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2024-10-31 金誉半导体官网
IGBT,绝缘栅双极型功率管,复合全控型电压驱动式电力电子器件,三端半导体开关器件 IGBT,绝缘栅双极型功率管,复合全控型电压驱动式电力电子器件,三端半导体开关器件 IGBT,绝缘栅双极型功率管,复合全控型电压驱动式电力电子器件,三端半导体开关器件 IGBT,绝缘栅双极型功率管,复合全控型电压驱动式电力电子器件,三端半导体开关器件

IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型功率管的简称,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,是一种三端半导体开关器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,可用于多种电子设备中的高效快速开关


功率晶体管(GTR)饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。


IGBT有三个端子(集电极、发射极和栅极)都附有金属层。然而,栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。


IGBT结构是一个四层半导体器件。四层器件是通过组合PNP和NPN晶体管来实现的,它们构成了PNPN排列。

 

N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。


而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain injector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。


IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。


IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;IGBT是还是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用将更加广泛。

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