探讨MOS管的源极和漏极、场效应管的D极和S极是否可以互换使用


按照MOSFET的内部导通原理来说,所有管子ID电流是可以双向流过的,让人感觉似乎使用时D-S可以互换,也有很多资料在做功能或者产品对比时,也表明D-S可以互换,大多一笔带过不做深入解释。
那区分D/S极的意义何在?只是为了讨论电流流向和计算的时候方便吗?
MOS管的电流从源极S出发,流向漏极D。电流方向由D指向S,称为漏极电流ID,因此MOS管的源极和漏极就是场效应管的D极和S极。
从生产工艺上看,场效应管的D极和S极是对称的,使用时并无本质区别。所以可以互换这个说法并没有什么问题。
但制造MOSFET时,因为有体二极管(Body Diode)并在D-S之间,故实际应用时D-S根本就是不能互换了;体二极管是MOSFET制程过程中,天然形成的,没有办法避免。如下图:
作开关管用的场效应管,就属于这种特例(一般为功率型NMOS管)。对于增强型NMOS管,从其转移特性看,其Ugs要大于开启电压(一般为几伏),管子才导通。而耗尽型NMOS管尽管Ugs可以为正、零或负值,但其Ugs=UP时(UP称夹断电压,为负的几伏),Id=0,管子截止,所以对于NMOS管,实际使用时,G极对地电位较低,若S极接供电(高电位),则Ugs远小于0,超出管子的使用条件,必使管子击穿损坏。
从输出特性看,对于功率型NMOS管,工作时Uds>0,漏极击穿电压V(BR)ds很高,反之Usd很低,若S接高电位,D接低电位,则MOS管将被击穿。
综上所述,MOS管的D、S极不可随意互换使用,功率型MOS管其D、S极绝不能互换。对于功率型MOS管,D、S极间多接有保护二极管D,有的G、S间极也接有保护二极管。
D-S交换使用后,若外部负载电流的方向,与体二极管的导通方向一致时,那么栅极G将失去控制作用,此刻,若期望管子导通还好,但若期望管子关断,就会发现根本就关不断。因此当场效应管作为电源开关的时候,通常会需要外加一个快恢复二极管以保护场效应管,或者来续流。
所以我们大致也能得出,MOSFET本质上就是一个受驱动电压控制的高速电子开关,它只会工作在导通,或关断2个状态之一。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由雪飘梦飞转载自金誉半导体官网,原文标题为:" MOS管的源极和漏极是否可以互换使用,场效应管的D极和S极呢?",本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
MOS管放大器的工作原理与电路分析
mos管放大器是电压控制器件,具有输入阻抗高、噪声低的优点,被广泛应用在电子电路中。为了放大模仿信号必需运用有源器件,MOS晶体管就是一种频繁运用的有源器件。
MOS管和三极管相比有何不同?
晶体管是一个简单的元器件,有非常多的种类。最常见的两种晶体管应该要属双极型晶体管(三极管)和MOS管了吧,那它俩之间的区别是什么呢?本文毫欧电子来给大家分享一二。
场效应管工作原理及特点和作用
场效应晶体管(Field Effect Transistor,缩写FET)简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。本文金誉半导体来给大家介绍场效应管工作原理及特点和作用。
金誉半导体(JINYU SEMICONDUCTOR)场效应管/晶体管/二极管/集成电路选型指南
公司简介Company profile 场效应管MOSFET 双极型晶体管Bipolar Transistors 数字晶体管Digital Transistors 二极管Diodes 集成电路Integrated Circuit 封装参数Packaging parameters
金誉半导体 - MOSFET,DIGITAL TRANSISTORS,超沟槽功率MOSFET,稳压电路,BIPOLAR TRANSISTORS,开关二极管,平面型功率场效应管,超结功率场效应管,运放器,双极型晶体管,COMPARATORS,ZENER DIODES,SUPER-JUNCTION POWER MOSFET,INTEGRATED CIRCUIT,放大器,TRENCH POWER MOSFET,肖特基二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODES,屏蔽栅沟槽功率场效应管,数字晶体管,沟道功率MOSFET,稳压二极管,VOLTAGE REGULATORS,AMPLIFIERS,集成电路,P丨ANAR POWER MOSFET,DIODES,肖特基二极管,SCHOTTKY BARRIER DIODES,SWICHING DIODES,电压调节器,场效应管,平面型功率MOSFET,肖特基势垒二极管,PLANAR POWER MOSFET,SUPER TRENCH POWER MOSFET,运放与比较器,超结功率MOSFET,沟槽型功率场效应管,双极晶体管,二极管,比较器,DTC113ZCA,MM3Z5264B,MM3Z5252B,PTU1N60,MM3Z5240B,PTP80N06,MM1Z5234B,MM1Z5246B,SD103AW,MM1Z5258B,BZX84C22,BZX84C20,MM1Z5V6B,PXT2907A,BZX84C27,MM3Z5265B,PT8810,BZX84C24,MMBT4401,PTU*****,PTN80G06,MM3Z5253B,13HN03,MM3Z5241B,MMBT4403,PTF65R380,MM1Z5221B,PTN7530,PTP65R290,MM1Z5245B,MM1Z5257B,BZX84C33,BZX84C30,PT8804,PTD88N07,PTJ*****,SD103BWS,DTA114YCA,MM3Z5266B,LM324S,BZX84C39,MM3Z5254B,BZX84C36,MM1Z6V2B,PTL3107,PTN10HN10,PXT2222A,MM3Z5262B,MM3Z5250B,PTN*****,MM1Z5232B,MBR10200CT,PTD30N02,MM1Z5256B,PTN4294,MM1Z22,DTC143TCA,2SB1132,MM1Z24,PT9926,MM3Z2V2B,PTN13HG04,MMBD4148A,MM1Z27,MM1Z20,PTS4624,PTP10HN08,2SC3356,PTU2N65,MM3Z30B,MM3Z5263B,MM3Z5251B,PTU2N60,PT8205B,PTP4N60,MM1Z18,MM1Z5231B,MM1Z5243B,PT03N06,PTP4N65,MM1Z5267B,PTP10HN06,PTF12N65,BZX84C10,MM1Z11,BZX84C11,MM1Z10,MM3Z3V0B,MM1Z13,MM1Z12,MM1Z15,PTP10N20,MM1Z16,BZX84C18,PTQ*****,SD103AWS,BZX84C16,BZX84C15,BZX84C12,BZX84C13,MMBT5401,MM3Z5260B,DTC143ECA,PTD80P03,PTS4614,MM1Z5230B,MM1Z5242B,MM1Z5254B,PTP10N60,MM1Z5266B,MM3Z2V4B,PTD830,PTD05N20,MM1Z3B0,MM1Z3B3,2SK3018,MM1Z3B6,MM1Z3B9,PTS4842,PTF13N50,PTN6642,MM3Z5261B,LM358,MM1Z5241B,MM1Z5253B,MM1Z5265B,1N4448WS,7808,PTD90N08,7809,PTP90N08,MM1Z5240B,MBR2040CT,PTN10HN04,MM1Z5V1B,SD101AWS,7806,7805,SD103CW,LM324,PTF65R290,MM1Z5252B,7818,MM1Z4V7B,PTQ30P03E,MM3Z3V3B,MM1Z5251B,TL432,7810,TL431,MM1Z2B4,7812,7815,PTD06N15,PTL2106,PTL2107,MM1Z2B7,PTF2N60,PTF2N65,MM1Z5263B,PTD18P10,SD0103WS,PTS4828,LM339,PTC*****,SD103BW,MM1Z3V9B,PTP10N65,MM1Z5250B,MM1Z5262B,BAV70WS,MM3Z2V7B,PTD3006,4558,PTD3005,PTD3004,SD103CWS,PTD3003,DAT143TCA,PTN4559,PTS4936,PTS4813,DTC124ECA,B5819W,LM78L05,LM78L06,MBR30200CT,PT3404,LM78L08,BZX84C9V1,LM78L09,PTP88N07,PT3409,MM1Z5261B,PT3407,PT2319,MM1Z5B1,2N7002K,PT2312,PT3402,PT3401,PT2310,PT3400,MM1Z5B6,PTX*****,MBR20100CT,AMS1117-2.5,PTS4803,BAT54S,PTF8N65,MMBD4148CA,PTP2N60,MMBD4148CC,DTA114ECA,PTP2N65,MM1Z9V1B,PT2305,PT2306,PTU4N60,BAT54C,MM3Z4V3B,BAT54A,MM3Z3V6B,PTU4N65,SD101CWS,PT2301,PT2302,LM393,PT2300,PTP12HN04,PTB*****,PTN3006,PTN3004,C945,PTP12HN06,PTF65R760,PTQ6002,MM3Z5V1B,DAT143ECA,MM1Z4B3,PT2333,MM1Z4B7,PT9926M,AMS1117-1.5,AMS1117-1.8,M1Z24B,DTC114WCA,PT3416,PTD10N20,PT3415,PTZ*****,SD101BWS,S8550,MM3Z3B3,PTE*****,PTN17HG03,MBR30100CT,C847,MM3Z3B0,BZX84C7V5,MM1Z39B,MM1Z15B,MM1Z27B,MM1ZB75,PT4410,PTS9468,MM3Z3V9B,DAT144TCA,MM1Z7B5,PTF65R580,PTF65R460,PTF65R220,PT4407,PTG*****,PTL02N10,MM1Z16B,DTA124ECA,MM3Z4V7B,MBR20200CT,MM3Z3B6,MM3Z3B9,MBR4050CT,PTP14HN10,MM3Z2B4,B5817W,B772,PTF65R200,BZX84C8V2,PTS*****,2SD965,MM3Z6V2B,PT4430,PTD20N06,MM1Z6B2,PT4435,MM1Z6B8,MB40100CT,DTC114YCA,DAT144ECA,MM1Z8V2B,MM1Z7V5B,MM1Z18B,MBR40200CT,PT□*****,MM1Z6V8B,MBR2060CT,MBR10100CT,MM3Z5V6B,MM3Z2B7,PTD20N15,MM3Z5B1,MM1Z3V0,MM1Z3V3,MM1Z3V6,MM1Z3V9,79L05,BZX84C5V6,79L08,79L09,79L06,PTD60N02,PTL03N10,PTD4080,BZX84C5V1,MM1ZB30,MM1ZB33,MM1Z11B,PTD60N06,AMS1117-ADJ,MM1ZB36,MM1ZB39,MM1Z9B1,PTL*****,DTA143XCA,DTC114TCA,PTQ7403,PTA*****,MM1Z24B,MM1Z36B,MM1ZB43,MM1Z12B,MM1ZB47,MM3Z5B6,PTS20G06,MM3Z4B3,MM1Z2V2,MM1Z2V4,PTF18N50,MM1Z2V7,MBR16C45,BZX84C6V8,PTH*****,PTL02N20,MM1ZB51,BZX84C6V2,PTF630,MM1Z13B,MBR40150CT,MBR1060CT,MM1ZB56,PTL04P06,MM1Z8B2,PTP50N06,79L12,AMS1117-5.0,D882,MM1ZB62,PTF640,PTW*****,MM1ZB68,A42,MM3Z4B7,A44,MM3Z7V5B,MM3ZB75,MM3Z8V2B,PTF7N65,1N4148W,MM1Z5V1,MM3Z39B,C1815,MM3Z15B,LM79L12,MM3Z27B,PTF7N60,MMBT3904,MM1Z5V6,PTP*****,MMBT3906,BZX84C3V9,BZX84C3V6,MM3Z5229B,BAT54,MBR1040CT,BZX84C3V3,BZX84C3V0,PTS4294,MM3Z6V8B,PTN15HG03,PTQ3006,1SS187,MM3Z16B,1SS181,LM79L05,LM79L06,LM79L08,LM79L09,PTD4N60,PTD4N65,MM1Z20B,PTD*****,PTD25P04,MM3Z7B5,MM3Z6B2,PTP65R760,MM3Z9V1B,PTS6218,MM1Z4V3,AMS1117-1.,BAV21WS,PTD12N15,S8050,MM1Z4V7,BZX84C4V7,BAV70,PTD12N10,MMBD4148,BZX84C4V3,PTY88N07,MM1Z33B,MM1ZB11,BAV20W,PTS6213,BAS16,MM1ZB10,PT1ZN50,MM1ZB13,MM1ZB12,MM1ZB15,PT4953,MM3Z5239B,MM3Z5227B,MM1ZB16,S9013,S9014,DTA114TCA,MM1ZB18,S9015,PTS6205,AMS1117-3.3,S9012,MM3Z18B,LM78L12,MBR16C20,PTY10HN08,BAS21,SS8550,MM1ZB20,DTC114ECA,MM1ZB22,MM1Z22B,MM3Z6B8,BAV21W,MM1ZB24,MM1Z10B,RB551V-30,MM3Z5228B,S9018,MM1ZB27,PTD12HN06,PTP830,PTD80N06,MM3ZB36,MM3ZB30,MBR20150CT,MM3Z11B,MM3ZB33,PTP65R220,PTP65R580,PTP7N65,PTP65R460,PTD70P04,PTK*****,MM1Z7V5,DTA123YCA,PTL6205,BC848,A92,MM1Z2V7B,A94,PTD4485,MM3ZB27,MM3Z5249B,MM3Z5237B,MM3Z5225B,PTP840,MM1Z5229B,MMBTA42,MM3ZB47,MM3Z24B,MM3Z36B,PTS9926B,MM3Z12B,MM3ZB43,PTM*****,PTD15N10,BC857,BC856,BC858,MM3Z9B1,MM3ZB39,MM3Z5238B,MM3Z5226B,MM1Z75,MM1Z3V3B,2N7002,MM3ZB56,MM1Z5228B,MM3Z13B,PTP65R200,MM1Z6V2,MM3ZB51,PTP12N60,MM1Z6V8,PTL03N1 OA,BZX84C2V7,BZX84C2V4,MM3Z5235B,MM3Z5223B,BZX84C2V2,BAS16WS,BZX84C2V0,DTA123JCA,MM1Z3V6B,DTC143XCA,MMBD4148SE,MM1Z4V3B,MM3Z5259B,MM3Z5247B,MM3ZB68,PTS4107,MM1Z5227B,MM1Z5239B,PTD1N60,MM3ZB62,3T8205AA,PTD50N06,PTY15HG10,PTD40P03,PTP7N60,MM3Z5224B,PT4953B,MMBT5551,MM3Z8B2,MM1Z30B,MM3Z5248B,PTT*****,MM3Z5236B,PTP13N50,BAV19W,MMBTA94,MMBTA92,PTP65R380,MM1Z9V1,PTP10HN10,PT*****,78M12,PTY12HN06,PTP10HN15,PTP630,MM1Z5226B,PTD13HN03,MM1Z43,PTN4080,MM1Z47,1N4448W,PTF730,MM3Z5257B,MBR0520,MM3Z5245B,MM1Z3V0B,MM3Z5233B,MM3Z5221B,PTD60P03,PTS4210,MM3Z20B,MM1Z5249B,STB,MOBILE PHONES,GPS,适配器,PC信号到电视信号转换器,个人数码助手,GAME PLAYER,PND(个人导航设备),充电,PMP(PORTABLE MEDIA PLAYER),VOIP(IP视频),全球定位系统,智慧家电,ADAPTERS,便携式媒体播放器,监测和控制产品,SMART PHONE,工业控制设备,MONITORING AND CONTROLLING PRODUCTS,LED LIGHTING,上网本,PDA(PERSONAL DIGITAL ASSISTANT),VGA转AV转换器,PND(PERSONAL NAVIGATION DEVICE),TABLETS,机顶盒,VGA TO AV CONVERTER,手机,智能电话,PMP(便携式媒体播放器),智能家电,IPTV,SMART HOME APPLIANCES,SMART METERS,NETBOOK,PDA(个人数字助理),网络电视,智能手机,VOIP(VIDEO OVER IP),智能电表,工控设备,便携式自动导航系统,平板,CHARGING,安防监控产品,游戏机,LED照明,网络可视电话,INDUSTRIAL CONTROL EQUIPMENT
PTD3080 30V/80A N沟道高级功率MOSFET
本资料介绍了PTD3080这款30V/80A N-Channel高级功率MOSFET的特性。该器件具有改进的dv/dt能力和高鲁棒性,适用于高压侧负载开关、电池开关等应用。
金誉半导体 - N-CHANNEL ADVANCED POWER MOSFET,N沟道高级功率MOSFET,PTD3080,蓄电池开关,高边负载开关,AEROMODELLING,BRUSHLESS MOTOR,主电路板,BATTERY SWITCH,电力银行,HIGH SIDE LOAD SWITCH,POWER BANK,MAIN BOARD,航空模型,无刷电机
深入了解MOS管的种类以及相关基础知识
本文由金誉半导体再带大家深入的了解一下MOS管的种类以及相关基础知识。
PTQ60P03-30V/-60A P沟道结功率MOSFET
该资料详细介绍了PTQ60P03型号的-30V/-60A P-Channel Junction Power MOSFET。该器件采用新技术,具有低导通电阻和低传导损耗,适用于高压应用。资料中包含了产品的特性、电气参数、应用领域和封装信息。
金誉半导体 - P沟道结功率MOSFET,P-CHANNEL JUNCTION POWER MOSFET,PTQ60P03,AEROMODELLING,BRUSHLESS MOTOR,便携式产品,电力银行,HIGH SIDE LOAD SWITCH,POWER MANAGEMENT APPLICATIONS,POWER BANK,无刷电机,PORTABLE PRODUCTS,蓄电池开关,高边负载开关,主电路板,BATTERY SWITCH,MAIN BOARD,电源管理应用,航空模型
MOS管怎么选?——从电压、电流两方面考虑
MOS管是电子制造的基本元件,在电路应用中必不可少,面对不同封装、不同特性的MOS管时,选择到一款正确的MOS管,不仅可以很好地控制生产制造成本,更重要的是,在为产品匹配了一款最恰当的元器件后,这在产品未来的使用过程中,将会充分发挥其“螺丝钉”的作用,确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。
PGT04N012M 40V/320A N沟道功率MOSFET
本资料介绍了一款型号为PGT04N012M的40V/320A N-Channel Power MOSFET。该器件采用新技术,具有低导通电阻和低传导损耗,适用于DC/DC转换器、电机控制和驱动以及电池管理等应用。
金誉半导体 - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,PGT04N012M,电机控制,DRIVES,DC/DC变换器,DC/DC CONVERTER,MOTOR CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,电池管理,驱动器
PGT06N009 60V/422A N沟道功率MOSFET
本资料介绍了60V/422A N-Channel Power MOSFET,型号为PGT06N009。该器件采用新技术制造,具有低导通电阻和传导损耗的特点,适用于直流/直流转换器、电机控制和驱动以及电池管理等领域。
金誉半导体 - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,PGT06N009,电机驱动,电机控制,MOTOR DRIVES,DC/DC变换器,DC/DC CONVERTER,MOTOR CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,电池管理
PTY12HG08 85V/120A N沟道MOSFET
本资料详细介绍了JinYu公司生产的85V/120A N-Channel MOSFET PTY12HG08的产品特性、应用领域和订购信息。该MOSFET具有低导通电阻、高断耐压和宽工作温度范围,适用于工业电源、升压转换器、整流器、电信和电池管理系统等领域。
金誉半导体 - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,PTY12HG08,RECTIFIER,TELECOM,整流器,工业电源,电信,BOOST CONVERTERS,蓄电池管理系统,升压转换器,INDUSTRIAL POWER SUPPLIES,BATTERY MANAGEMENT SYSTEM
PT3407-30V/-4.1A P沟道增强型MOSFET
PT3407是一款-30V/-4.1A P-Channel Enhancement Mode MOSFET,采用先进的沟槽工艺技术,具有超低导通电阻,适用于便携式产品的电源管理应用。
金誉半导体 - P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,P通道增强模式MOSFET,PT3407,低压侧负载开关,LOW SIDE LOAD SWITCH,AEROMODELLING,BRUSHLESS MOTOR,便携式产品,电力银行,POWER MANAGEMENT APPLICATIONS,POWER BANK,无刷电机,PORTABLE PRODUCTS,蓄电池开关,主电路板,BATTERY SWITCH,MAIN BOARD,电源管理应用,航空模型
PT2333-12V/-6A P沟道增强型MOSFET
本资料介绍了PT2333型号的-12V/-6A P-Channel增强型MOSFET。该器件具有高功率和电流处理能力,采用表面贴装封装。它适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
金誉半导体 - P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,P通道增强模式MOSFET,PT2333,POWER MANAGEMENT,电源管理,PWM,LOAD SWITCH,负载开关
PTP12HG08 85V/120A N沟道高级功率MOSFET
该资料详细介绍了PTP12HG08型号的85V/120A N-Channel Advanced Power MOSFET的特性,包括其电气参数、应用领域、封装信息以及典型特性曲线等。
金誉半导体 - N-CHANNEL ADVANCED POWER MOSFET,N沟道高级功率MOSFET,PTP12HG08,RECTIFIER,TELECOM,整流器,工业电源,电信,BOOST CONVERTERS,升压转换器,INDUSTRIAL POWER SUPPLIES
电子商城
现货市场
服务

可定制TEC尺寸范围:1.4~62mm;制冷功率高达258W,工作电压低至1.2~5V,可实现±100℃范围内的精准控温,产品寿命可达10年,在20~95℃范围内,达上百万次的冷热循环。
最小起订量: 500pcs 提交需求>

可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品,耐温范围-40℃~125℃,电感量最高1200mH。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论