【IC】 新品速递！森国科1200V/40A IGBT产品阵容再增一员，助力逆变器高效设计

【IC】森国科新推出650V/60A IGBT KG060N065LD-R助力提升光伏逆变器转换效率

森国科650V/60A IGBT具备业界领先的低传导损耗和高速开关性能，采用先进制造工艺和材料技术，确保应用高可靠性，有助于减少应用维护成本。IGBT高鲁棒性，有助于提升应用设备在极端环境下的稳定性和可靠性。

【元件】森国科1200V/40A IGBT以其卓越的低开关损耗和导通损耗，助力高效率方案设计

森国科推出的1200V/40A IGBT（型号：KG040N120LD-R）以其卓越的低开关损耗和导通损耗，在高频应用场景中展现出了无与伦比的性能优势。特别是在电焊机和光伏逆变器等关键领域，其高效能表现尤为突出，不仅提升了设备的运行效率，还显著降低了能耗，为用户带来了更加可靠和经济的解决方案。

【产品】Renesas推出保持高击穿强度的IGBT AE5，可用作构成EV逆变器电路的关键器件

Renesas（瑞萨电子）推出的IGBT器件---AE5，可作为提供控制EV主电机的逆变器的关键部件。AE5的特点包括电气特性的改善和保持高击穿强度。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【产品】1200V/100A七管封装功率IGBT模块，采用英飞凌第四代IGBT芯片技术

flow7PACK 2是Vincotech推出的一款具有优异电磁兼容性能，采用低电感flow 2封装的功率模块。

【应用】如何正确使用IGBT驱动解决米勒电容导致寄生导通问题

本文以Silicon Labs门极智能驱动Si8285为例，介绍如何正确使用IGBT门极智能驱动解决米勒电容导致的寄生导通问题以提高产品可靠性。

【经验】H6.5 IGBT功率模块相比于单管IGBT寄生电感低，助力光伏并网逆变器加入“领跑者”

光伏并网逆变器要想加入“领跑者”行列，必须在整机效率上达到要求。传统单相光伏逆变器基本上采用的都是IGBT单管方案，拓扑方面基本集中在H5,H6,HERIC这三种。近年来随着户用分布式的需求，单相10kW光伏并网逆变器成为各家逆变器厂家争相推出的机型。但随着功率等级的提升，电流等级的提升，对IGBT的工作环境就有了较为严苛的要求。

光伏逆变器的IGBT保护技术

IGBT在光伏逆变器的核心利用体现在驱动保护、过电流/短路保护、过温保护、机械故障保护等四个方面。本文中芯际探索将与大家分享光伏逆变器的IGBT保护技术

只需一颗螺丝钉就能搞定的IGBT模块封装

还使用复杂传统的焊接模式进行模块封装？别再out啦！新型MiniSKiiP封装模块，只需一颗螺丝钉就可完成安装，更能降低安装成本哟~

【产品】用于1500V直流光伏集中式逆变器的1MW三电平模块

VINcoNPC X12在保持组串型逆变器的速度和灵活性的同时全面满足了集中式逆变器的各类要求

【IC】重磅新品发布！森国科推出大功率IGBT分立器件，兼具易于驱动、控制简单、高开关频率和低饱和压降等优点

2023年7月，森国科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管（BJT）低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点，多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。

【选型】新洁能新一代Trench FS Ⅱ IGBT系列产品，显著降低器件功耗，提升UPS系统效率

新洁能利用沟槽栅场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，通过采用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺，推出全新一代Trench FS Ⅱ IGBT系列产品，该系列产品通过优化载流子注入效率和载流子分布，显著降低器件饱和压降和关断损耗，从而降低器件功耗，提升系统效率。

【产品】电源转换新选择，可承受高电压大电流的IGBT模块

MG12600WB-BR2MM是Littelfuse公司推出的一款绝缘栅双极型晶体管（IGBT），该晶体管具备承受高电压大电流的能力，具有快速、软反向恢复功能，广泛应用于伺服驱动器、太阳能逆变器、高功率转换器、UPS 、焊接等领域。