场效应管工作原理及特点和作用
场效应晶体管(Field Effect Transistor,缩写FET)简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
一、MOS场效应管
MOS场效应管分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。金誉半导体之前提过,它是根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。
二、场效应管的工作原理
场效应管主要由三个区域组成:栅极(Gate)、漏极(Drain)和源极(Source)。在正常工作状态下,栅极电压控制着源极和漏极之间的电流,从而实现对场效应管的控制。
当栅极电压低于阈值电压(Threshold Voltage)时,栅极与沟道之间没有导电通道,电子不能从漏极流向源极,场效应管处于截止状态,相当于一个绝缘体。
当栅极电压高于阈值电压时,栅极与沟道之间形成导电通道,电子可以沿着沟道从漏极流向源极。此时,源极附近的载流子浓度增加,形成一个导电区域,称为反型层(N型或P型)。
随着源极电压的进一步升高,反型层的宽度会增大,同时沟道中的电子浓度也会增加。这样,更多的电子可以从漏极流向源极,形成导电通道。当源极电压达到一定值时,沟道中的电子浓度足够大,使得整个沟道都变成导电状态。
当栅极电压为0V时,由于栅极与沟道之间的绝缘层消失,沟道中的电子可以在漏极和源极之间自由流动。这意味着场效应管处于导通状态。
以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者总保持等电位。符号中的前头方向是从外向电,表示从P型材料(衬底)指身N型沟道。当漏接电源正极,源极接电源负极并使VGS=0时,沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏极到源极的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID。
三、场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
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目录- 公司简介Company profile 场效应管MOSFET 双极型晶体管Bipolar Transistors 数字晶体管Digital Transistors 二极管Diodes 集成电路Integrated Circuit 封装参数Packaging parameters
型号- 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场效应管的测试方法
昨天金誉半导体提到过,由于场效应管具有功耗低的特点,伴随着对产品低功耗的重视,场效应管应用越来越广泛。而作为产品生产过程中测试主要分为两个过程:芯片封装前测试和芯片。这两个测试过程更费时,测试成本也大。而对于芯片封装后测试的产品电参数测试,对保障产品的功能,质量具有重要作用。以下是一些常用的场效应管测量方法:场效应管的管脚识别、判定栅极、估测场效应管的放大能力。
设计经验 发布时间 : 2024-05-07
金誉半导体场效应管MOSFET选型表
金誉半导体提供包括中低压MOSFET(VDSS:20V~150V)和高压MOSFET(VDSS:500V~900V)选型;金誉拥有自主晶圆设计能力,多种外形封装,中低压MOSFET12英寸 、8英寸,高压MOSFET6英寸;中低压MOSFET采用沟槽和SGT工艺,高压MOSFET采用平面工艺;超低内阻的芯片设计。
产品型号
|
品类
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VDS
|
ID
|
工作温度
|
等级
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封装形式
|
最小包装
|
最小订货量
|
PT2302A
|
场效应管
|
20V
|
3A
|
-55℃~+150℃
|
商业级
|
SOT-23
|
3000
|
3000
|
选型表 - 金誉半导体 立即选型
MOS管和三极管相比有何不同?
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实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
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