凌讯微LGT40N120：漏源电压1200V，集电极电流40A，专用于高频应用

时间： 2024-10-25 来源：凌讯微电子

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变频器（VFD）是一种用于交流电机的功率控制设备，它利用频率转换微电子技术。通过改变电机电源的频率来控制交流电机。VFD主要由整流器（AC到DC）、滤波器、逆变器（DC到AC）、制动单元、驱动单元、检测单元和微处理器单元组成。VFD通过控制内部IGBT的开关来调整输出电压的频率，根据需要为电机提供所需的功率电压，从而达到节能和调速的目的。

LGT40N120基本电气参数：这些参数接近于型号SEMEMP40N120，具有相似电气特性，如漏源电压为1200V和集电极电流为40A，适用于类似的应用场景。Infon IKWON120H3也是一种1200V高开关速度的IGBT单管，专用于高频应用领域，如焊接、太阳能发电、逆变器和UPS。LGT40N120基本电气参数：

漏源电压（VDSS）：1200V
栅源电压（VGSS）：30V
集电极电流（IC）：40A
脉冲极电极电流（ICM）：160A
最大功耗（PD）：625W
开启延迟时间（TD(on)）：26ns
关断延迟时间（TD(off)）：331ns

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东海半导体授权世强硬创，代理IGBT单管/模块、SiC二极管/MOS

40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计，不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷，还拥有卓越的开关速度，VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。

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PARA LIGHT（光鼎电子）成立于1987年，并于2008年在台湾证券交易所上市（股票代号6226），光鼎电子是LED设计和制造领域的全球领导者之一。制造基地位于中国（南京和连云港）和缅甸（仰光），拥有ISO14001、ISO9001和IATF16949认证。光鼎电子生产的高品质产品，皆符合REACH和RoHS标准。

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凌讯微电子授权世强硬创代理，平台新增国产超结MOS/SiC/IGBT等功率器件

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2024-01-02 - 签约新闻代理服务技术支持现货查询批量订货

阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块实力亮相上海第十七届SNEC展会！

6月13至15日，阿基米德半导体在十七届全球SNEC展会璀璨亮相，阿基米德半导体展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。这些产品广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域，为行业实现了更高的可靠性和能源转化效率。