【元件】 基本半导体新品工业级全碳化硅MOSFET功率模块,更好满足客户对高功率密度需求

2024-10-28 世强
工业级全碳化硅MOSFET功率模块,工业级碳化硅功率模块,BMH027MR07E1G3,BMF011MR12E1G3 工业级全碳化硅MOSFET功率模块,工业级碳化硅功率模块,BMH027MR07E1G3,BMF011MR12E1G3 工业级全碳化硅MOSFET功率模块,工业级碳化硅功率模块,BMH027MR07E1G3,BMF011MR12E1G3 工业级全碳化硅MOSFET功率模块,工业级碳化硅功率模块,BMH027MR07E1G3,BMF011MR12E1G3

为更好满足工业客户对于高功率密度的需求,基本半导体开发推出了工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B。该系列产品采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅(Si3N4)AMB基板等技术,在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色,可应用于大功率充电桩、有源电力滤波器(APF)、储能变流器(PCS)、高端电焊机、数据中心UPS、高频DCDC变换器等领域。


Pcore™2 E1B/Pcore™4 E1B

产品拓扑 

产品特点

· 高晶圆可靠性

新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的RDS(on)退化。

· 优异抗噪特性

宽栅-源电压范围(VGSS:-10V~+25V),及更高阈值电压(VGS(th).typ=4.0V),便于栅极驱动设计。

· 高热性能及高封装可靠性

高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入,改善温度循环的CTE失配,陶瓷板的可靠性大幅提升。

· Press-Fit连接技术

· 集成NTC温度传感器


应用优势

· 低导通电阻

· 低开关损耗

· 提高系统效率,降低系统散热需求

· 可提高开关频率,以降低设备体积,提高功率密度

· 高阈值电压,降低误导通风险


应用领域

· 大功率充电桩

· 有源电力滤波器(APF)

· 储能变流器(PCS)

· 高端电焊机

· 数据中心UPS

· 高频DCDC变换器


产品列表

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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本文由犀牛先生转载自世强,原文标题为:新品推荐 | 工业级碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B(半桥)和Pcore™4 E1B(H桥),本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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