解析IGBT在系统中的短路及其保护

2024-10-22 瑶芯微电子公众号
IGBT,AK1B65A005KHT,AK1B65A020FHT,AK1B65A030FHT IGBT,AK1B65A005KHT,AK1B65A020FHT,AK1B65A030FHT IGBT,AK1B65A005KHT,AK1B65A020FHT,AK1B65A030FHT IGBT,AK1B65A005KHT,AK1B65A020FHT,AK1B65A030FHT

IGBT是由MOSFET和BJT复合而成,相比于其他大功率开关器件,IGBT具有小驱动功率、大电流、无二次击穿效应且易于并联的优势。因此,IGBT广泛应用于白家电、伺服电机和新能源发电系统。然而,在一些特殊工况下发生过流或短路时,器件流过的电流为正常额定值的数倍,器件管芯结温迅速升高,进而导致器件损坏,因此外围电路或驱动必须快速判断并切断驱动信号。


当前业界根据短路发生的时间点与IGBT工作状态下的短路分为两类,第一类短路(SC1)和第二类短路(SC2)。


短路类型

SC1短路:IGBT开通前已经发生短路,即:IGBT沟道打开之前,IGBT处于截止状态,之后栅极电压Uge控制沟道打开,高压母线发出的大电流灌入到IGBT沟道。此时沟道中流通的电流即可认为是IGBT的短路电流,短路时相关波形如图1所示。

图1 SC1短路波形


由此发生的短路电流随时间和温度变化,由于温度Tvj升高,跨导会下降,则短路电流Isc下降;另一方面,发生短路时短路电流也是栅极电压的函数,图2给出了瑶芯1200V 75A IGBT栅极电压、短路电流和最大短路时间的关系。

图2 栅极电压、短路电流和最大短路时间的关系


SC2短路:IGBT开通后发生短路是指IGBT的在导通的过程中,集电极-发射极两端压降Uce从低导通电压(饱和电压)状态迅速进入退饱和电压状态,此时几乎承受全部母线电压Udc以及换流路径杂感引起的电压尖峰之和。比如IGBT常应用于半桥结构,在上下管换流过程中,通常会因串扰导致误导通造成桥臂内短路(直通),这种情况下短路回路中的电感量较小(一般几十nH),IGBT产生巨大的电流,瞬间产生大量的热,从而损坏芯片和封装材料,甚至烧毁。

图3 SC2短路栅极电压、饱和电压、短路电流波形


这种电压突变会给栅极密勒电容充电,其可能导致栅极电压进一步升高,根据IGBT的跨导,集电极电流进一步增大。基于以上两种短路工况,必须采取迅速精准的保护方案。


短路保护方法

检测通态压降Uce:

- 原理:正常工作时,IGBT处于导通状态的饱和区,此时Uce较低,一般为1.5V左右。当发生短路故障时,IGBT的集电极电流急剧上升,退出饱和区进入线性工作区,导致Uce电压快速升高。通过监测Uce的电压值变化,可以判断IGBT是否发生短路。


- 保护动作:当检测到Uce电压超过设定的保护阈值,保护电路立即采取行动。一种方式是将驱动电压降为较低的值(如8V),使IGBT由饱和状态转入放大区,通态电阻增大,短路电流下降。经过一段时间(如4μs)连续检测Uce,如果恢复正常,将驱动电压恢复正常;如果Uce未恢复正常,则关断驱动信号,使集电极电流减为零,实现短路电流软关断,避免快速关断造成的过大di/dt损坏IGBT。


母线分流电阻检测法:

- 原理:在母线上串联一个小电阻,当电路中发生短路时,会有较大的电流流过该电阻,在电阻两端产生电压降。通过测量这个电压降,可以判断是否发生短路故障。


- 优缺点:这种方法的优点是准确性和灵敏度较高,能够检测到母线电路的短路情况;缺点是只适用于小功率的设备,对于大电流的应用场景,电阻上的功率消耗过大,可能会导致电阻过热甚至损坏。


输出霍尔检测法:

- 原理:利用霍尔传感器来检测IGBT输出端的电流。霍尔传感器可以将电流信号转换为与之成比例的电压信号,通过对电压信号的监测来判断电流是否超过正常范围,从而确定是否发生短路故障。


- 优缺点:霍尔传感器的响应速度较快,能够实时监测电流变化;但是其成本相对较高,并且在安装和使用过程中需要注意磁场干扰等问题,否则可能会影响检测的准确性。


光耦保护法:

- 原理:通过检测IGBT的Uce ,根据Uce与集电极电流Ic的关系,当Ic快速上升时,Uce也会随之上升。当Uce值上升到保护点电压时,光耦会自动关断,并发送错误信号给控制电路,触发保护动作。


- 特点:这种保护方式的灵敏度较高,但精度相对较差,通常只适用于短路保护。


综上所述,IGBT的短路保护是一个复杂但至关重要的领域,涉及多个层面的保护措施,包括硬件设计、栅极驱动策略和软件控制技术。通过这些方法,可以确保IGBT在面对短路情况时能够迅速响应,从而保护整个系统不受损害。


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【应用】国产高压600V三相全桥驱动IC SLM2136用于伺服电机器设计,内部集成三个独立半桥输出通道

在伺服驱动应用方面中,为了更好驱动电机正反转及相应的速度,驱动芯片是必不可少的,数明半导体三相全桥驱动IC SLM2136是一款600V高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有三个独立的半桥输出通道,适用于三相电机驱动应用。

应用方案    发布时间 : 2022-02-16

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