存在残留，导致了栅极和源极之间的短路问题。最终通过进一步的FIB/TEM分析证实了MG-MD短路的存在。

在这个案例中，AFM的高分辨率表面成像能力帮助迅速识别出了金属栅极的刻蚀问题，并为后续的物理失效分析提供了重要的表面信息。

案例二：14nm制程产品的STI刻蚀缺陷

在某14nm芯片产品中，AFM被用于分析STI（Shallow Trench Isolation）刻蚀不完全的问题。通过AFM检测，发现该区域的表面形貌存在局部凹陷，进一步的TEM分析证实了该处存在STI刻蚀空洞，最终通过工艺改进解决了此类问题。

7. 结论

结合Nano-probe、FIB、TEM等其他分析工具，AFM能够提供更加全面、深入的失效分析结果，帮助解决制造工艺中的问题，提高产品良率和可靠性。对于器件失效分析工程师来说，掌握并灵活运用AFM等设备，将是应对未来工艺挑战的关键技能。

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集成电路的发展历程经历了从晶体管到集成电路的演进，从小规模集成电路到超大规模集成电路的发展，以及纳米技术的应用。集成电路的发展不仅推动了电子技术的进步，也深刻影响了人类社会的发展。相信在未来，集成电路将继续发展，为人类带来更多的科技创新和改变。

2024-04-11 - 设计经验代理服务技术支持批量订货

The Ideal Replacement/Alternative Equivalent Solution for ST BTA16-800BWRG - SLKOR BTA16-800B

With its multiple advantages, the SLKOR bta16-800b has become the ideal substitute for the STMicroelectronics BTA16-800BWRG, offering a better option for the development and innovation of the electronics industry.

2024-11-23 - 产品代理服务技术支持批量订货

SLKOR-霍尔传感器选型表

SLKOR提供如下参数的霍尔传感器选型,VDD(V):1.6~5.5,IDD(A):1.6及3.3,FO(Hz):5和20及多种封装形式,如SOT-23,TO-92S和SOT-523不等

产品型号	品类	Polarity	VDD(V)	IDD(A)	TA(℃)	BOP(Gs)	BRP(Gs)	FO(Hz)	Output Type	Package
SL1603TH	霍尔传感器	全极	1.6~5.5	3.3	-40～85	±46	±34	20	CMOS	SOT-23