华润上华200V SOI工艺开发持续创新，产品再上新台阶

时间： 2024-11-12 来源：华润微电子官网

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（中国江苏无锡，2012 年 11 月 6 日）华润微电子有限公司（“华润微电子”）附属公司华润上华科技有限公司（“华润上华”）近日宣布，继 2010 年首颗 200V SOI CDMOS 产品量产后，日前更高性价比的第二代 SOI 工艺实现量产。该工艺是一种集成多种半导体器件的集成电路制造技术，由华润上华在 2010 年实现量产的一代工艺基础上作了工艺升级，达到更高的性价比，这在国内尚属首家。第二代工艺的推出显示了华润上华已经全面掌握了 SOI 工艺技术，具备了根据市场需求持续开发具有自主知识产权的 SOI 工艺技术能力。华润上华的这项技术填补了国内技术空白，并已成功打入国际市场，为三星、长虹等国内外著名 PDP 电视厂家提供芯片。

200V SOI CDMOS 第一代工艺技术依托华润上华现有的低压 CMOS 工艺平台，结合深槽刻蚀技术及 SOI 介质隔离技术，开发了 200V NLDMOS 以及 200V PLDMOS 以及 200V 高压特种器件 NLIGBT，实现了芯片高电压大电流驱动能力。该工艺所采用的深槽刻蚀、填充方法与传统的 CMOS 工艺生产线基本兼容，开发成本低，不需要增加专用的深槽填充与平坦化设备，能较好地实现器件之间的隔离，是实现高压器件工艺与普通低压 CMOS 工艺相兼容的关键技术之一。二代工艺与一代工艺一样，集成了多种 MOS 器件，包括：低压 5V 标准 CMOS、200V 高压 NLDMOS、200V 高压 PLDMOS、200V 高压 IGBT 及作为 ESD 保护器件 200V 高压二极管。与一代工艺相比，二代工艺采用 0.5μm 后段并对关键器件做了优化调整，达到了更高的性价比。在研发过程中，该技术已累计申请涉及 SOI 的器件、结构、工艺、制造、测试验证等多个方面的发明专利 105 项。

华润上华的 200V SOI CDMOS 工艺可满足国内设计公司对高压、高功率产品的开发需求，同时也可满足客户对高压电源驱动管理——LED 和 PDP 驱动及控制类芯片的巨大市场需求。采用的 SOI 圆片衬底材料由国内硅片厂家提供，可有效降低成本，提高了产品竞争力。与 Si 基比，SOI 制造的芯片具有显著的节电效果，有利于大幅降低用电量。另外，SOI 在高温下性能非常稳定，具有高可靠性。目前全球能提供基于 SOI 工艺的 PDP 驱动芯片仅有 4 家，采用华润上华工艺的这款芯片在部分性能上已达到国际先进水平。

SOI 的应用非常广泛，市场前景可观。随着微处理器（CPU）、游戏机芯片（GPU）制程对 SOI 技术需求愈来愈强，SOI 已成为各大晶圆代工角逐核心客户青睐的武器，其应用市场已拓展到功率和灵巧器件以及 MEMS 应用，特别是在汽车电子、显示、无线通讯等方面发展迅速。VLSI 研究预测，SOI 市场未来几年将会以健康的速率持续成长，预期 SOI 未来 5 年的年均复合增长率将达 11%，到 2012 年销售额将达到 11 亿美元。

关于华润微电子有限公司

华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的高科技企业，亦是中国本土规模和影响力最大的综合性微电子企业之一，连续 9 年被国家工业和信息化部评为中国电子信息百强企业之一。公司以振兴民族微电子产业为己任，矢志成为中国本土最具竞争力的半导体公司。公司为中国内地领先的模拟半导体公司，其业务包括开放式晶圆代工、集成电路设计、集成电路测试封装及分立器件。拥有 5-8 英寸晶圆生产线 5 条，年产晶圆 370 余万片，是国内半导体产业链最为齐全的企业。

华润微电子成立于 2000 年，2002 年收购国内最大的微电子企业华晶集团，成为华润旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业，并于 2003 年启动 6 英寸晶圆生产线建设项目；于 2006 年与新加坡 STATS ChipPAC 合作发展集成电路封测业务；于 2007 年启动 8 英寸晶圆生产线建设项目，并于 2009 年落成投产，是国内唯一依托自有资金、技术和市场建立的最高技术水平的晶圆生产线；2011 年起实施“走出去”战略，设立台湾窗口公司，在美国硅谷投资设立集成电路设计公司。

关于华润上华科技有限公司

华润上华科技有限公司为华润微电子有限公司（“华润微电子”）旗下从事开放式晶圆代工业务的专业公司，于中国模拟晶圆代工行业处于领先地位，于中国、亚洲及海外地区拥有逾十年服务客户的经验。公司为其客户提供主流和成熟工艺技术的晶圆代工服务，是目前中国内地规模最大的 6 英寸开放式晶圆代工企业，拥有每月逾 11 万片 6 英寸晶圆产能及 3.5 万片 8 英寸晶圆产能，可为客户提供更丰富的工艺平台与代工服务。

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型号- CRSM076N04N2Z,CRXB10D065G2,CRTD080N02U2-G,CRMV0318D,CRTT048N08N,CRG75T60AK3SD,CRTS030N04L,CS4N90FA9HD,CRJL99N65G2,CS630FA9H,CRTS025N04L2-G,CRXQ40D065G2,CS4N80ARHD-G,CS630FA9R,CR7N60A4K,CS55N10AQ3-G,3DG3001A1-H,CS16N06AE-G,CS45N06A3,CRMM4976C,CRTK055N03L2P,CS45N06A4,CRTS150N15N,CS5N20A4,CS5N20A3,CS7N70A4R-G,CRGMF800T120DS1AH,CRJW125N60G2F,CRGMF50T120FSC,CS12N70FA9H,CRG30T65A05SDZ,CS50N20ANR,CRJT99N65G2,2CR60K60AND,CRXQF60M065G1,CRTD370P10L,CRSS056N07N,CR7N60A3K,CS460FA9H,CRGMP40T120DV2A3,CRG75T60AK3H,CRJQ30N60G2F,CRJF550N65G2,D92-02,CRTD055N03L,CS24N60ANR,CRM50TD04R1,CRMM4978C,CRTT056N06N,CS5N60A3H,CS4N65A3R,CRST113N20N,2CR15K120A8C,CRG75T65BK5HD,CRXB20D120G2,CRTT019N03L2-G,CRM50TA04E1,CRTH105N06L,CR2N60A4K,CS10N40A8R,CRMR0410D,CRG 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产品型号	品类	工作电压(V)	类别	规格(A/V)	自举二极管	温度感测	RDSON(Ω)
CS5752ATO	IPM模块	13.5~16.5	3相	2/500	自举二极管	温度感测	3

选型表 - 华润微电子立即选型

华润微电子运算放大器选型表

华润微电子推出CNX333、CN855X系列零漂移高精度运算放大器，温度系数低至0.005μV/℃，单通道功耗低至15μA；CN200X、CN201X系列纳安级运算放大器，单通道功耗低至400nA，适用于对功耗要求极低的应用场合；CN261X、CN2602X、CN2605X系列微安级运算放大器，单通道功耗低至8μA；CN263X、CN264X、CN265X系列低噪声运算放大器，提供低至12nV/√Hz的电压噪声密度，增益带宽高至10MHz；