瑶芯AKG10N012TM-A系列SGT MOSFET：BMS系统性能提升与续航时间延长的驱动力

时间： 2024-10-14 来源：世强

技术问答

在当今快速发展的消费电子领域，BMS系统面临的难题包括在充电过程中防止过充、在放电过程中如何防止过度放电，以及在短路故障时保护电池免受过电流冲击。BMS使用SGT MOSFET器件能高效解决以上难题。锂电池充电管理系统出现异常导致持续充电，SGT MOSFET提供过充保护特性；当电池放电至特定电压以下时，SGT MOSFET能断开放电电路，阻止电池过度放电；且当电池输出端发生短路故障时，瞬间产生的大电流会触发SGT MOS快速关断，限制短路电流，保护电池和其他电路元件免受过电流冲击，提供短路保护特性。

瑶芯微电子推出AKG10N012TM-A系列N沟道SGT MOSFET就是用于应对BMS系统难题的理想方案。该SGT MOSFET导通电阻低至1.25mΩ（典型值），这意味着在电路中能够减少能量损耗，提高电能的利用效率。开启时延低至49nS，关断时延低至142ns，AKG10N012TM-A快速的开关特性有助于实现对各部分电路的精确供电控制，而且在手机射频功率放大器等电路中，该SGT MOSFET也能凭借其高性能保障信号的稳定传输和处理。

SGT MOSFET AKG10N012TM-A可基于自身的工作温度特性（-55℃至175℃）还可用于辅助电池系统的温度监测，当SGT MOSFET的温度超过一定范围时，可能意味着电池系统存在异常发热情况，可通过相关电路将此信息反馈给BMS，以便采取相应的散热措施或故障排查。此外，在一些对温度特性要求较高的电子电路设计中，还可利用 SGT MOSFET的导通电阻随温度变化的特性，对电池的温度进行间接监测和补偿，提高温度监测的准确性和可靠性。

与此同时，根据产品的工作状态和需求，SGT MOSFET可精确控制电池的输出功率。例如，在48V的BMS系统中，根据负载的变化，实时调整SGT MOSFET的导通程度，实现对输出功率的灵活调节，满足不同负载的功率要求，提高能源利用效率。在48V BMS系统中可能存在多个电源输入或需要在不同电源之间进行切换的情况。SGT MOSFET可作为高效的开关元件，实现电源的快速切换，确保系统的稳定供电。比如，在48V的通信基站电源系统中，当主电源出现故障时，SGT MOSFET能迅速将供电切换到备用电源，保证通信设备的正常运行。

其高耐压特性（V_DS最大值100V）使其在面对消费电子产品中可能出现的电压波动等情况时，也能稳定可靠地工作，确保设备的正常运行和使用寿命，使产品在长时间使用过程中保持稳定的性能，同时也有助于减小设备的体积和重量，提升便携性。

此外，AKG10N012TM-A系列具备TOLL尺寸封装设计有助于在有限的空间内更好地散发热量，加上其低功耗特性，不仅延长智能手表、智能手环等消费电子的电池续航时间，同时还保证设备的稳定运行和各项功能的正常实现。

综上所述，瑶芯的AKG10N012TM-A系列N沟道SGT MOSFET凭借其卓越的性能和特性优势，在消费电子领域BMS系统展现出了巨大的应用潜力。无论是提升设备的能效、保障BMS设备的稳定性和可靠性等方面，该系列产品都为消费电子产品的不断发展和创新提供了有力的支持，在推动消费电子行业的进步中发挥着重要作用。