国际先进的SiC器件及方案供应商——macrocore semiconductor(中瑞宏芯)

2024-10-28 世强
SIC 晶圆,SIC 二极管,SIC MOSFET,SIC 模块 SIC 晶圆,SIC 二极管,SIC MOSFET,SIC 模块 SIC 晶圆,SIC 二极管,SIC MOSFET,SIC 模块 SIC 晶圆,SIC 二极管,SIC MOSFET,SIC 模块


产品亮点:

一、碳化硅二极管(SiC JBS):

中瑞宏芯SiC JBS产品适用于PFC电路及逆变器等应用,拥有较低的正向导通降压,在应用端工作时能降低导通损耗,保证开关速度,同时具有较高的浪涌电流能力为其在稳态工作时保驾护航。

l  低损耗

20A工作电流下正向压降低于1.4V,1200V工作电压下反向漏电流比国际知名品牌的产品低1-2个数量级,优势领先

l  耐高温

耐高温达200℃以上(传统器件耐高温175℃)

l  更安全

10倍以上的抗浪涌电流能力

 

二、碳化硅MOSFET:

中瑞宏芯SiC MOSFET拥有突出的低导通电阻特性和良好的正温系数表现,在相同电流条件下能够降低通态损耗,使应用能耗更低。

l  高温工况下效率更优

Ron温度系数更低,高温工况下效率更优

l  驱动栅压余量更大

栅极震荡耐受能力较强,栅极寿命较长

l  更强短路耐受能力,更高可靠性


175度高温下实测短路耐受能力高于3.5μs,数据相比国际友商I室温下3μs优势明显,意味着在桥式结构电路应用上的更高可靠性。

 

三、碳化硅模块:

碳化硅模块在大功率电源应用上更具性能优势,相比于传统硅基IGBT功率模块,拥有更高的功率密度、可靠性、工作结温,以及更低的寄生电感、热阻等。


中瑞宏芯SiC模块基于高性能6英寸晶圆平台设计,综合性能达到国际先进水平:

l  高击穿电压

l  低导通电阻

l  高开关频率

l  低开关和换向损耗


由于结温高于硅,因此具有出色的热管理性能。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案

描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器,采用多路BOOST升压电路,减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况,最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑,开关频率支持16kHz(最佳频率点),效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET,单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时,在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计,集成度更高。

型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

优选器件方案  -  WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO  - V2.1 PDF 中文 下载

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯电子开发2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。

产品    发布时间 : 2024-10-09

泰科天润(GPT)SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南

目录- Company Profile    SiC Chip/SiC Devices   

型号- G3S06506D,GW3-S12050,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G4S06508HT,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G3S06510C,G3S06510D,G5S12020A,G3S12020A,G3S06506H,G3S06510A,G4S12020D,G3S12020B,GW1-S3300.6,G3S06510B,G5S12015P,GW3-S065100,G3S06505R,G3S06004J,G3S12003R,G5S06508AT,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G5S12015A,G3S06505A,G3S12003A,G5S06510HT,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S06505H,G3S12003H,G3S06504R,G5S06510PT,G3S06520L,G3S06520H,G5S12002R,GAS06540B,G3S06560B,G3506008J,G3S12002R,G3S06520P,G3S06504C,G3S06504A,G5S06508HT,G3S06516B,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06504H,G3S06520B,G3S12002D,G5S12010A,G5S06508PT,G3S06520A,G3S06504D,G3S12002H,G3S06503R,GWA-S06520,G3S06540PP,G3S065100P,G5S06506CT,G4S06508AT,GW3-S17050,G5S06505AT,G3S06503A,GW3-S12020,G3S12040PP,G5S06508QT,G3S06503H,G5S06504QT,G4S06510HT,G3S06503C,G3S06503D,G3S06530L,G5S12020H,GW3-S06550,G4S06510PT,G4S06515AT,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06530P,G3S06502R,GW5-S12010,G3S06502A,G4S06510AT,GW3-S12010,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,GW5-S12015,G3S06530A,G3S06502D,G3S12040B,G3S06502C,GW3-S06520,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,GW3-S17010,GW5-S12002,G5S06510DT,G4S06515DT,GW3-S12002,GW3-S12003,GW3-S12005,GAS06520A,G3S17005C,GW5-S12008,G3S17005A,G3S12010H,GAS06520H,G3S06508R,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G3S17020B,GW3-S06530,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,G3S12050P,GAS06520L,GW3-S33050,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S06510AT,G3S06508D,GW3-S17005,G3S06508C,G5S12002C,G3S06508A,G5S12002A,G3S12030PP,G3S06540B,G5S12030B,G3S12010A,G3S12010B,G3S12010C,G3S12010D,G3S06508H,G3S06512B,GW1-S33001,GW1-S33002,G5S06510QT,G3S12005P,GW1-S33005,G3S06006J,G3S12005R,GW3-S06506,GW3-S06508,GW3-S06502,G3S06010J,GW3-S06503,GW3-S06504,G5S06508CT,GW3-S06505,GW5-S12020,G4S06510DT,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G3S06510M,GW3-S06510,G3S06506U,G3S06506R,G3S06510K,G3S06510L,G3S12020L,G3S06510H,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06550P,G3S06510R,G5S06508DT,G3S06510P,G3S12020U

选型指南  -  泰科天润  - vol.02  - 2020/7/7 PDF 英文 下载

1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用

1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率,且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时,1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后,终端应用的系统可靠性大大提升,而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。

应用方案    发布时间 : 2024-06-18

【元件】新动向 | 爱仕特内绝缘型SiC MOSFET,内置陶瓷片优化绝缘和导热性能,为高效能应用提供新选项

爱仕特始终秉承创新理念,近期推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸,通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能,背面散热器做了悬浮电位设计,减少了外部绝缘材料依赖,降低了材料老化导致的长期运行故障风险,增强了产品可靠性和耐用性。

产品    发布时间 : 2024-09-29

扬杰科技(YANGJIE)碳化硅产品选型指南

描述- 公司产品线含盖单晶硅棒、硅片、外延片、分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等,为客户提供一揽子产品解决方案。

型号- YJD2065100NCTGHQ,YJD106520BQG2,YJD212060B7GH,YJD206560B7GH,YJD212060NCTGH,YJD106520FQG2Q,YJD2065200BGH,MB480U065F2,YJD212040T2GH,YJD112020NCTQG2,YJD2120160NCFG1Q,YJD106508PQG2,YJD2120120NCTGHQ,YJD112002DG1,YJD2120120BGH,YJD217045NCFGH,MB60DU12ST,MB80DU12ST,YJD212080NCFG1,YJD206560NCTGH,YJD2120120NCTGH,YJD2120240NCFGH,YJD2120120NCFGHQ,YJD21701K0B7GH,YJD106520DQG2Q,YJD212030NCFGHQ,YJD106506BQG2,YJD212060T2GH,YJD106520PQG2,YJD212040NCTG2,YJD112020BXGG2,YJD212040NCTG1,YJD106502DQG3,MB60DU12STN,YJD21701K0NCTGH,YJD106504PG1,YJD112015PGG2,YJD212040T2GHQ,YJD212030NCTGH,YJD106520NCTQG2,YJD212030T2GH,YJD106540NCTQG2,YJD106510BQG2,YJD106510PQG2Q,YJD112010BQG2,YJD206525NCTGHQ,YJD106502PQG3,YJD106508BQG2,YJD2120240NCTGHQ,YJD212040NCTGH,YJD106510PQG2,MC16UZ12STN,YJD112040NGG2,YJD206550NCFGHQ,YJD106504DG1,YJD212040NCTGHQ,YJD212080NCTGHQ,YJD206560NCFGHQ,YJD106520DQG2,YJD106550BQG3,YJD212080NCFG1Q,YJD112040NCTG1,YJD2120120B7GH,YJD2120160NCFG1,YJD112005PG1,YJD112030NGG2,YJD2065200NCFGH,YJD112030NGG3,YJD2065100NCTGH,YJD112015NG1,YJD212030T2GHQ,YJD106520NCTQG2Q,YJD2120240BGHQ,YJD212080NCFGH,YJD212040NCFGHQ,YJD206520NCTGH,YJD206550NCFGH,YJD2065100B7GHQ,YJD206525NCFGH,YJD206530NCTG1,YJD2120240B7GHQ,YJD212080NCFGHQ,YJD112002PG1,YJD112005DG1,YJD2120240NCTGH,YJD2065100NCFGHQ,YJD206550B7GH,YJD2120120B7GHQ,YJD206560NCTGHQ,YJD206530NCTG1Q,YJD2065200B7GH,YJD112020BGG2,MB120DU12FJ,YJD206525T2GHQ,YJD112015NGG2,YJD106506PQG2,YJD206520NCTGHQ,YJD112030NCTG1,YJD206560NCFG1,YJD112010DQG2,YJD106508DQG2,YJD206530NCFG1Q,YJD212040NCTG1Q,YJD206560NCFG1Q,YJD206560NCFGH,YJD217045NCTGH,YJD112010NQG2,YJD212080NCTG1Q,YJD2120240B7GH,YJD106520PQG2Q,YJD212040NCFG2Q,MB120DU12ST,YJD2120120BGHQ,YJD106520FQG2,YJD2065100B7GH,YJD212080B7G1Q,YJD212060NCFGH,YJD2120240NCFGHQ,YJD212080T2GHQ,YJD212060B7GHQ,YJD112030NCTGG2,YJD112040NCTGG2,YJD112040NCTGG1,YJD212040NCFG2,YJD21701K0NCFGH,YJD106520NQG2Q,YJD212040NCFG1Q,YJD2120120NCFGH,YJD206560B7GHQ,YJD212030NCFGH,YJD106510FQG2,YJD112010FQG2,MB60DU12FJ,YJD206520NCFGHQ,YJD206525T2GH,YJD206550NCTGHQ,MB80DU12FJ,YJD206560NCTG1Q,YJD106506FQG2,MB200DU12FJ,YJD212040NCFG1,YJD112040NQG2,YJD212060T2GHQ,YJD106520BQG2Q,YJD2120240BGH,YJD206550B7GHQ,YJD112010PQG2,YJD212060NCTGHQ,MB480U12F2,YJD2120160NCTG1Q,YJD106510DQG2Q,YJD212080B7GH,YJD212080B7GHQ,YJD212030NCTGHQ,YJD206525NCTGH,YJD112030NG1,YJD106510FQG2Q,YJD212040NCFGH,YJD212080B7G1,YJD2065100NCFGH,YJD112030NQG2,MB200DU12ST,YJD2065200NCTGH,YJD2120160NCTG1,MB180DU065FJ,YJD106508FQG2,YJD212080T2GH,YJD21701K0BGH,YJD106510BQG2Q,YJD212040NCTG2Q,YJD212060NCFGHQ,MB180DU12FJ,YJD212080NCTG1,YJD112005FG1,YJD206525NCFGHQ,YJD112010BXQG2,YJD106520NQG2,YJD212080NCTGH,YJD206550NCTGH,YJD206560NCTG1,YJD106550NQG3,YJD206520NCFGH,YJD206530NCFG1,YJD106506DQG2,YJD112020NGG2,YJD106510DQG2

选型指南  -  扬杰科技  - 第一版  - 2023年09月 PDF 中文 下载

华润微电子SJ MOS和SiC二极管器件满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求

华润微电子针对充电桩、大功率电源等应用开发的的第四代、第五代SJ MOS,采用先进的多层外延技术,优化了元胞结构,具有电流能力强,短路能力好的特点。另外,新材料SiC二极管器件,具有导通损耗小,开关损耗小,抗雷击浪涌能力强的特性,在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。

器件选型    发布时间 : 2024-07-06

阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块亮相深圳国际电子展,共襄科技盛宴!

日前,阿基米德半导体参加了在深圳会展中心举办的elexcon2024深圳国家电子展。展示了SiC MOSFET/IGBT单管,半桥IGBT模块,三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。广泛应用于直流快充/超充,工业电源,感应加热,光伏逆变器,储能PCS,新能源汽车等领域。

原厂动态    发布时间 : 2024-09-04

数明半导体(Sillumin)光伏逆变器用芯片产品选型指南

描述- 光伏逆变器是将光伏组件产生的直流电转换成交流电的设备。按照是否与电网并网分为并网逆变器和离网逆变器。并网逆变器又可以分为集中式逆变器、集散式逆变器、组串式逆变器、微型逆变器等。带有储能功能的并网逆变器又称储能逆变器。离网逆变器一般都具有储能功能。光伏逆变器的前一级是光伏组件,一般由多个光伏组件串并构成,后一级是电网。光伏逆变器一般包含MPPT模块、DC/AC逆变模块、双向DC-DC储能模块等。模块间需要实现可靠通信及安规隔离等功能,而且每个模块都需要满足10-25年的使用寿命。这对系统的设计与关键器件的性能提出严苛的要求。

型号- SILM59XX 系列,SILM5350RABCA-DG,SILM5142SCM-DG,SILM8244BBCG-DG,SILM8243ABCP-DG,SLMI335CG-DG,SILM5150SDC-DG,SILM5350SDBCA-DG,SILM8243GBCP-DG,SILM5350PABCA-DG,SILM5350HABCA-DG,SILM8244DBCP-DG,SLMI8230DDCG-DG,SILM5206E25-DG,SILM58XX系列,SLMI8232DDCG-DG,SLMI332HCG-DG,SILM5350FABCA-DG,SILM5350RGBCA-DG,SILM5350PGBCA-DG,SILM5721CM-DG,SILM5768LCG-DG,SLMI8231BDCG-DG,SILM5722FCA-DG,SILM5206,SLMI8233BDCG-DG,SLMI8235BDCG-DG,SILM5767FCG-DG,SILM5761FCG-DG,SLMI823X系列,SILM5766CG-DG,SILM5350HGBCA-DG,SLM27211EL-7G,SLM2186,SILM5741FCG-DG,SILM8244GBCG-DG,SLM27212,SILM824X,SLM27211,SILM5762CG-DG,SIL M5762FCG-DG,SLMI8233HBDCG-DG,SILM5721FCA-DG,SLMI350DB-DG,SILM5740CG-DG,SILM576X系列,SLMI8233HDDCP-DG,SILM5350系列,SILM5852SHCG-DG,SILM5206M05-DG,SILM5742FCG-DG,SILM8245BBCP-DG,SLMI333CG-DG,SILM8244BBCL-DG,SILM27624,SILM5731CG-DG,SILM5350MBDCM-DG,SILM5350PBBCA-DG,SLM343CK-DG,SLM340CK-DG,SILM5350PGDCM-DG,SILM5350MDBCA-DG,SILM576X,SILM57XX,SILM8245DBCG-DG,SILM5150SCG-DG,SILM5350HBBCA-DG,SILM5766FCG-DG,SILM27624MGB-DG,SILM5350PADCM-DG,SLMI8235HDDCG-DG,SILM5350HADCM-DG,SLMI331HCG-DG,SLMI34X,SILM574X系列,SILLM5764FCG-DG,SILM5350FGDCM-DG,SILM8245ABCL-DG,SLMI333HCG-DG,SILM5992SHCG-DG,SILM8243ABCL-DG,SILM5742CG-DG,SILM8244DBCL-DG,SILM27212EK-DG,SILM5722FCM-DG,SILM8245DBCL-DG,SILM8244GBCL-DG,SILM5730FCG-DG,SILM5350RBDCM-DG,SLM27524,SILM5741CG-DG,SILM5350SGDCM-DG,SILM5764CG-DG,SILM5150S,SILM5760CG-DG,SILM5350MADCM-DG,SLMI8234HBDCP-DG,SILM8244DBCG-DG,SILM5350SBBCA-DG,SLM345CK-DG,SILM5769LCG-DG,SILM5350,SILM5142SCG-DG,SLMI8235HBDCG-DG,SILM8243BBCP-DG,SLMI335HCG-DG,SILM5720FCM-DG,SILM8245BBCL-DG,SLMI350,SLMI8235HDDCP-DG,SLMI8233DDCG-DG,SILM5144SCA-DG,SLMI33X,SLMI334CG-DG,SILM8245ABCG-DG,SILM5761CG-DG,SLM34X系列,SILM5767CG-DG,SLMI8233HDDCG-DG,SILM5721FCM-DG,SILM5722CM-DG,SLMI334HCG-DG,SILM5350MGBCA-DG,SILM5350FBBCA-DG,SLM27524CA-DG,SILM5202CM-DG,SILM5350RADCM-DG,SILM5350SABCA-DG,SILM8243BBCG-DG,SILM824X系列,SILM5206E05-DG,SILM5765CG-DG,SLMI8234HDDCP-DG,SILM5206系列,SLMI8234HBDCG-DG,SILM8244ABCP-DG,SLMI8235HBDCP-DG,SILM5350RDBCA-DG,SILM8244GBCP-DG,SILM27212系列,SILM8243DBCP-DG,SILM5350MABCA-DG,SILM27624HGB-DG,SILM573X系列,SILM52XX,SILM5350HDBCA-DG,SILM5350PDBCA-DG,SILM5350FDBCA-DG,SILM5851NHCG-DG,SILM5142S,SILM5211CM-DG,SILM8245BBCG-DG,SILM5206M25-DG,SILM27624HCA-DG,SILM5763CG-DG,SLMI332CG-DG,SLM27524GB-DG,SLM34X,SILM8243BBCL-DG,SILM5150,SLMI8235DDCG-DG,SILM5350HBDCM-DG,SILM5720CM-DG,SILM5765FCG-DG,SILM5350SGBCA-DG,SLMI8231DDCG-DG,SLM346CK-DG,SILM5350RDDCM-DG,SILM8243ABCG-DG,SLMI8230BDCG-DG,SILM5722CA-DG,SLMI8234BDCG-DG,SILM5350FDDCM-DG,SILM27212,SLM27211EK-DG,SILM5731FCG-DG,SILM8243GBCG-DG,SLM27211系列,SILM5350HGDCM-DG,SILM5991SHCG-DG,SLMI330CG-DG,SILM5768LNCG-DG,SILM5769LNCG-DG,SILM27624LCA-DG,SILM8244ABCL-DG,SILM5350MGDCM-DG,SILM5200CM-DG,SILM8243DBCL-DG,SILM5740FCG-DG,SILM8245GBCL-DG,SLM27211CA-DG,SILM5760FCG-DG,SILM5720FCA-DG,SILM5730CG-DG,SILM8244ABCG-DG,SILM27624LGB-DG,SILM5350MDDCM-DG,SILM8243GBCL-DG,SILM52XX系列,SILM5350PBDCM-DG,SLMI330HCG-DG,SILM574X,SILM58XX,SLMI33X系列,SILM5932SHOCG-DG,SILM5350SDDCM-DG,SLMI8234HDDCG-DG,SLM341CK-DG,SILM5721CA-DG,SILM5350MBBCA-DG,SILM5150SCM-DG,SILM5350SADCM-DG,SILM8245GBCG-DG,SILM572X系列,SILM5350FGBCA-DG,SILM573X,SILM8244BBCP-DG,SILM5720CA-DG,SLMI823X,SILM5350FBDCM-DG,SLMI8234DDCG-DG,SILM5350FADCM-DG,SILM27624MCA-DG,SILM5350RBBCA-DG,SILM5350SBDCM-DG,SILM5350RGDCM-DG,SILM572X,SILM5350HDDCM-DG,SILM5763FCG-DG,SILM5350PDDCM-DG,SILM5144S,SILM59XX,SLMI8232BDCG-DG,SLMI8233HBDCP-DG,SILM8243DBCG-DG,SLMI331CG-DG,SLM27211CB-DG

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蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩,减少50%器件用量,助力800V高压快充充电桩行业发展

基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便,可简化系统拓扑,减少50%的器件用量,助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,最大可持续电流达75A。

应用方案    发布时间 : 2024-07-17

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