薄膜电容器是否是RoHS指令的受害者?
薄膜电容器是否正在成为技术进步的受害者,或者在它是无源电子元件的情况下,从表面上看,只是在运行时相比其他电容风险更低,但未来仍有潜力。WIMA(威马)就是一家高质量的薄膜电容器制造商。
薄膜电容器是RoHS的受害者吗?
这个惊人同时又具有挑衅性的问题是不久前一个著名周刊的标题。这是一个简短专栏的标题,是11个参与者参加的“无源组件”讨论论坛的一部分。只有两名参与者来自制造方,其他参与者是知名分销公司的代表。该论坛的内容甚至没有涉及可能的竞争性组件技术及其未来前景的主题,而是涉及更一般性的问题,例如:2005年的进一步经济前景,交货时间,价格,RoHS和WEEE主题对购买行为的影响,中国作为市场或生产者等等。薄膜电容器成为负面头条,似乎不太合理。关于标题“RoHS指令受害者”,它怀疑薄膜电容器是否也保持了最近几年的技术发展延伸。几个字总结这个问题:薄膜电容器不仅是RoHS指令的未来受害者,而且是无源元件的老手,特别是电容器,它早已错过了技术进步的时机。
参与者的意见在这个问题上存在分歧。虽然一位参与者有特别提到薄膜电容器的开发能力,并且在某些应用中,就质量而言,没有任何替代品;其他人认为,因为它是通孔器件太昂贵,可用陶瓷元件代替,或者薄膜电容器的SMD版本不能达到符合RoHS变化所需的更高焊接温度。在经销商方面发表声明之后,生产薄膜电容器的两家制造商中只有一家评论说:“我们没有推进SMD薄膜电容器,我们赞成MLCC。”另一家制造商也生产薄膜电容器,他选择对这个有争议的话题保持沉默。
毫无疑问,没有薄膜电容器专家的代表参加讨论,因此某些论点没有依据。
薄膜电容技术及其发展
首先,应该明确的是,RoHS不是技术进步本身的表现,最多是环境保护方面的进步。RoHS的目标是减少电子废料中的有毒物质对环境的污染。出于这个原因,电子元件,电路板和焊接物质将来是无铅的。
就其结构所用的材料而言,与某些其他类型的电容器相比,无铅对于薄膜电容器没有任何问题。由于必须使用无铅焊接材料,因此RoHS转换需要较高温度,可能会导致PET制成的SMD薄膜电容器出现问题,因为它们在表面受到了焊接过程的温度压力。对于仍然以通孔形式生产的大多数薄膜电容器,约80-90%绝对没有问题。因此,一个笼统的问题“薄膜电容器是否是RoHS的受害者?”不仅是错误的,而且完全没有意义。
对于SMD薄膜电容器,无论是裸片还是堆叠技术,裸芯片还是保护性封装,这些解决方案早已出现,比如耐热塑料电介质:电容器薄膜PEN和PPS已经商用多年。
通过使用耐热塑料电介质膜,即使在RoHS范围内,SMD薄膜电容器也可以为技术进步做出贡献。 另一方面,MLCC是否完全能够这样做是值得商榷的。 它可以由基本上不能熔化的电介质材料组成,但是由于RoHS,与先前相比,由于在焊接过程中间和之后可能发生更大的热应力,它的裂缝风险增加。由于后者的结构更小,价格更便宜,薄膜电容器可能已经失去了MLCC的一般迹象,无论其性质如何,这不一定是某种技术进步的结果,而是全球成本和价格压力的结果。然而,技术进步的后果和不可或缺的部分是渐进式集成。所有标准电容器的应用,无论是薄膜电容器还是MLCC,通孔还是SMD版本,都已成为这种集成的牺牲品。
问题仍然在于,与其他技术相比,薄膜电容器的公认质量是否优越,例如,关于MLCC的温度漂移,也不是技术进步的组成部分,或者至少可以认为是对其有所贡献。薄膜电容器不是古老的,过时的产品,而是在未来为现代开发中为每个要求严格的应用提供解决方案,比如由薄膜电容器制造商WIMA生产的各种范围的电容器。
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在传统的变频器和逆变器中母线电容都选用的电解电容,目前新型的逆变器中都选择薄膜电容,请问薄膜电容相比电解电容都有哪些优势?
目前集中型和组串式逆变器越来越多的选用薄膜电容,其原因是:(1)薄膜电容较电解电容耐压可以做到更高,电解电容最高只能做到450V,而薄膜电容最高可做到1500V甚至更高,在高压系统中无需串联;(2)薄膜电容较电解电容耐高温性能更高;(3)薄膜电容比电解电容寿命更长。
在光伏逆变器中,传统的方案母线电容使用电解电容作为滤波,目前准备更换为薄膜电容,请问容量和耐压怎么选择?
薄膜电容在电力电子系统中应用,耐压更高且高温性能更好,且承受母线纹波电压的能力比电解电容高。所以在选择薄膜电容的容量时可以减小容值,一般选取同功率电解电容容量的1/6左右,耐压选择比母线电压最高值稍高一些即可。
【选型】薄膜电容耐高压、寿命长,完爆电解电容
相比于易产生爆炸危险的电解电容,薄膜电容耐压高、寿命长、并且无极性,不惧怕反向过压。WIMA推出的DC-LINK MKP 4系列电容,容量从1uF到400uF,额定电压从400VDC到1300VDC,具有极低的耗散因数和极强的自恢复功能,在70℃的环境下具有超过10万小时的使用寿命。无论安全性还是使用寿命,都比电解电容更胜一筹。
【应用】适合IGBT吸收回路的薄膜电容推荐,容值小,ESR小
WIMA公司推出的FKP4U022206B00JSSD,MKP4J041506F00JSSD,MKX2AW41006D00KSSD,MKY22W21004B00MSP1均为性能优良的薄膜电容,容值小,ESR小,适合应用于高频IGBT阻容吸收电路和RCD吸收电路中
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