【元件】基本半导体新品工业级全碳化硅MOSFET功率模块，更好满足客户对高功率密度需求

时间： 2024-10-28 来源：世强

技术问答

为更好满足工业客户对于高功率密度的需求，基本半导体开发推出了工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B。该系列产品采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅（Si₃N₄）AMB基板等技术，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色，可应用于大功率充电桩、有源电力滤波器（APF）、储能变流器（PCS）、高端电焊机、数据中心UPS、高频DCDC变换器等领域。

Pcore™2 E1B/Pcore™4 E1B

产品拓扑

产品特点

· 高晶圆可靠性

新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的R_DS(on)退化。

· 优异抗噪特性

宽栅-源电压范围（V_GSS：-10V~+25V），及更高阈值电压（V_GS(th).typ=4.0V），便于栅极驱动设计。

· 高热性能及高封装可靠性

高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入，改善温度循环的CTE失配，陶瓷板的可靠性大幅提升。

· Press-Fit连接技术

· 集成NTC温度传感器

应用优势

· 低导通电阻

· 低开关损耗

· 提高系统效率，降低系统散热需求

· 可提高开关频率，以降低设备体积，提高功率密度

· 高阈值电压，降低误导通风险

应用领域

· 大功率充电桩

· 有源电力滤波器（APF）

· 储能变流器（PCS）

· 高端电焊机

· 数据中心UPS

· 高频DCDC变换器

产品列表

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由犀牛先生转载自世强，原文标题为:新品推荐 | 工业级碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B（半桥）和Pcore™4 E1B（H桥），本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

【元件】基本半导体推出工业级Pcore™2 E2B碳化硅MOSFET半桥模块BMF240R12E2G3

BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块，该模块采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅（Si3N4）AMB陶瓷基板等技术。

产品发布时间 : 2024-04-12

【产品】森国科广泛用于“光、风、储、充、荷“的1200V碳化硅二极管系列产品，导通电阻低，开关损耗小，适用于中高压系统

深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS®1200V碳化硅二级管，涵盖了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等数十款型号，相比Si器件，碳化硅肖特基二极管具有导通电阻低，开关损耗小的特点，完美满足中高压系统的需求，成为了光伏逆变器、风能逆变器、储能双向逆变器、充电桩模块、大功率工业电源、车载充电机等领域客户的不二选择。

产品发布时间 : 2023-08-17

【IC】基本半导体推出单通道智能带短路保护的隔离驱动芯片BTD3011R系列，绝缘电压高达5000Vrms

BTD3011R单通道智能带短路保护的隔离门极驱动芯片采用磁隔离技术，集成退饱和短路保护、软关断功能、原副边欠压保护、副边电源正压稳压器，极大简化外部电路设计，用于电压等级1200V内的IGBT或碳化硅MOSFET驱动。

产品发布时间 : 2023-10-09

基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。

碳化硅肖特基二极管碳化MOSFET 裸芯片车规级全碳化硅功率模块

授权代理商 - 世强先进（深圳）科技股份有限公司线上商城技术资料

展开

BMH027MR07E1G3 SiC MOSFET Module

型号- BMH027MR07E1G3

数据手册 - 基本半导体 - Rev. 0.0 - 2024-09-24 PDF 英文下载

基本半导体2023年碳化硅产品不断创新，车规级碳化硅芯片和功率模块产能稳步提升

2023年，基本半导体迎来了众多高能时刻，产品创新应接不暇，产能建设继续加码，量产交付稳健增长，收获了众多合作伙伴的认可与支持。

原厂动态发布时间 : 2024-02-02

基本半导体发布适配EasyPACK封装的Pcore2 E2B碳化硅功率模块和门极驱动芯片系列新品

7月11-13日，在2023慕尼黑上海电子展上，基本半导体正式发布工业级碳化硅功率模块——Pcore™2 E2B模块以及门极驱动芯片系列新品, 至此公司产品阵容进一步完善，充分展现了基本半导体的专业技术实力和创新能力，吸引了国内外客户及行业人士的广泛关注。

原厂动态发布时间 : 2023-07-13

BMF011MR12E1G3 SiC MOSFET Module

型号- BMF011MR12E1G3

数据手册 - 基本半导体 - Rev. 0.0 - 2024-09-24 PDF 英文下载

基本半导体亮相PCIM并重磅发布2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET等系列新品

日前，全球最大的功率半导体展会PCIM Europe 2024在德国纽伦堡盛大开启。基本半导体再度亮相展会，并正式发布2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET、车规级碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E2B等系列新品。

原厂动态发布时间 : 2024-06-24

展会前沿 | 基本半导体携多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC国际光伏展

6月13-15日，SNEC第十七届(2024)国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会在国家会展中心(上海)隆重举办。本届展会汇聚了超过3500家全球光伏产业链企业，共同展示最前沿的科技成果和技术产品，吸引逾50万专业观众参与。基本半导体携2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E1B、工业级碳化硅半桥顶部散热MOSFET模块等

原厂动态发布时间 : 2024-06-27