探讨MOS管的源极和漏极、场效应管的D极和S极是否可以互换使用

时间： 2024-10-29 来源：金誉半导体官网

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按照MOSFET的内部导通原理来说，所有管子ID电流是可以双向流过的，让人感觉似乎使用时D－S可以互换，也有很多资料在做功能或者产品对比时，也表明D-S可以互换，大多一笔带过不做深入解释。

那区分D/S极的意义何在？只是为了讨论电流流向和计算的时候方便吗？

MOS管的电流从源极S出发，流向漏极D。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID，因此MOS管的源极和漏极就是场效应管的D极和S极。

从生产工艺上看，场效应管的D极和S极是对称的，使用时并无本质区别。所以可以互换这个说法并没有什么问题。

但制造MOSFET时，因为有体二极管（Body Diode）并在D-S之间，故实际应用时D－S根本就是不能互换了；体二极管是MOSFET制程过程中，天然形成的，没有办法避免。如下图：

作开关管用的场效应管，就属于这种特例（一般为功率型NMOS管）。对于增强型NMOS管，从其转移特性看，其Ugs要大于开启电压（一般为几伏），管子才导通。而耗尽型NMOS管尽管Ugs可以为正、零或负值，但其Ugs=UP时（UP称夹断电压，为负的几伏），Id=0，管子截止，所以对于NMOS管，实际使用时，G极对地电位较低，若S极接供电（高电位），则Ugs远小于0，超出管子的使用条件，必使管子击穿损坏。

从输出特性看，对于功率型NMOS管，工作时Uds>0，漏极击穿电压V（BR）ds很高，反之Usd很低，若S接高电位，D接低电位，则MOS管将被击穿。

综上所述，MOS管的D、S极不可随意互换使用，功率型MOS管其D、S极绝不能互换。对于功率型MOS管，D、S极间多接有保护二极管D，有的G、S间极也接有保护二极管。

D－S交换使用后，若外部负载电流的方向，与体二极管的导通方向一致时，那么栅极G将失去控制作用，此刻，若期望管子导通还好，但若期望管子关断，就会发现根本就关不断。因此当场效应管作为电源开关的时候，通常会需要外加一个快恢复二极管以保护场效应管，或者来续流。

所以我们大致也能得出，MOSFET本质上就是一个受驱动电压控制的高速电子开关，它只会工作在导通，或关断2个状态之一。

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目录- 公司简介Company profile 场效应管MOSFET 双极型晶体管Bipolar Transistors 数字晶体管Digital Transistors 二极管Diodes 集成电路Integrated Circuit 封装参数Packaging parameters

型号- 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2020/2/19 - 金誉半导体 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

PGT06N009 60V/422A N沟道功率MOSFET

描述- 本资料介绍了60V/422A N-Channel Power MOSFET，型号为PGT06N009。该器件采用新技术制造，具有低导通电阻和传导损耗的特点，适用于直流/直流转换器、电机控制和驱动以及电池管理等领域。

型号- PGT06N009

2022/12 - 金誉半导体 - 数据手册 - V:2.0 代理服务技术支持采购服务

场效应管的测试方法

昨天金誉半导体提到过，由于场效应管具有功耗低的特点，伴随着对产品低功耗的重视，场效应管应用越来越广泛。而作为产品生产过程中测试主要分为两个过程：芯片封装前测试和芯片。这两个测试过程更费时，测试成本也大。而对于芯片封装后测试的产品电参数测试，对保障产品的功能，质量具有重要作用。以下是一些常用的场效应管测量方法：场效应管的管脚识别、判定栅极、估测场效应管的放大能力。

2024-05-07 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

PGT04N012M 40V/320A N沟道功率MOSFET

描述- 本资料介绍了一款型号为PGT04N012M的40V/320A N-Channel Power MOSFET。该器件采用新技术，具有低导通电阻和低传导损耗，适用于DC/DC转换器、电机控制和驱动以及电池管理等应用。

型号- PGT04N012M

2022/12 - 金誉半导体 - 数据手册 - V2.0 代理服务技术支持采购服务

PT3407-30V/-4.1A P沟道增强型MOSFET

描述- PT3407是一款-30V/-4.1A P-Channel Enhancement Mode MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术，具有超低导通电阻，适用于便携式产品的电源管理应用。

型号- PT3407

2022/12 - 金誉半导体 - 数据手册 - V:2.0 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PTQ60P03-30V/-60A P沟道结功率MOSFET

描述- 该资料详细介绍了PTQ60P03型号的-30V/-60A P-Channel Junction Power MOSFET。该器件采用新技术，具有低导通电阻和低传导损耗，适用于高压应用。资料中包含了产品的特性、电气参数、应用领域和封装信息。

型号- PTQ60P03

2022/12 - 金誉半导体 - 数据手册 - V2.0 代理服务技术支持采购服务

PTP12HG08 85V/120A N沟道高级功率MOSFET

描述- 该资料详细介绍了PTP12HG08型号的85V/120A N-Channel Advanced Power MOSFET的特性，包括其电气参数、应用领域、封装信息以及典型特性曲线等。

型号- PTP12HG08

2022/12 - 金誉半导体 - 数据手册 - V2.0 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PTD3080 30V/80A N沟道高级功率MOSFET

描述- 本资料介绍了PTD3080这款30V/80A N-Channel高级功率MOSFET的特性。该器件具有改进的dv/dt能力和高鲁棒性，适用于高压侧负载开关、电池开关等应用。

型号- PTD3080

2022/12 - 金誉半导体 - 数据手册 - V:2.0 代理服务技术支持采购服务

场效应管工作原理及特点和作用

场效应晶体管（Field Effect Transistor，缩写FET）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。本文金誉半导体来给大家介绍场效应管工作原理及特点和作用。

2024-10-27 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务