【产品】最高工作温度175℃的N沟道功率MOSFET NCEAP60ND60G，漏源电压VDS为60V
NCEAP60ND60G是NCE推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，可以提供最高效的高频开关性能。器件采用DFN5×6-8L封装，得益于RDS(ON)和Qg的超低组合，导通和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想选择。
一般特性
漏源电压VDS=60V，连续漏极电流ID=70A
漏源导通电阻RDS(ON)=7.8mΩ（典型值）@VGS=10V
优异的FOM产品：Qg×RDS(on)
非常低的漏源导通电阻RDS(ON)
最高工作温度175℃
无铅电镀
100% UIS测试
100% ΔVds测试
AEC-Q101合格
应用
汽车应用
DC/DC转换器
高频开关和同步整流的理想选择
绝对最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）:
电气参数(TC=25℃，除非特别说明)
注：
1.EAS条件：Tj=25℃,VDD=30V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω
2.由设计保证，不受产品限制
封装标识及订购信息
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