专业从事模拟、数字及数模混合集成电路设计的微电子公司——瑞之辰（RZC Technology）

时间： 2024-10-23 来源：世强

深圳市瑞之辰科技有限公司是一家芯片设计、方案研发的高科技公司，公司成立于2007年，主要产品有SiC功率器件、电源管理芯片、传感器芯片等系列。公司拥有自己的知识产权，拥有几十项发明专利和实用新型专利。成立以来，销售业务量成倍增长，到2023年已实现年销售额3.6亿，成为国内拥有产品研发设计能力及自有知识产权的电源管理芯片的头部企业。近几年公司研发了SiC 、IGBT等功率器件，封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形，产品主要应用在储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、汽车、高铁、电网等领域。

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授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司 - 查看

品牌官网：http://www.rzcsemi.com/

主要产品：大功率模块PIM 智能功率模块IPM SiC MOSFET

主要应用：储能,白色家电,充电桩,逆变器,光伏,汽车,高铁,电网,电动工具

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瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案

作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案，覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。

2024-08-06 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案

描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。

型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - 优选器件方案 - V2.1

中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。

2024-11-28 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务

鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。

2024-01-09 - 原厂动态代理服务技术支持现货查询批量订货

蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩，减少50%器件用量，助力800V高压快充充电桩行业发展

基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便，可简化系统拓扑，减少50%的器件用量，助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A。

2024-07-17 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

派恩杰首推2000V SiC MOSFET成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核！

产品不停迭代、技术不断升级，派恩杰在2024年第三季度首次推出2000V 45m2 SiC MOSFET产品。本次首推2000V 45mΩ SiC MOSFET已经成功通过HV-H3TRB考核，且经历HV-H3TRB考核后器件各项电性参数均无显著变化，充分证明其在极端运行环境下的优良耐受能力，确保在实际应用中的稳定性和安全性。

2024-11-27 - 原厂动态代理服务技术支持现货查询批量订货

爱仕特1200V 12mΩ SiC MOSFET已量产并批量出货，兼具超低导通和超快开关特性

爱仕特自主研发的15V驱动的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量产并开始批量出货给国内客户，填补了国内该系列产品研发及应用的空白，引领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。

2022-12-05 - 原厂动态代理服务技术支持现货查询批量订货

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

2024-10-09 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【元件】扬杰科技新推出用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET，采用开尔文接触，工作温度175℃

扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品，产品均采用开尔文接触，明显减少了开关时间，降低了开关损耗，支持更高频率的应用与动态响应；同时相比插脚器件降低了电路板空间，增加了电路板的集成化，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。

2024-11-26 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【方案】125kW（1500VDC系统）光伏逆变器优选器件方案

描述- 本方案基于 1500VDC 系统，提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块，内置全 SiC MOS 和二极管，以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构，耐压高达 2400V，在满足1500V 系统耐压需求的基础上，采用了低耐压的 IGBT，实现了较高的开关频率，有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。

型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,CREE,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,EPSON,PI,ROGERS,MELEXIS - 优选器件方案 - V1.1