本文由wenxia提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案
作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商,瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案,覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。
【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案
描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器,采用多路BOOST升压电路,减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况,最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑,开关频率支持16kHz(最佳频率点),效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET,单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时,在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计,集成度更高。
型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS
中瑞宏芯SiC MOSFET为40kw充电桩电源模块提供更高的耐压等级和热导率,增强了充电桩的稳定性
碳化硅模块提供了更高的耐压等级和热导率,增强了充电桩的稳定性,使直流充电桩能以更高频率运行,提升了近30%的输出功率,并降低了约50%的损耗。中瑞宏芯成功研发并量产了多款适用于充电桩电源模块领域的产品。型号包括但不限于:HX1D40120H1、HX2M040120K、HX2M030120K等,旨在为客户提供更加高效、稳定的充电解决方案。
鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛,为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务
鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛,产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。
蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩,减少50%器件用量,助力800V高压快充充电桩行业发展
基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便,可简化系统拓扑,减少50%的器件用量,助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,最大可持续电流达75A。
瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项,全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场
2024年12月12日,由行家说主办的“2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛”于深圳召开。瞻芯电子凭借极具竞争力的碳化硅(SiC)功率器件和驱动解决方案,全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场,取得出色的业绩表现,在颁奖礼上荣获三项大奖:“中国SiC IDM十强企业”、“年度影响力产品奖”、“第三代半导体应用推动突破奖”。
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯电子开发2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V,如果选用单端反激拓扑,单管MOS耐压值需要超过3000V,因此建议采用双管反激方案,推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000,1700V高耐压,同时采用常用的TO247封装,可直接替换Si MOS使用。
瑞之辰授权世强硬创,代理SiC MOSFET/IPM/PIM模块等产品
产品应用涉及储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、锂电池保护、新能源汽车、音频功放、小功率适配器、手机充电器、LED驱动等领域。
扬杰科技2024慕尼黑上海电子展回顾,展示新能源汽车、光伏逆变器、储能逆变器等多元领域的产品解决方案
2024年7月8-10日,为期三天的慕尼黑上海电子展圆满落幕,扬杰科技凭借卓越先进的展品、行业应用解决方案、独具一格的展台设计,现场销售人员、FAE、PM、行业经理等进行专业接待交流,吸引大量新老客户来现场进行互相交流探讨,展会现场人流如织,使得扬杰科技成为本次展会一大亮点。
【方案】125kW(1500VDC系统)光伏逆变器优选器件方案
描述- 本方案基于 1500VDC 系统,提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块,内置全 SiC MOS 和二极管,以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构,耐压高达 2400V,在满足1500V 系统耐压需求的基础上,采用了低耐压的 IGBT,实现了较高的开关频率,有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。
型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K
中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势
为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求,中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装,具有开尔文源极,驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。
芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品,电流范围10~40A可选
芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
【元件】瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块,可替代硅基IGBT芯片的模块,系统损耗降低三分之一
又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块,实现了对硅基IGBT芯片的模块替代,在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时,这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式,模块体积减少约57%,而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新,模块可靠性得到大幅提升,非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。
【元件】扬杰科技新推出用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET,采用开尔文接触,工作温度175℃
扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品,产品均采用开尔文接触,明显减少了开关时间,降低了开关损耗,支持更高频率的应用与动态响应;同时相比插脚器件降低了电路板空间,增加了电路板的集成化,非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
电子商城
现货市场
服务
可定制电感最大电流100A,尺寸最小7 x 7 x 3.0mm到最大35 x 34 x 15.5 mm,工作频率100KHZ ~ 2MHZ,感值范围:0.15 ~ 100uh;支持大功率电感,扁平线电感,大电流电感,高频电感,汽车电感器,车规电感,一体成型电感等定制。
最小起订量: 5000 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论