AiT SEMi推出整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器AG2113,工作电压高达600V
AG2113是一款整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器,具有基于特殊制程的独立高侧和低侧参考输出通道。
逻辑输入与标准CMOS或LS TTL输出(低至3V逻辑)兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,专为最小化驱动器交叉传导而设计。具有传播延迟相匹配,以简化高频应用中的应用。另外浮动信号通道可用于驱动高侧配置中的N信道功率MOSFET/IGBT,工作电压高达600伏。AG2113提供SOP16封装。
主要参数
● 专为引导程序设计的浮动通道
完全可工作至+600V
耐受负瞬态电压dV/dt免疫
● 闸极驱动电源范围为10V 至20V
● 两个通道的欠压锁定(UVLO)
● 独立逻辑电源范围为5至20V
逻辑和电源接地 ±5V
● 3.3V/5V/15V逻辑兼容
● 2.5A输出电流能力
● 两个通道的传播延迟匹配
● 输出与输入同相
产品数据手册:https://www.sekorm.com/doc/previewDoc?docId=3516994
特性
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本文由Vicky转载自AIT,原文标题为:[应用] AiT SEMi 应用于交流/直流及直流/直流 转换的高效 IGBT Gate Driver.,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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原厂动态 发布时间 : 2023-12-27
SGM48017C/SGM48018C/SGM48019C Power MOSFET and IGBT Gate Drivers with Comprehensive Protections
型号- SGM48017C,SGM48019C,SGM48018C,SGM48019CXN5G/TR,SGM48018CXN5G/TR,SGM48017CXN5G/TR
【产品】具有全面保护功能的功率MOSFET/IGBT门极驱动器SGM48013
圣邦微电子(SGMICRO)推出的SGM48013是一款高速的功率MOSFET和IGBT门极驱动器,提供全面的保护功能,如过压保护、热关断保护、欠压锁定和短路保护。采用SOT-23-5封装,工作温度范围为-40℃~ +125℃,峰值拉电流和灌电流分别为6.4A、7.6A。
新产品 发布时间 : 2020-03-21
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测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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