【产品】最高工作温度175℃的N沟道功率MOSFET NCEAP60ND60G，漏源电压VDS为60V

时间： 2023-04-20 来源：NCE官网

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NCEAP60ND60G是NCE推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，可以提供最高效的高频开关性能。器件采用DFN5×6-8L封装，得益于R_DS(ON)和Q_g的超低组合，导通和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想选择。

一般特性

漏源电压V_DS=60V，连续漏极电流I_D=70A

漏源导通电阻R_DS(ON)=7.8mΩ（典型值）@V_GS=10V

优异的FOM产品：Q_g×R_DS(on)

非常低的漏源导通电阻R_DS(ON)

最高工作温度175℃

无铅电镀

100% UIS测试

100% ΔVds测试

AEC-Q101合格

应用

汽车应用

DC/DC转换器

高频开关和同步整流的理想选择

绝对最大额定值参数（T_C=25℃，除非特别说明）:

电气参数(T_C=25℃，除非特别说明)

注：

1.EAS条件：T_j=25℃,V_DD=30V,V_G=10V,L=0.5mH,R_g=25Ω

2.由设计保证，不受产品限制

封装标识及订购信息

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