瑶芯AK2G4N008GAM-A MOSFET：典型导通电阻仅0.64mΩ，高效FOM值，EPS电机驱动的理想选择

时间： 2024-10-14 来源：世强

代理服务

技术支持

采购服务

MOSFET,N-channel SGT MOSFET,AK2G4N008GAM-A,瑶芯微

在汽车工业，特别是新能源汽车市场的快速发展中，电动助力转向系统（EPS）逐渐成为标准配置。然而，传统的EPS系统在使用MOS桥驱动电路时面临诸多挑战。首先，依赖进口产品的解决方案导致成本高昂和供应链不稳定。其次，复杂的外围电路设计增加了系统集成的难度和时间。最后，传统MOSFET在高功率、高效率应用中往往无法提供足够的电压和电流安全边际。

为了应对这些挑战，瑶芯（ALKAIDSEMI）推出N-channel SGT MOSFET AK2G4N008GAM-A，这是一款符合严苛AEC-Q101标准的高性能器件。采用先进的SGT技术，AK2G4N008GAM-A MOSFET在降低导通电阻（RDS(on)）超过20%的同时，优化了栅极电荷（Qg），实现了更小的FOM值，显著提升了性能。该MOSFET在低电池电压条件下提供高栅源电压，确保低功耗和高效率，同时简化了外围电路设计，降低了成本。

同时，AK2G4N008GAM-A MOSFET在极低和极高占空比的PWM模式下均表现出色，具备短路检测和保护功能，进一步增强了系统的可靠性和安全性。这些特性使得AK2G4N008GAM-A MOSFET在底盘转向、大功率泵类、风扇以及配电系统等高效率、高功率密度应用中表现出色。

产品优势分析：

超低导通电阻：AK2G4N008GAM-A的典型导通电阻仅为0.64mΩ，有效降低了导通损耗，提升了系统的整体效率。
优化的栅极电荷：总栅极电荷典型值降至80nC，大幅降低了开关损耗，进一步提高了效率。
小FOM值：适用于高频率PWM控制的电机驱动应用，提供了更快的动态响应和更低的温升。
高漏源电压（VDS）：最大值为40V，漏极电流在25℃时可达325A，在100℃时仍能保持230A，脉冲电流高达900A，确保在高负载条件下的稳定运行。
宽泛的工作温度范围：从-55℃至+175℃，适用于多种高功率应用场景如大功率泵类、风扇以及配电系统等。
卓越的热管理性能：结到壳体的热阻为1.1℃/W，结到环境的热阻为90℃/W，有助于高功率应用的有效散热。
快速反向恢复特性：反向恢复时间仅为90ns，反向恢复电荷为127nC，反向峰值恢复电流为2.5A，降低了反向恢复损耗，提高了系统效率和可靠性。

在客户案例中，C-EPS系统需要使用三相MOS桥来控制电机输出，客户要求提供足够的安全边际以应对二极管恢复过程中的感应瞬变现象。并且，该保护方案要求简单可行，且尽可能降低功率损耗和成本，提高输出效率。

MOS控制方案示意图如上所示

那么，瑶芯AK2G4N008GAM-A MOSFET很适用C-EPS系统场景，可提高系统的输出效率和性能。其低导通电阻确保了在电流不大的情况下，VOUT处的电压基本等同于电池电压，有效降低了功率损耗和热量生成。此外，先进的封装技术和优化的栅极电荷设计亦进一步降低了成本和复杂性。综合以上分析，瑶芯AK2G4N008GAM-A MOSFET能够有效解决当前EPS电机控制中可能出现的问题，并具有不错的使用效益。

综上所述，AK2G4N008GAM-A MOSFET，不仅能显著降低系统成本，还能提升整体性能和可靠性，满足现代汽车工业对高性能电子元件的严苛要求。这款MOSFET的低导通电阻和快速开关特性显著降低了系统功耗，同时其高电流处理能力和出色的热管理性能确保了在严苛环境下的长期稳定运行。这些改进和优化，使得AK2G4N008GAM-A不仅成为电动助力转向系统（EPS）电机驱动的理想选择，并在其他高功率应用中同样展现出色的性能。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由gggisa提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

瑶芯微AK2G4N012TAM-A N-channel SGT MOSFET，满足汽车电子小封装大电流需求

以瑶芯微N-channel SGT MOSFET AK2G4N012TAM-A为例，这款基于SGT技术的MOSFET产品严格按照汽车工业的PPAP（生产部件批准过程）流程开发，极低的导通电阻使其在12V的低电压大功率负载驱动应用中表现卓越。此外，该产品符合RoHS标准，采用无卤环保材料，进一步确保了其在环保和安全性方面的实践和承诺。

2024-07-31 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

瑶芯微40V 1.1mΩ N-channel SGT MOSFET AKG40N011G，无人机高效率运行的保障之一

瑶芯（ALKAIDSEMI）N-channel SGT MOSFET AKG40N011G以其高电流承受能力、低导通电阻和低开关损耗，在无人机项目中具有非常大的应用潜力。这些特性不仅满足了严苛的工业应用标准，也反映了对高性能功率器件的市场需求。无论是在无人机的飞行控制系统、电机驱动器的精确调速，还是DC-DC转换器的高效率电源管理，AKG40N011G MOSFET都能够满足相应的严格要求。

2024-08-15 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

提升汽车EPS系统电机驱动性能，屏蔽栅沟槽MOSFET AKG4N018GM-A是可靠选择

瑶芯微AKG4N018GM-A屏蔽栅沟槽MOSFET以其低导通电阻、快速响应、优越的热性能和符合汽车行业标准的可靠性，为汽车EPS系统电机驱动提供了一个高性能的解决方案。选择AKG4N018GM-A，不仅能够提升EPS系统的性能，还能确保汽车关键部位长期稳定运行，满足汽车行业对高效、高可靠性的追求。

2024-08-15 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

AKG40N013G 40V 1.3mOhm N沟道SGT MOSFET

描述- 本资料介绍了AKG40N013G型N通道SGT MOSFET的特性。该器件专为高效率电源管理应用设计，具有超低导通电阻和优异的开关性能。主要内容包括产品特性、最大额定值、电气特性、热特性、测试电路波形、封装尺寸和标记信息。

型号- AKG40N013G

2022-11-09 - 瑶芯微 - 数据手册 - REV.1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

AKG4N018GM-A 40V 1.85mOhm N沟道SGT MOSFET规格书

描述- 本资料介绍了AKG4N018GM-A型N通道SGT MOSFET的特性。该器件设计用于低导通电阻，并保持优异的开关性能，特别适用于高效电源管理应用。它通过了AEC-Q101认证，具有低RDS(ON)、RoHS合规和卤素免费等特点。

型号- AKG4N018GM-A

2024/3/5 - 瑶芯微 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

AK1G15N072GAM 150V 7.2mOhm N沟道SGT MOSFET规格书

描述- 该资料详细介绍了AK1G15N072GAM型号的N通道SGT MOSFET的特性、性能参数、应用领域和电气特性。该MOSFET设计用于低导通电阻，适用于高效电源管理应用，符合AEC-Q101标准。

型号- AK1G15N072GAM

2024/10/14 - 瑶芯微 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

AKG40N025G 40V 2.5mOhm N沟道SGT MOSFET规格书

描述- 该资料为AKG40N025G型N通道SGT MOSFET的数据手册。介绍了其低导通电阻、高开关性能等特点，适用于高效电源管理应用。数据手册包含了最大额定值、电气特性、热特性、封装尺寸等信息。

型号- AKG40N025G

2022-01-13 - 瑶芯微 - 数据手册 - REV.1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】汽车级功率MOSFET P140LF4QNK、P105LF4QNK，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用

P140LF4QNK、P105LF4QNK是ShinDengen推出的沟槽型功率MOSFET，体积小重量轻，符合AEC-Q101标准和ISO/TS16949标准，最大漏-源电压均为40V，最大漏极直流电流分别为140A和105A，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用。【世强硬创沙龙2019】

2018-12-30 - 新产品代理服务技术支持采购服务

AKG3N013GL 30V 1.3mOhm N沟道SGT MOSFET规格书

描述- 该资料详细介绍了AKG3N013GL型号的N通道SGT MOSFET，包括其特性、性能参数、应用领域、电气特性、热特性、封装信息等。

型号- AKG3N013GL

2023/11/8 - 瑶芯微 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

AKG6N092GL 60V 9.2mOhm N沟道SGT MOSFET规格书

描述- 该资料详细介绍了AKG6N092GL型号的N通道SGT MOSFET，包括其设计特点、关键性能参数、电气特性、应用领域等。

型号- AKG6N092GL

2024/9/30 - 瑶芯微 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务

40V/340A N-channel SGT MOSFET AKG4N008GM-A for Battery Management System and Motor Drivers

This ALKAISEMI N-channel SGT MOSFET AKG4N008GM-A is designed for automotive applications and manufactured in IATF16949 certified facilities. Qualified AEC-Q101, PPAP capable.

2023-11-28 - 产品代理服务技术支持采购服务