北京5G产业白皮书：重点支持6英寸SiC和GaN芯片工艺平台
世界5G大会闭幕式上，北京市经济信息化局发布了《北京市5G产业发展白皮书(2019年)》。白皮书披露，北京市5G产业发展取得阶段性成果，产业生态雏形初现。市经济信息化局相关负责人说，下一步，本市将以典型场景示范应用为切入点，推动5G应用重大项目落地，共建关键核心技术攻关创新平台，加强5G基础设施规划建设，完善5G网络配套建设管理，开展5G国际交流经验分享。
白皮书是根据《北京市5G产业发展行动方案（2019年-2022年）》发展目标与当前5G产业发展最新态势编制的。2019年1月，北京市经信局印发了上述行动方案，提出实施“一五五一”工程，即“一”个突破——突破中高频核心器件技术等关键环节；“五”大场景推进“五”大典型应用；培育“一”批5G产业新业态。
按照《北京市5G产业发展白皮书（2019）》规划，未来北京市将从7个方面推动5G产业的发展：一是推动5G应用两大项目落地，持续推动5G应用；二是打造5G产业领域创新平台；三是加强5G基础设施建设，强化5G基础设施的共建共享；四是加强行业内、行业间共建共享；五是建立5G发展专项保障基金。六是规划5G应用场景的实施方案，加速产业发展，尤其是在智慧交通领域组建智慧出行平台，提供数据支持。七是开展5G经验交流的国际分享。
白皮书介绍，在核心技术上，北京主要围绕5G功率放大器、基站基带等核心芯片、通信协议栈软件、电信网络操作系统等产业薄弱环节进行突破；在产业链核心器件上，则重点支持6英寸碳化硅、氮化镓芯片工艺平台项目，初期预计达到月加工1000片6英寸5G中高频芯片生产目标；产业生态构建上，支持企业成立联合创新中心，建设开放共赢的产业生态，充分发挥北京在集成电路和软件开发等领域的技术水平和产业规模的优势，重点打造芯片、操作系统、数据库等关键核心产品。
对市民关心的5G基站等基础设施布局，据了解，北京将编制全市5G基站站址规划，强化全市5G基础设施共建共享和节能管理，切实做到5G基站建设与城乡建设、环境保护相协调，积极推进5G基站的小型化、美观化建设，探索多样化基站部署方式。
值得一提的是，本市各级党政机关、事业单位、国有企业及学校、医院、场馆等公共场所的基础设施将向5G基站建设开放，提供管道、通信机房、天面、电力等资源，为5G基站建设和维护提供便利；市有关部门应在保证安全的前提下，开放所属的各类塔(杆)、管道和电力资源。在能耗管理方面给予5G用电政策支持，满足5G网络设施运行需要。
按照要求，禁止任何机构和个人无故阻碍通信设施建设或收取不合理费用；任何组织或个人不得擅自拆除或改动，对因城市建设和征地拆迁等造成移动通信基站及配套通信设施改动或迁移的，应给予适当补偿；禁止任何单位或个人在基站运行维护过程中违规收取额外费用。
企业发展如何解决资金难题？白皮书披露，本市将集中有限财力办大事、办急事。按照专款专用的原则，设立5G关键技术专项研发基金，重点资助与5G关键技术目标一致的项目，支持重点领域的创新平台围绕5G关键技术攻关、典型示范应用和生态模式创新等领域开展专业服务。同时，还将配合人事制度改革，集聚一大批高端人才，进一步优化北京5G关键技术领域人才资源结构。
截至2019年10月，三大运营商在北京市已完成1.1万余个基站建设，预计年底前可完成1.4万个5G基站建设。
预计到2021年底，全球包括移动和固定宽带服务在内的5G用户将达到6.5亿，中国5G用户将达到2.4亿，全球基站部署量将超过430万个，中国5G基站部署量将超过165万个；预计到2025年全球将有650万个5G基站，28亿5G用户，其中，中国基站将超过400万个，用户也将突破10亿。
白皮书披露，未来北京将设立5G关键技术专项研发基金，重点资助与5G关键技术目标一致的项目，支持重点领域的创新平台围绕5G关键技术攻关、典型示范应用和生态模式创新等领域开展专业服务。市经济信息化局相关负责人介绍，到2022年，5G将在北京的智慧交通、智慧医疗、工业互联网、智慧城市、超高清视频等领域广泛应用，培育若干项重点场景应用，形成一批可复制可推广的典型案例。
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产品型号
|
品类
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晶圆尺寸
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Package
|
Config.
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VRRM(V)
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IF(A)(Tc=160℃)
|
IF(A)(Tc=125℃)
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IF(A)(Tc=25℃)
|
IFSM(A)(Tc=25℃)
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RTH-JC(Typ.)(℃/W)
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Qc(nc)(Tj=25℃)
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Ptot(W)(Tc=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=110℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
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VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
|
IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
|
IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
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IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
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G51XT
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碳化硅肖特基功率二极管
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4寸
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SOD123
|
单芯
|
650
|
0.65
|
1
|
1.84
|
18
|
32.74
|
3.6(VR=400V)
|
3.8
|
1.2
|
1.38
|
1.6
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1.57
|
2
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0.07
|
50
|
0.2
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100
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选型表 - 泰科天润 立即选型
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