IGBT的发展史

时间： 2024-11-12 来源：金誉半导体官网

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IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。可以用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上。可在早期IGBT可不是这么“强大”的，接下来和金誉半导体一起了解一下。

1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构（P-N-P-N四层组成），其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。
　　

80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS（双扩散形成的金属-氧化物-半导体）工艺被采用到IGBT中来。在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT（非穿通）型设计。后来，通过采用PT（穿通）型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进，这是随着硅片上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的。几年当中，这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。
　　

90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成（LSI）工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通（PT）型芯片结构。在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。
　　

硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通（NPT）结构，继而变化成弱穿通（LPT）结构，这就使安全工作区（SOA）得到同表面栅结构演变类似的改善。
　　

这次从穿通（PT）型技术先进到非穿通（NPT）型技术，是最基本的，也是很重大的概念变化。这就是：穿通（PT）技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通（NPT）技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通（NPT）技术又被软穿通（LPT）技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”（SPT）或“电场截止”（FS）型技术，这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。
　　

1996年，CSTBT（载流子储存的沟槽栅双极晶体管）使第5代IGBT模块得以实现，它采用了弱穿通（LPT）芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。目前，包括一种“反向阻断型”（逆阻型）功能或一种“反向导通型”（逆导型）功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。
　　

IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200-1800A/1800-3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。

平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。
　　

现在，大电流高电压的IGBT已模块化，制造出集成化的IGBT专用驱动电路。其性能更好，整机的可靠性更高及体积更小。

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型号- 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2020/2/19 - 金誉半导体 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

【产品】恒压、恒流的原边反馈控制芯片PT1812，内置800V功率BJT，无需外部电容补偿

迪浦（金誉半导体旗下子厂牌）推出的PT1812是最新一代的恒压、恒流的原边反馈控制芯片，优化了动态响应和驱动等性能，能做更大的输出功率，内置VCBO为800V的功率三极管，适用于充电器和适配器。

2022-04-11 - 产品代理服务技术支持采购服务

金誉半导体（JINYU SEMICONDUCTOR）是一家集半导体研发、封装、检测（主要二三极管、 MOS管、IC集成电路）的高新技术有限公司。是中国杰出的电子元器件销售和技术服务提供商。成立于2011年，其跨品牌经营的模式迎合了电子信息产业高速发展的需求。

MCU IC集成电路 MOS管二极管三极管

代理服务线上商城技术资料

【产品】导通率高的开关二极管BAV23A/C/S，反向重复峰值电压最大额定值为250V，用于通用开关领域

金誉半导体是一家集半导体研发、封装、检测的高新技术有限公司，其推出的开关二极管具有开关速度快，导通率高等特点。在Ta=25℃时，其反向重复峰值电压的最大额定值为250V；当IR=100μA时，V(BR)的最小值为250V。

2022-11-23 - 产品代理服务技术支持采购服务

金誉半导体（JINYU SEMICONDUCTOR）/迪浦电源管理芯片和MCU产品选型指南

目录- 公司简介 AC-DC电源管理系列车充电源管理&DC-DC降压电源管理&DC-DC升压电源管理系列 LDO线性管理&锂电保护系列锂电二合一&电池充电管理系列电池充放电管理&MCU产品系列双极锁存性霍尔开关低压微功耗HALL开关&快充协议产品系列 MCU部分产品封装

型号- PT8300,PT8261,PT2280,PT2281,DW01A,PT2712,PT2710,PTB153CX,PTM172SX,PT2711,PT4057,HT75XXM,PTB0131XXS-S16B,PT7203,PT3520,PT1812B,PTB152SX,PT1812A,HT75XXH,PTB251CX,PTB232CX,PTB133SX,PTB156SX,PT3515,PTB132BSX,PT6505,PT6503,PTM232CX,PT248,PT4054B,PT255,PT6020,PT253,PT8201,PT254,PT6023,PT8200,PT8035 3-515,PT2580,PT3773C,PT3773A,PTB131CX,PTB150CX,X,PTB232SX,PTB0232XXS-S14,PTB15A,PT258,PT5202,PTB271CX,PTB153SX,PT7200A,PTB134SX,PT7200B,PT7200C,PT7200D,PT6648,PT6601Q,PT6523,PT2005A,PT2005B,PT2005C,PT6002,PT6003,HT73XX,PTM151CX,PT2360,PTB0154BXXS-S14,PTB271SX,PT2358,PT437B,PT2783A,PT2783B,PT437,PT438,PTB131SX,PTB0131XXS-D16B,PTBO132XXS-S16A,PTB150CS,PTB234CX,PT2773C.,PTBO234XXS-S20,PT2502,PTBO132XXS-S14,PTF89S003X,PT8206,PT8203,PT2500,PT8202,PT8001,PT6220,PT8002,PT6221,PTM154CX,PTB0150XXS,PT2535,PTM173SX,PT6219,PTM154SX,PTB0150XXC,PT2773A,PT2773C,PT2773D,PT2010,PTB234SX,PT6212,PTB156CX,PT188,PT6291,PTB171BSX,PT181,DW01AP,PTBO234XXC-D20,PTBO232XXC-S16A,PT2008,PT6608,3TB154CSX,PT6206,PTB0232XXC-DK,PTB150G,HT75XX,PT4302

2019/12/17 - 金誉半导体,迪浦 - 选型指南

金誉半导体笔记：什么是MCU单片机的SPI、UART、I2C通讯接口

单片机的常用功能包括：定时器（Timer）、I/O口、外部中断、通讯接口、A/D转换、PWM等。之前，金誉半导体已经带领大家重点了解过定时器（Timer）和I/O口这两个功能。接下来，我们将深入了解通讯接口的功能。

2024-10-29 - 产品代理服务技术支持采购服务

SOT-323

2022.04.15 - 金誉半导体 - 产品图纸 - REV: B 代理服务技术支持采购服务

BGA封装是什么？有关BGA封装基础知识有哪些？

BGA是一种集成电路（IC）的封装技术，为应用在集成电路上的一种表面黏着封装技术。焊接BGA封装的装置需要精准的控制，HT金誉半导体拥有全自动化车间、进口设备，提供几乎所有封装型号的服务，对于BGA焊球的微小尺寸和密集布置，HT严格掌控安装和焊接要求制造设备和工艺控制，并通过使用X射线和其他测试技术进行测试后达到99的良率。

2024-09-05 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

mΩ、kV的电力单位为什么是大小写组合的？

我们在初中学习物理知识的时候，教材中告诉我们伏特用大写字母V表示、安培则用大写字母A表示，大概知道这是国际标准，国家要求我们怎么用，我们就要按照标准来用。那mΩ、kV前面的m和k为什么用小写呢？

2024-10-29 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

金誉半导体LDO线性稳压器选型表

金誉拥有自主晶圆设计能力，线性稳压器采用CMOS技术的低压差线性稳压器，低功耗，输入输出电压差低，温度漂移系数小，最高工作电压范围7~40V，最高工作电流范围0.1A~1.5A。有SOT-23，SOT-89，SOT23-5，TO-220，TO-252，SOT223等封装产品。

产品型号	品类	输出电压	输出电流	封装形式	应用等级	最小包装	最小订货量
78L05	稳压电路	4.8V-5.2V	100mA	SOT89-3L	商业级	1000	1000

选型表 - 金誉半导体立即选型

金誉半导体场效应管MOSFET选型表

金誉半导体提供包括中低压MOSFET（VDSS:20V~150V）和高压MOSFET（VDSS：500V~900V）选型;金誉拥有自主晶圆设计能力，多种外形封装，中低压MOSFET12英寸、8英寸，高压MOSFET6英寸；中低压MOSFET采用沟槽和SGT工艺，高压MOSFET采用平面工艺；超低内阻的芯片设计。

产品型号	品类	VDS	ID	工作温度	等级	封装形式	最小包装	最小订货量
PT2302A	场效应管	20V	3A	-55℃~+150℃	商业级	SOT-23	3000	3000

选型表 - 金誉半导体立即选型

半导体封装技术的发展趋势

过去，人们对“封装技术”的理解仅限于连接、组装等，涉及的范围很窄，且多以一般的生产技术来对待。随着电子信息产业的迅猛发展，“封装技术”也逐步演变为“电子封装工程”。在讨论电子封装工程的发展趋势时，需要摆脱陈旧观点的束缚，提高对其重要性的认识，应该将其视为实现高度多样化电子信息设备的一个关键技术，认真对待。本文金誉半导体来给大家分享半导体封装技术的发展趋势。

2024-10-28 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务