科索3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用罗姆的EcoSiC™

填料SiC SBD TO-263AB（LPTL）

描述- 本资料详细描述了SiC SBD（碳化硅肖特基二极管）的包装要求，包括包装规格、尺寸、卷带方向、累积节距公差、弯曲半径、卷带材料、失效率、卷盘尺寸、卷带规格、产品代码、数量、标记和包装方式。资料中未提及具体公司和品牌信息。

ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）肖特基二极管选型指南（中文）

描述- SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。

型号- SCS208AG,SCS206AJ,SCS208AJHR,SCS220KE2,SCS206AG,SCS306AM,SCS304AM,SCS308AJ,SCS205KG,SCS220AE2,SCS308AM,SCS315AG,SCS220KG,SCS315AJ,SCS230KE2,SCS230AE2,SCS220KE2HR,SCS212AJ,SCS210AG,SCS212AG,SCS315AM,SCS210AJ,SCS210KE2HR,SCS320AM,SCS215KG,SCS210KE2,SCS220AE2HR,SCS320AJ,SCS215AJHR,SCS320AG,SCS240KE2HR,SCS240AE2HR,SCS220AJHR,SCS220AJ,SCS212AJHR,SCS220AG,SCS310AM,SCS312AJ,SCS310AJ,SCS312AM,SCS312AG,SCS310AG,SCS215AJ,SCS240KE2,SCS215AG,SCS230KE2HR,SCS240AE2,SCS230AE2HR,SCS304AG,SCS210AJHR,SCS308AG,SCS306AJ,SCS306AG,SCS210KG,SCS304AJ,SCS206AJHR,SCS208AJ

SCS2xxAN（650V) SCS2xxKN（1,200V) 宽爬电距离封装SiC肖特基势垒二极管

描述- ROHM公司推出新型SiC肖特基势垒二极管，采用小型表贴封装，实现宽爬电距离，适用于xEV系统电压提升。产品具有低开关损耗，有助于降低设备功耗。产品包括650V和1,200V两种电压等级，适用于车载和工业设备。

型号- SCS310AM为10A,SCS2XXAN,SCS220ANHR,SCS212ANHR,SCS205KNHR,SCS2XXKNHR,SCS2XXKN,SCS210KNHR,SCS220KNHR,SCS215ANHR,SCS210ANHR,SCS2XXANHR,SCS230ANHR

ROHM（罗姆）"全SiC"功率模块选型指南（中文）

描述- SiC功率模块是节能环保的器件，与传统产品相比有多项改进，有效地利用了电源和资源，并且在维持或提高性能的同时降低了功耗。例如，集成SiC MOSFET和SiC SBD的全SiC功率模块中的开关损耗显著低于额定值等效的硅基IGBT模块。此外，与传统模块不同，这些新型SiC产品支持100kHz以上的高频操作，提高了感应加热用的高频电源和混合动力存储系统等工业设备的效率。

型号- BSM300C12P3E201,BSM300C12P3E301,BSM180C12P2E202,BSM400D12P3G002,BSM300D12P2E001,BSM600D12P3G001,BSM080D12P2C008,BSM180D12P3C007,BSM180C12P3C202,BSM400C12P3G202,BSM300D12P4G101,BSM120C12P2C201,BSM120D12P2C005,BSM450D12P4G102,BSM180D12P2E002,BSM600C12P3G201,BSM180D12P2C101,BSM400D12P2G003,BSM600D12P4G103,BSM300D12P3E005,BSM250D17P2E004

采用嵌入式SiC SBD的B2M030120N SiC MOSFET

描述- 该资料详细介绍了B2M030120N型碳化硅MOSFET的特性，包括其电气特性、热特性、封装参数、开关特性等。该产品具有高阻断电压、低导通电阻、内置碳化硅二极管等特性，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器、高压DC/DC转换器等领域。

型号- B2M030120N

ROHM（罗姆）SIC碳化硅功率元器件介绍

描述- 在功率元器件领域，碳化硅作为新一代材料备受瞩目。与以往的硅(Si)材料元器件相比，碳化硅(SiC)材料功率元器件可以实现低导通电阻、高速开关、高温作业。碳化硅元器件活跃于各种领域， 包括电源、汽车、铁路、工业设备、家用消费类电子设备等。

静电放电试验结果（机型）【参考数据】SiC SBD SCS220A

描述- 本资料提供了罗姆公司（ROHM Co., Ltd.）生产的SiC SBD（碳化硅二极管）产品SCS220A*的电静态放电（ESD）测试结果。测试包括机器模型和人体模型两种情况，测量条件分别为C=200 pF、R=0 Ω、Ta=25°C和C=100 pF、R=1.5 kΩ、Ta=25°C、5脉冲。资料中展示了不同输入电压下的累积失效率，并指出数据为特定批次代表性值，不代表最差或保证值。

型号- SCS220A

SiC肖特基势垒二极管

描述- 这份资料主要介绍了多种类型的元器件，包括碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、全碳化硅功率模块和智能功率模块。资料详细描述了这些元器件的尺寸、封装类型和基本订购单位。此外，还提供了相关产品的图片和包装信息。