碳化硅SiC势头不减,瑞之辰坚守行业信心
意法半导体、安森美、英飞凌、罗姆等厂商在不同地点建设工厂;多家碳化硅(SiC)厂商宣布未来几年扩大产能计划;8英寸SiC的推出促进了技术扩展,降低了成本……近期,SiC作为第三代宽禁带半导体材料,在半导体行业中势头不减。在这场SiC技术与产能的竞赛中,深圳市瑞之辰科技早已布局SiC功率器件与封装形式,始终坚持对这一领域的信心。
SiC谁能占得先机
在全球范围内,SiC材料的产能正在快速扩张,不客气地说SiC已成为功率半导体行业的关键部分。
据数据显示,由于电动汽车市场的迅猛发展,对SiC功率器件的需求呈现出爆炸式增长。起初,颠覆性汽车制造商特斯拉在其逆变器中采用了SiC。多家国际半导体巨头纷纷宣布未来几年将扩大SiC产能,以满足终端系统尤其是电动汽车领域的需求。
与此同时,中国厂商也在加速追赶。尽管2024年电动汽车市场增长放缓,但SiC设备制造商仍预计2024年的收入将增长,预计到2029年整个市场将达到近100亿美元。除了汽车之外,工业、能源和铁路应用现在也提供了额外的增长动力。
多家国内SiC厂商加大了技术研发和产线投资力度,力求在这一轮技术革新中占据先机。随着全球SiC材料产能的快速扩展,预计到2026年,全球SiC市场将会出现产能过剩。但中国厂商凭借技术的持续迭代,已经达到比肩国际一线厂商的水平,未来或将主导全球SiC半导体产业。
瑞之辰坚持行业信心
在这场SiC的竞赛中,深圳瑞之辰科技的表现令人无法忽视。
作为一家专注于芯片设计、方案研发的高新科技企业,瑞之辰通过多年的行业积累,早已意识到SiC行业大有可为。“未来会是SiC的天下,产能建设、业务整合和新的商业模式将在未来几年将SiC提升到另一个层次,我们坚信这一点。”
瑞之辰成立于2007年,借半导体行业东风,销售业务量成倍增长,成为国内拥有产品研发设计能力及自有知识产权的电源管理芯片的知名企业。公司产品涵盖了SiC功率器件、电源管理芯片、传感器芯片等系列,拥有百项发明专利和实用新型专利,技术实力雄厚。
嗅到SiC行业趋势后,瑞之辰致力于碳化硅功率器件的研发与创新。目前研发SiC 、IGBT等功率器件,封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形,产品主要应用在储能、充电桩、逆变器、光伏、电动汽车、高铁、电网等领域。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由转载自瑞之辰,原文标题为:碳化硅SiC势头不减,瑞之辰坚守行业信心,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛,为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务
鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛,产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。
华太电子推出650V和1200V超结IGBT系列产品,已在光伏、储能等领域大批量使用
华太电子研发出650V和1200V超结1GBT系列产品。相较传统沟槽型IGBT,SUPER JUNCTION IGBT充分利用超结的优势,可有效提升器件的正向导通特性及开关特性。目前超结1GBT已在光伏、储能等领域开始大批量使用。
国产车规SiC亮相,将替代IGBT芯片模块?
深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块(参见图1),实现了对硅基IGBT芯片的模块替代,在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时,这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式,模块体积减少约57%,而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新,模块可靠性得到大幅提升,非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。
储能与电力转换系统测试解决方案:储能逆变器/光伏逆变器/电池包
型号- 62000H-S,8630,19501,17020,17040E,61800-100HF,63800系列,17020E,61860,61800-100,63700,17040,63800,19055-C,61800,61845,61815,63700系列,62000H-S系列,63800R,8900,62000D 系列,8000,63800R系列,8700,17020E系列,8720,61830,19501-K001,62000D,19501系列,61812,61800系列,17020系列,61809,19032-P,87001
终于有人把碳化硅(SiC)是什么,有哪些用途和优势说明白了
碳化硅,也称为 SiC,是一种半导体基础材料,由纯硅和纯碳组成。可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体,或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。尽管存在许多种类和纯度的碳化硅,但半导体级质量的碳化硅仅在最近几十年才出现。
中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势
为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求,中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装,具有开尔文源极,驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。
【元件】新洁能650V Gen.7 IGBT “V”系列产品,非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用
NCE新洁能650V Gen.7系列IGBT产品,基于微沟槽场截止技术,可大幅提高器件的元胞结构密度。本文要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性,非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。
【元件】扬杰科技新推出用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET,采用开尔文接触,工作温度175℃
扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品,产品均采用开尔文接触,明显减少了开关时间,降低了开关损耗,支持更高频率的应用与动态响应;同时相比插脚器件降低了电路板空间,增加了电路板的集成化,非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
科普 | 碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来
光伏发电是碳化硅器件除电动汽车以外的第二大应用领域。光伏逆变器作为光伏电站的转换设备,主要作用是将太阳电池组件产生的直流电转化为交流电。本文中SMC将为大家分析碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来,希望对各位工程师朋友有所帮助。
中国新能源汽车几何式发展,瑞之辰布局SiC市场
近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示,2023年,中国新能源汽车销量达到了949.5万辆,同比增长37.9%。预计2024年,中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展,倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。深圳瑞之辰率先察觉这一趋势,早已布局SiC(碳化硅)领域,正发力推动行业高质量发展。
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯电子开发2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。
【元件】瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块,可替代硅基IGBT芯片的模块,系统损耗降低三分之一
又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块,实现了对硅基IGBT芯片的模块替代,在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时,这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式,模块体积减少约57%,而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新,模块可靠性得到大幅提升,非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。
【经验】H6.5 IGBT功率模块相比于单管IGBT寄生电感低,助力光伏并网逆变器加入“领跑者”
光伏并网逆变器要想加入“领跑者”行列,必须在整机效率上达到要求。传统单相光伏逆变器基本上采用的都是IGBT单管方案,拓扑方面基本集中在H5,H6,HERIC这三种。近年来随着户用分布式的需求,单相10kW光伏并网逆变器成为各家逆变器厂家争相推出的机型。但随着功率等级的提升,电流等级的提升,对IGBT的工作环境就有了较为严苛的要求。
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V,如果选用单端反激拓扑,单管MOS耐压值需要超过3000V,因此建议采用双管反激方案,推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000,1700V高耐压,同时采用常用的TO247封装,可直接替换Si MOS使用。
SiC产业技术与产能差距缩小,瑞之辰发挥碳化硅优势
近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。有数据预计2024年中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,市占率可能超过45%。随着新能源汽车对于能源转换效率、充电效率、续航时间等要求越来越高,推动了对高功率密度、耐高温、耐高压、体积更小等优势的SiC功率硅器件需求的快速增长。随着全球SiC材料产能的快速扩张,预计到2026年全球SiC市场将会出现产能过剩。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论