国际先进的SiC器件及方案供应商——macrocore semiconductor（中瑞宏芯）
苏州中瑞宏芯半导体有限公司是由海外归国技术专家和国内功率半导体行业顶尖产品开发团队创办，致力于开发新一代节能高效碳化硅功率芯片和模块，在功率半导体和碳化硅材料器件领域拥有十多年的技术积累。公司总部坐落于苏州工业园区2.5产业园，场地面积5800平方米，包含2个净化间和多个独立实验室，公司技术团队和运营团队均在半导体行业领域深耕多年，以完善的管理和开发制度，持续提升企业创新力和核心竞争力，与苏州第三代半导体研究院共同打造碳化硅材料与芯片生产研发基地，自建工程实验中心。公司在杭州分设研发和销售团队，在瑞典设有海外销售和研发中心，在深圳设办事处。中瑞宏芯以创新驱动产业升级，自主研发的碳化硅肖特基二极管和碳化硅 MOSFET 等产品已达到同行业领先水平，自成立以来不断扩大市场份额，2022年销售收入已突破千万。
产品亮点：
一、碳化硅二极管（SiC JBS）：
中瑞宏芯SiC JBS产品适用于PFC电路及逆变器等应用，拥有较低的正向导通降压，在应用端工作时能降低导通损耗，保证开关速度，同时具有较高的浪涌电流能力为其在稳态工作时保驾护航。
l 低损耗
20A工作电流下正向压降低于1.4V，1200V工作电压下反向漏电流比国际知名品牌的产品低1-2个数量级，优势领先
l 耐高温
耐高温达200℃以上（传统器件耐高温175℃）
l 更安全
10倍以上的抗浪涌电流能力
二、碳化硅MOSFET：
中瑞宏芯SiC MOSFET拥有突出的低导通电阻特性和良好的正温系数表现，在相同电流条件下能够降低通态损耗，使应用能耗更低。
l 高温工况下效率更优
Ron温度系数更低，高温工况下效率更优
l 驱动栅压余量更大
栅极震荡耐受能力较强，栅极寿命较长
l 更强短路耐受能力，更高可靠性
175度高温下实测短路耐受能力高于3.5μs，数据相比国际友商I室温下3μs优势明显，意味着在桥式结构电路应用上的更高可靠性。
三、碳化硅模块：
碳化硅模块在大功率电源应用上更具性能优势，相比于传统硅基IGBT功率模块，拥有更高的功率密度、可靠性、工作结温，以及更低的寄生电感、热阻等。
中瑞宏芯SiC模块基于高性能6英寸晶圆平台设计，综合性能达到国际先进水平：
l 高击穿电压
l 低导通电阻
l 高开关频率
l 低开关和换向损耗
由于结温高于硅，因此具有出色的热管理性能。
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