什么是IGBT？本文为您详细解析
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是绝缘栅双极型功率管的简称，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，是一种三端半导体开关器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，可用于多种电子设备中的高效快速开关。
功率晶体管（GTR）饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT有三个端子（集电极、发射极和栅极）都附有金属层。然而，栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。
IGBT结构是一个四层半导体器件。四层器件是通过组合PNP和NPN晶体管来实现的，它们构成了PNPN排列。
N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。
而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是还是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用将更加广泛。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由莫子若转载自金誉半导体官网，原文标题为:" 什么是IGBT"，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【技术】IGBT及其IGBT模块是如何进行导通的？
本文slkor将介绍IGBT及其IGBT模块导通原理。其中IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极晶体管。IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控制电压驱动功率半导体器件。IGBT模块是由IGBT和FWD通过特殊的电路桥封装而成的模块化半导体产品。
【技术】一文了解IGBT工作原理及优缺点
IGBT绝缘栅双极型晶体管是由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。
IGBT的构成和功能
IGBT驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
【技术】如何准确计算IGBT的驱动参数？
IGBT可靠的开通和关断是变频器稳定运行的核心。为了实现IGBT的通断，需要对IGBT的门极进行充电以达到门极开通电压Vge_on，以及对门极进行放电至门极关断电压Vge_off。因此，正确计算IGBT的驱动参数是保证其可靠通断的首要任务。
森未科技IGBT模块SF200R12E6具备低开关损耗、高短路能力等特点，适用于变频器、UPS、电源等
今天为大家推介的产品是森未科技变频器用IGBT模块：SF200R12E6，规格为1200V/200A，采用森未科技E类封装，目前已经在变频器、UPS、电源等行业广泛应用，可靠性及功耗表现均达到业内优秀水平。
【选型】2.2KW变频器设计推荐1200V/15A的IGBT模块10-FZ12PMA015M7-P840A28
Vincotech旗下1200V/15A的IGBT模块10-FZ12PMA015M7-P840A28采用Flow0封装，集成整流桥+制动+逆变拓扑，是2.2KW变频器主拓扑的优选，目前已经成熟应用于该类变频市场，性价比高。
1200V/15A IGBT模块K200A70，匹配380V变频器2KW设计的兼容式PIM模块
基于2KW的380V系统变频器的主体架构，1200V电压和15A左右的电流的设计条件和小体积封装设计需求。Vincotech的PIM模块80-M112PMA015M7-K200A70，规格1200V/15A，兼容式miniskiip封装，封装体积小（42mm*40mm*16mm），匹配2KW变频器的设计。
变频器推荐IGBT凌讯微LGT40N120B，漏源电压1200V、集电极电流40A ∣视频
变频器靠内部IGBT的开段来调整输出电源的电压和频率，根据电机的实际需要来提供其所需要的电源电压，进而达到节能调速的目的。推荐凌讯微IGBT系列优势产品LGT40N120。
新能源汽车的最强大脑“IGBT”都用在了哪儿？
IGBT是绝缘栅双极晶体管的简称，是一种三端半导体开关器件，可用于多种电子设备中的高效快速开关。IGBT主要用于放大器，用于通过脉冲宽度调制 (PWM) 切换/处理复杂的波形。在新能源汽车上应用于电池管理系统、电机控制系统、电动空调控制系统、充电系统等。在传统汽车领域也有广泛应用。
请问目前变频器用的IGBT主流品牌是哪个？
Infineon、Fuji、Mitsubishi、Vincotech。
【应用】Vincotech七单元IGBT功率模块为变频器提供低成本应用方案
随着变频器市场的竞争越来越大，各大厂商对成本也越来越敏感，本文介绍一种七单元模块，可以降低变频器成本。
【产品】助力水泵变频器“革命”的高性价比七管IGBT模块
小区用水有着季节和时段的明显变化，日常供水运行控制就常采用水泵的运行方式调整加上出口阀开度调节供水的水量水压，大量能量因消耗在出口阀而浪费，而且存在着水池“二次污染”的问题。变频调速技术在给水泵站上应用，成功地解决了能耗和污染的两大难题。
【产品】扬杰科技针对工业变频器等领域推出1200V IGBT变频器系列模块新品
扬杰科技IGBT变频器系列模块新品发布，IGBT变频器系列产品涵盖C1、C2、E1/E1A、E2/E2A、P2、P3等多款封装外形，具有多种灵活的拓扑结构；电压等级为1200V，电流涵盖10A~300A。
电子商城
现货市场
服务
可定制丙烯酸酯胶粘剂的粘度范围：250~36000 mPa·s，硬度范围：50Shore 00~85Shore D，其他参数如外观颜色，固化能量等也可按需定制。
最小起订量： 1 提交需求>
可定制环氧胶的粘度范围：9000~170000 mPa·s；固化方式：可加热、仅室温、可UV；其他参数如外观颜色、硬度等也可按需定制。
最小起订量： 1支 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论