氮化镓如何驱动机器人的运动、感官、大脑(一)——氮化镓器件如何在人形机器人的运动领域发挥作用
前言
世界正进入一个新的自动化时代,机器人变得越来越复杂,能够执行过去只由人类完成的任务。这场变革的前沿代表便是人形机器人,它们的设计模仿人体的形态和功能。它们不仅仅是机器,而是需要先进电力电子技术保障高效运作的复杂系统。
全球人形机器人市场在未来几年内有望实现显著增长。随着社会老龄化和出生率下降,特别是在发达国家,医疗保健、老年护理、制造业、服务业都越来越需要自动化劳动力,人形机器人正在成为解决各个领域劳动力短缺的可行方案。
然而,人形机器人的落地仍然受到一些因素制约,如制造成本、响应速度、编程和设置机器人的成本,以及它们处理意外情况的能力。如何克服这些挑战决定了人形机器人的普及速度,并最终决定了机器人将如何融入我们的日常生活和工作中。
多项技术趋势正在推动人形机器人的发展,其中成本和功能是最重要的。提供高效率、紧凑尺寸和可靠性的先进电力电子技术是这些进步的核心。这就是氮化镓(GaN)功率晶体管和集成电路(IC)发挥的关键作用。
本系列文章作者为EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow,分三篇讲述了氮化镓器件如何在人形机器人的运动、感官、大脑三个重要领域发挥作用,推动人形机器人的发展。
人形机器人的运动功能
● 运动控制:机器人运动的核心
所有人形机器人的核心都是其模仿人类移动的能力。这是由无刷直流电机(BLDC)实现的,这些电机负责驱动机器人的关节、四肢和其他机械部件。通常一个人形机器人配备了大约40个BLDC电机,每个电机驱动机器人的不同部位,如手指、脚趾、手臂、腿、颈部和躯干。
这些电机的功率需求根据其执行的具体功能而有所不同。例如,驱动机器人手指的电机可能只需要几安培的电流,而驱动臀部或腿部的电机可能需要80安培或更多。无论功率需求如何,电机都必须保持运转的高效,尽量减少能耗和热量产生,这是保持机器人整体性能和可靠性的关键因素。
● 氮化镓在运动控制中的重要性
氮化镓(GaN)器件由于其优越的电气性能,特别适用于人形机器人中的运动控制应用。氮化镓器件的一个主要优势是其极快的开关速度,比传统的硅基MOSFET快10到100倍。这种高速开关能力使电机能够在更高频率下运行,减少电机损耗并提高整体系统效率。
氮化镓器件的高开关速度使得更小、更可靠的陶瓷电容器可以代替笨重的电解电容器。这在空间紧凑的应用中尤为重要,如人形机器人中的电机驱动。通过减少电容器的尺寸,电机驱动的整体尺寸和重量可以最小化,使其更容易集成到电机外壳内。
氮化镓器件的另一个关键优势是其没有反向恢复电荷(QRR)。在硅基MOSFET中,反向恢复电荷会导致每个开关周期都会产生额外能耗,降低效率并产生额外的热量。氮化镓器件中不具有反向恢复电荷,消除了这种能量损失,使电机能够更高效地运行并产生更少的热量。
此外,消除反向恢复电荷意味着在每个开关周期中需要的死区时间减少。死区时间的存在导致了传递给电机的功率降低,并可能导致电机出现噪音。氮化镓器件将死区时间从几百纳秒减少到仅几个纳秒,提高了每安培的扭矩,结果带来更高效的电机和更安静的系统。
总体而言,氮化镓器件的使用在运动控制应用中带来了显著优势,包括提高效率、减少尺寸和重量、降低成本和增加可靠性。这些优势使氮化镓非常适合为人形机器人提供动力,使得它们的结构紧凑、高效,并拥有可靠的电力电子设备来维持设备运转。
● 用于电机驱动的氮化镓单片功率级
氮化镓技术的一个最重要的进展是单片功率级的开发,例如EPC23102。这些单片氮化镓集成电路将多个功能集成到一个芯片中,包括功率晶体管、栅极驱动器和保护电路。图1显示了EPC23102的功能框图。通过将关键功能集成到一个芯片中,EPC23102节省了宝贵的设计时间和电路板空间,对紧凑而复杂的人形机器人至关重要。
图1:EPC23102 ePower级IC的功能框图
EPC9176参考设计是一个使用EPC23102单片集成电路的GaN电机驱动示例,其功能框图如下图2所示。EPC9176是一个400W电机驱动逆变器,使用三个EPC23102集成电路,具有14V到85V的宽输入电压范围。它可以向电机提供高达20 ARMS电流单位的电流,适合为机器人的大多数小关节和执行器提供动力。
图2:EPC9176参考设计板的功能框图
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
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86
|
67
|
20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
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