银河微电授权世强硬创代理分立器件/整流器件/光电器件等产品
近日,世强先进(深圳)科技股份有限公司(以下简称“世强先进”)与常州银河世纪微电子股份有限公司(以下简称“银河微电”,英文:Galaxy Microelectronics)签署授权代理协议,合作双方依托世强硬创平台将产品触达至终端制造企业。
据悉,银河微电(688689)是一家专注于半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业,产品线涵盖分立器件芯片、整流器件、保护器件、小信号(小信号肖特基二极管、小信号开关二极管、小信号MOSFETs)、MOSFET、碳化硅、光电器件、模拟IC等。
具体而言,银河微电主营产品包括MOSFET、二极管、三极管、桥式整流器、模拟IC、IGBT、IPM、光耦等等,以及第三代宽禁带半导体产品。
MOSFET产品覆盖了从低压至高压的全面电压等级,包括20V至40V的低压、50V至200V的中压,以及400V至1500V的高压领域。囊括表面贴装与插件封装两种封装工艺,为其在多元化应用场景下提供了极大的便利。
二极管包括肖特基二极管、整流二极管、稳压二极管等产品。其中,肖特基二极管电流区间为0.1A~60A,电压阈值为20V~300V。SBT系列的肖特基二极管能够显著降低正向导通时的能量损耗,提升转换效率;而H Type系列拥有高达175℃的结温承受能力,多用于严苛的高温高热环境中。
银河微电的第三代宽禁带半导体包含SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT三大类。SiC SBD拥有650V和1200V电压平台,电流区间介于2~40A之间,以TO系列封装为主;SiC MOSFET拥有750V、1200V、1700V主流电压平台,封装以TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL为主,可以满足客户不同需求。
这些产品具有高频、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,相较硅基半导体,它们的能量损耗可以降低50%以上,装备体积减少75%以上。在新能源汽车、充电桩、光伏发电系统、储能系统、通信电源、轨道交通、高功率密度电源适配器等场景中得到广泛的应用。
自深耕半导体分立器件以来,银河微电的合作伙伴涵盖多领域头部知名企业,产品在家用电器、能源动力、网通、工业自动化、汽车电子、计算机及周边设备等领域深受用户的认可与信赖,用户进入世强硬创平台搜索“银河微电”即可获取产品相关信息。
除了能看到产品信息外,用户还可以在世强硬创电子商城进行产品大/小批量采购。得益于世强先进超30年的客户群体积累,世强硬创平台FAE技术专家团队年服务客户项目超10w+,可以更高效的服务电子制造企业在研发项目过程中遇到的问题。
此外,作为合作伙伴,世强硬创通过选型帮助、BOM优化、方案设计、国产替代、技术支持等服务助力银河微电的半导体分立器件产品扩充市场份额,通过研讨会、展会、峰会等活动反馈下游市场变化,为其战略决策提供支持。
常州银河世纪微电子股份有限公司是一家专注于半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业,具备IDM模式下的一体化经营能力。产品线涵盖分立器件芯片、整流器件、保护器件、小信号、MOSFET、碳化硅、光电器件、模拟IC等,可为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案,满足客户一站式采购需求。公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域。 查看更多
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