时科双极型晶体管SS8050/550具备高电流增益、低功耗等优势,为现代电子设备提供理想选择

2024-10-17 时科(時科電子公众号)
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在现代电子技术和电路设计中,双极型晶体管(BJT)作为重要的基础元器件,广泛应用于信号放大和开关电路。随着市场对电子设备的小型化、高效率和可靠性需求的不断提升,选择合适的双极型晶体管显得尤为关键。特别是在智能设备、通信电子和工业控制等应用中,设计人员需要针对不同的应用需求,选择具备高性能、低功耗和安全性保障的双极型晶体管。时科SS8050SS8550作为具备高电流增益、低功耗等优势的产品,提供了理想的选择。

选择适合的双极型晶体管时,需从以下几个方面进行考量:


极性:

根据电路的电流方向和应用需求,选择NPN型或PNP型晶体管。在常规电流从集电极到发射极时,选择NPN型;反之,则选用PNP型。


击穿电压(Vceo):

击穿电压是指集电极与发射极之间的最大承受电压。在设计中,需确保选择的晶体管击穿电压足够高,以承受系统中可能出现的最大电压。例如,时科SS8050的击穿电压为25V,而SS8550为-25V,适合低压应用场合。


电流增益(hFE):

电流增益表示晶体管放大电流的能力。选择具有适当电流增益的晶体管可以确保其能够有效放大输入信号。时科SS8050和SS8550的电流增益范围在200到350之间,能够满足常规信号放大的需求。

频率(Ft):

频率响应决定了晶体管在高频应用中的表现。高频性能良好的晶体管适用于射频、通信等高频应用。时科SS8050和SS8550的工作频率达到120MHz,足以应对常见的中高频应用。


功率耗散(Pc):

功率耗散是指晶体管能够处理的最大功率,过高的功率耗散会导致晶体管过热并损坏。因此,选择功率耗散合适的晶体管尤为重要。时科的SS8050和SS8550的功率耗散为0.35W,适用于小功率放大和开关应用,能够有效避免因过热导致的元器件失效。


最大集电极电流(Ic):

晶体管的集电极电流不得超过其最大额定值,否则可能导致器件烧毁。时科SS8050和SS8550的最大集电极电流为1.5A和-1.5A,能够满足中小功率设备的应用需求。


工作温度(Tj):

晶体管的工作温度范围决定了其适用的工作环境。考虑到环境温度对元器件性能的影响,必须确保晶体管在预期工作环境中能够稳定运行。


瞬态响应:

对于高速开关应用,晶体管的瞬态响应至关重要。具备快速的开关响应能力可以降低开关延迟,提高电路的整体效率。


时科的SS8050与SS8550双极型晶体管凭借其出色的电流增益、频率响应和功率管理能力,在现代电子设备中成为可靠的核心组件。无论是高效的信号放大还是快速的开关控制,时科晶体管均能满足设计者的需求,在不断变化的市场环境中提供卓越的性能与安全保障。

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型号- 1SMA5952BG,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,MMBZ5258B,1SMA4749AG,S2MW,SMF10CA,SD15,SD12,SKIS40N120-T7,SD18,HD04,RS3BBG,RS3BBF,HD06,HD08,MMBZ5259B,ES2JBG,ES2JBF,SD05,SD03,BAV23A 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选型指南  -  时科  - 2023/5/29 PDF 中文 下载

GLMA3P0015AD 15W, 28V, 30-3000MHz GaN RF Transistor

型号- GLMA3P0015AD-A1,GLMA3P0015AD

数据手册  -  时代速信  - V1.1  - 2022/11/14 PDF 英文 下载

【产品】适于高频应用的超低噪声硅N沟道结型场效应晶体管2N5484、2N5485、2N5486

CENTRAL SEMICONDUCTOR(美国中央半导体公司) 2N5484,2N5485和2N5486是硅N沟道JFET,专为RF放大器和混频器应用而设计。栅源电压VGS=20V时,栅源电流IGSS为均为1.0nA(最大)。当频率达到百兆以上时,噪声系数依然很小,因此该系列产品适合高频应用。

新产品    发布时间 : 2018-12-15

晶体管的种类和特征

晶体管是现代电子技术的核心元件,具有广泛的应用方向和重要作用。为了帮助各位工程师更深入全面地了解晶体管,本文概述了晶体管类型及其特征。

技术探讨    发布时间 : 2024-09-19

【应用】国产NPN型晶体管MMBT2222AQ成功用于射频检波电路,成本低、电路结构简单

射频模块或产品中通常要求产品具备射频信号监测的功能,大部分产品实现该功能的方法是直接采用现成的检波器芯片,如ADI的ADL5513。本项目采用的方法是通过扬杰科技的NPN型晶体管MMBT2222AQ来构成检波电路,从而实现射频信号的检测功能,从而降低了项目的成本,提高了国产化率。

应用方案    发布时间 : 2020-08-04

2SC3357 TRANSISTORS NPN SILICON RF TRANSISTOR

型号- 2SC3357-E,2SC3357-D,2SC3357,2SC3357-C,2SC3357-B,2SC3357-A

数据手册  -  AIT  - REV1.0  - JUL 2024 PDF 英文 下载

【产品】130W封装氮化镓高电子迁移率晶体管,射频功率应用首选

UMS的CHKA011-SXA是一款氮化镓高电子迁移率晶体管,具有所有GaN关键优势,高功率、高效率以及高达1.5GHz工作频率的宽带能力,兼容脉冲和CW操作模式,为各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案,非常适用于雷达和通信等领域中。

新产品    发布时间 : 2017-09-25

【元件】時科推出超高频低噪声晶体管BFS520,SOT-323 SMD封装,具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围等特性

時科超高频低噪声晶体管BFS520,采用平面NPN硅外延双极的工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想电流等特性,SOT-323 SMD封装。主要应用于高频、超高频和有线电视高电平频率宽带低噪声放大器。

新产品    发布时间 : 2023-05-10

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品牌:时科

品类:双极型晶体管

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品牌:时科

品类:双极型晶体管

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品牌:世晶半导体

品类:三极管

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品牌:世晶半导体

品类:三极管

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品牌:辰达行

品类:贴片NPN三极管

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品牌:辰达行

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品牌:合科泰电子

品类:三极管

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品牌:合科泰电子

品类:三极管

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品牌:高特

品类:Plastic-Encapsulate Transistors

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品牌:钜兴

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品牌:DCY

品类:小信号三极管

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品牌:ROHM

品类:Transistor

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品牌:DIODES

品类:晶体管

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品牌:Nexperia

品类:BJT

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品牌:扬杰科技

品类:Mosfet

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品牌:PANJIT

品类:NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

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品牌:PANJIT

品类:GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

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品牌:ROHM

品类:Transistor

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品牌:ROHM

品类:transistor

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品牌:Nexperia

品类:晶体管

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晶体匹配测试

提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳/上海 提交需求>

晶体回路匹配测试

测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。

实验室地址: 深圳 提交需求>

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