AiT SEMi推出整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器AG2113，工作电压高达600V
AG2113是一款整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器，具有基于特殊制程的独立高侧和低侧参考输出通道。
逻辑输入与标准CMOS或LS TTL输出（低至3V逻辑）兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，专为最小化驱动器交叉传导而设计。具有传播延迟相匹配，以简化高频应用中的应用。另外浮动信号通道可用于驱动高侧配置中的N信道功率MOSFET/IGBT，工作电压高达600伏。AG2113提供SOP16封装。
主要参数
● 专为引导程序设计的浮动通道
完全可工作至+600V
耐受负瞬态电压dV/dt免疫
● 闸极驱动电源范围为10V 至20V
● 两个通道的欠压锁定（UVLO）
● 独立逻辑电源范围为5至20V
逻辑和电源接地 ±5V
● 3.3V/5V/15V逻辑兼容
● 2.5A输出电流能力
● 两个通道的传播延迟匹配
● 输出与输入同相
产品数据手册：https://www.sekorm.com/doc/previewDoc?docId=3516994
特性
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本文由Vicky转载自AIT，原文标题为:[应用] AiT SEMi 应用于交流/直流及直流/直流 转换的高效 IGBT Gate Driver.，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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