蓉矽1200V 30A SiC SBD(NC1D120C30KT)应用于40kW单向充电模块,电路损耗降低180W
1. 摘要
随着中国新能源汽车的快速普及,充电设施建设迎来了高速发展,功率不断增大,对单台充电模块功率密度和效率提出了更大挑战。在高功率密度和高效率的解决方案中,由于SiC MOS同时兼顾高频、高压、更高工作温、高效率等优点,使得其在充电桩领域得到了广泛应用。
本次以某品牌40kW单向充电模块为测试平台,对蓉矽SiC MOS和SiC SBD在该充电模块中应用表现进行了较为全面的测试。
测试环境
2. 样机参数
本次测试采用的40kW充电模块额定输出功率为40kW,输入为AC380V,输出电压为200V-1000V,最大输出电流为130A。热设计采用强制风冷。实物如图1所示。
图1 充电模块实物
3. AC/DC回路拓扑
分析得出其AC/DC部分采用维也纳整流拓扑(见图2)。在硬件设计中,电路采用单管并联的方式,与两组整流电路直接并联方式相比,该方案需考虑并联器件的均流问题,设计中需均衡并联回路的走线电感和电阻,对PCB设计要求更高;但该方案中每桥臂4颗IGBT采用两并、共集方案,共用一组驱动电源,并联器件共用一路驱动;另外,AC端只需三路电流采样电路。整体方案硬件成本较低。
图2 维也纳整流拓扑
图3 维也纳整流拓扑原边波形
4. 测试结果
4.1 测试条件及方案
原机AC/DC电路外侧二极管为1200V 超快恢复二极管,内侧开关管为IGBT。考虑到前期在T型三电平中对内侧开关管采用SiC MOS替代IGBT方案,系统效率约提升0.1%,而在结构上,其和维也纳拓扑中内侧开关管相同。所以本次测试中不对IGBT进行替换,仅对维也纳整流电路中的外侧超快恢复二极管用SiC SBD进行更换测试。二管参数和具体测试条件和见表4和表5。
表4:测试用二极管主要参数
表5 AC/DC电路对比测试方案
4.2 测试数据
根据测试数据(如图6、7所示),更换蓉矽SiC SBD后,整体效率均有提升。800V输出条件下,满载效率提升0.45%,损耗降低约180W。600V输出条件下,效率提升最小,约为0.34%,损耗仍降低约136W。另外,在相同测试条件下,蓉矽碳化硅肖特基二极管表面温度低于原机快恢复二极管3℃以上(见表8)。结合二极管的Vf数据,蓉矽SBD室温下Vf为1.41V,约为原机快恢复二极管的43%,可见1200V SiC SBD在该部分应用中具有明显优势。
表8:AC/DC电路中整流二极管温升数据 (℃)
备注:二极管 1#和2#为一个桥臂桥中的上下管,同散热器安装,1#靠近进风口
5. 测试总结
在该部分测试中,采用蓉矽NC1D120C30KT(1200V/30A/TO247-2)SiC SBD更换原机UFRD,蓉矽SiC SBD的Vf、Qrr以及trr均优于原机UFRD,且全功率范围效率高于原机,最大效率差为800V满载输出时,约0.45%,对应损耗降低180W。可见,在损耗和温升方面SiC SBD在维也纳整流电路应用中具有明显优势。
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可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
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