蓉矽1200V 30A SiC EJBS™（NC1D120C30KT）应用于40kW单向充电桩模块，整机损耗降低180W
测试环境
摘要
蓉矽碳化硅二极管EJBS™（Enhanced Junction Barrier Schottky Diode）产品采用PiN与SBD的复合结构，具有高抗浪涌电流能力、低反向漏电（Tj=25℃时，IR=11μA）、低正向导通压降（Tj=25℃时VF=1.41V）、零反向恢复电流、最高工作结温达175℃等优势。
本次测试平台为40kW单向充电桩模块，输入380V AC，输出200V-1000V DC、最大输出电流为130A，热设计采用强制风冷，实物见图1。
将其AC/DC采用的UFRD替换为蓉矽1200V 30A SiC EJBSTM后，整机损耗降低最高可达180W。
图1 40kW充电桩模块实物
AC/DC回路拓扑
AC/DC部分采用维也纳整流拓扑（见图2）。
图2 维也纳整流拓扑
测试结果
测试条件及方案
本次测试使用蓉矽SiC EJBS™对维也纳整流电路中UFRD进行更换。具体测试条件及二管参数 详见表1、表2。
表1 AC/DC电路测试方案对比
表2 测试用二极管主要参数
测试数据
根据测试数据（如图3、4所示），更换蓉矽SiC EJBSTM后，整体效率均有提升：
● 800V输出条件下，满载效率提升0.45%，损耗降低约180W。
● 600V输出条件下，满载效率提升最小，约为0.34%，损耗仍降低约136W。
可见1200V SiC EJBSTM在充电桩模块的应用中具有明显优势。
图3 蓉矽方案效率提升曲线
图4 蓉矽方案整机效率曲线
测试总结
本次测试中，采用蓉矽NC1D120C30KT（1200V 30A）SiC EJBS™产品替换原机UFRD，蓉矽SiC EJBS™的Vf、Qrr以及trr等参数均优于原机UFRD，且全功率范围内效率高于原机，最大效率提升0.45%，损耗降低180W。
可见，在损耗和温升方面蓉矽的SiC EJBS™在维也纳整流电路应用中具有明显优势。
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本文由Vicky转载自NOVUSEM，原文标题为:蓉矽1200V 30A SiC SBD（NC1D120C30KT）应用于40kW OBC车载充电机，电路损耗降低180W，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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产品型号
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品类
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额定电压(V)
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额定电流(A)
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次代
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正向电压(typ)(V)
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反向漏电流(typ)(uA)
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正向浪涌峰值电流(typ)(A)
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QC(typ)(nC）
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PTOT（W）
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封装
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可靠性
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NC1D120C10AT
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碳化硅EJBS单管
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1200V
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10A
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Gen 1
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1.39V
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3uA
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118A
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55nC
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208W
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TO-220-2
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Industrial
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选型表 - NOVUSEM 立即选型
HI-SEMICON（深鸿盛）碳化硅肖特基二极管选型表
目录- 碳化硅肖特基二极管
型号- SC3D10065E,SC3D04065E,SC3D12065A,SC3D10065A,SC3D04065I,SC3D02065A,SC3D06065E,SC3D30065H,SC3D08065A,SC3D06065A,SC3D10065I,SC3D04065A,SC3D08065E,SC3D16065A,SC3D06065I,SC3D16065H,C3D02065I,SC3D20065D,SC3D50065H,SC3D20120D
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