SiC产业技术与产能差距缩小,瑞之辰发挥碳化硅优势
近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。有数据预计2024年中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,市占率可能超过45%。随着新能源汽车对于能源转换效率、充电效率、续航时间等要求越来越高,推动了对高功率密度、耐高温、耐高压、体积更小等优势的SiC功率硅器件需求的快速增长。随着全球SiC材料产能的快速扩张,预计到2026年全球SiC市场将会出现产能过剩。深圳瑞之辰科技认为,随着国内企业SiC技术的迭代,已经比肩国际一线厂商,未来中国或将主导全球SiC半导体产业。
SiC功率器件赋能新能源汽车
碳化硅是主要的第三代半导体材料,具有宽带隙、高电子迁移率、高热导率和强电场击穿强度等特点。这些独特的物理性质使得碳化硅器件在高温度、高频率、高电压以及高功率应用中表现出比传统硅器件更优异的性能。
SiC功率器件将为新能源汽车赋能。首先是提升新能源汽车的续航里程。得益于SiC MOSFET低导通电阻、低开关损耗的特点,新能源汽车电机控制器有望实现70%的损耗下降,进而增加约5%行驶里程。
其次是解决了新能源汽车的补能焦虑问题。目前整个新能源汽车行业都是通过提升充电的功率来解决这一部分的问题,单充电枪功率正朝着超过350kW方向演进。预计到2025年,可以体验到15分钟充满80%的电能。根据公开数据显示,2023年采用SiC主驱的新款乘用车型已达45款,而在2017年,全球仅有特斯拉的一款车型采用SiC器件。
除新能源汽车之外,充电桩市场也是对于SiC功率器件需求非常旺盛的一个市场。据统计,2024年整个充电桩所需的SiC功率器件市场规模已达到25亿人民币。预计未来4-5年我们大概还要增加5000万个充电桩,市场需求巨大。
国内碳化硅厂商瑞之辰等崛起
从目前SiC功率器件市场格局来看,目前主要是被国产厂商所垄断。根据TrendForce数据显示,在2023年全球碳化硅功率器件市场,意法半导体(ST)以32.6%市占率位居第一,安森美(onsemi)则由2022年的第四名跃居第二名,市场份额为23.6%。紧随其后的则是英飞凌(16.5%)、Wolfspeed(11.1%)、罗姆半导体(8%)。这前五大国外SiC功率器件供应商约占整个市场营收的91.9%。
反观国内SiC产业链是比较分散的,虽然可能在衬底或者外延部分现在已经形成了一些规模,但在SiC功率器件,特别是车规级SiC功率器件这部分,与海外巨头之间依旧存在巨大差距。
另外,从这些头部SiC功率器件厂商的产能规划来看,目前他们都在持续扩大SiC的产能,SiC即将进入产能过剩阶段。
深圳市瑞之辰科技有限公司是一家芯片设计、方案研发的高科技公司,公司成立于2007年,主要产品有SiC功率器件、电源管理芯片、传感器芯片等系列。公司拥有自己的知识产权, 拥有几十项发明专利和实用新型专利。成立多年,销售业务量成倍增长,成为国内拥有产品研发设计能力及自有知识产权的电源管理芯片的知名企业。近年来公司研发了SiC、IGBT等功率器件,封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形,产品主要应用在储能、充电桩、逆变器、光伏、电动汽车、高铁、电网等领域。
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型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B
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