数明半导体N沟道MOSFET驱动器SiLM266x电荷泵电容配置
SiLM2660/61是一款低功耗、高侧、N沟道MOSFET驱动器，可用于同时驱动多颗MOSFET的应用，以帮助用户的电池系统免受电池欠压、过电压或短路等故障的影响。本文旨在描述SiLM266x系列在具有不同数量MOSFET的应用下如何配置Charge Pump电容容值。
SilM266x电荷泵的应用问题
随着实际应用中MOSFET数量的增加，SiLM266x系列高边驱动的负载电容也随之增加，SiLM266x需要增加VDDCP和BAT端子之间的电荷泵电容容值，以提供足够的驱动电荷，保证可靠开通MOSFET。如果电荷泵电容容值没有随着MOSFET的增加而增加，则在某个阈值处，MOSFET将无法被完全打开，并且VDDCP电压将在开通和关断阈值之间反复循环，因为没有足够的电荷来维持正常开启MOSFET的电压，如下图1所示。
SiLM266x的电荷泵开启受CP_EN逻辑控制，也与CHG_EN，DSG_EN的控制逻辑有关。这意味着，通过单独启用CHG_EN或DSG_EN，即使CP_EN引脚被禁用，电荷泵也会自动打开。当CP_EN为高时，无论CHG_EN和DSG_EN输入的状态如何，电荷泵都会打开。在实际应用中，会存在两种情形，一是CP_EN已经提前开启电荷泵，再来开启充电MOSFET或放电MOSFET。下图2是SiLM2660产品VDDCP电压提前建立，系统启动成功的情形。还有一种情形是，电荷泵的开启受CHG_EN或DSG_EN控制。若电荷泵是由CHG_EN或DSG_EN启动时，当VDDCP的电压在开启过程中，一般是VDDCP电压达到欠压保护值之后，便打开输出CHG和DSG电压，这个时候电荷泵电路既要给VDDCP的电容充电还需要给充电MOSFET或者放电MOSFET等负载提供电荷，此时为了保证正常开启和工作，VDDCP的电容容值要比电荷泵电压已经完全建立情形下的电容容值要大，否则可能则会造成MOSFET将无法被正常打开。例如，SiLM2661产品是没有CP_EN的，电荷泵的开启只能通过CHG_EN或DSG_EN。下图3是VDDCP受CHG_EN或DSG_EN控制，VDDCP电压和输出CHG与DSG电压同时启动，因为电荷泵电容偏小而造成系统启动异常的情况。
SilM266x电荷泵电容的选择
综上各种情形，一旦总充放电MOSFET的等效输入电容超过12nF，建议电荷泵电容必须从470nF电容容值增加，同时要满足电荷泵电容（CVDDCP）大约是40倍的MOSFET总输入电容（CL）和。实际测试结果都是基于来自威兆半导体的MOSFET完成，具体型号为VSP004N10MS-G，该MOSFET的输入电容约为4.24nF。随后，通过将单个MOSFET的输入电容按5nF来计算CL，以考虑实际MOSFET输入电容的参数偏差。值得注意的是，随着电荷泵电容的增加，电荷泵输出电压VDDCP的启动时间也会越长。实际应用中，必须考虑VDDCP电压启动时间变长带来的影响，建议CHG_EN和DSG_EN控制在VDDCP完全建立后再进行控制MOSFET开启操作。
表1显示了不同数量MOSFET应用情况下，VDDCP电荷泵电容大小的参考值。
本文测试中所用的MOSFET：VSP004N10MS-G， N-channel， Ciss：4.24nF，VDS：100V，ID：135A。
本文测试启动时会同时开启充电MOSFET和放电MOSFET，即CH_EN和DSG_EN短接在一起。另外，如下测试也会分两种不同的情形进行试验，即：一是CP_EN已经提前开启电荷泵，再来开启充电MOSFET和放电MOSFET。另一种情形是，电荷泵的开启受CHG_EN或DSG_EN控制, VDDCP电压建立过程中同时开启CHG和DSG输出电压。
实验示意图
实验测试结果
1个充电FET（1xCFET）和1个放电FET（1xDFET）串联
FET排列：1个充电FET（1xCFET），1个放电FET（1xDFET）串联。
测试条件：VBAT=48V，CVDDCP=0.47μF，输出带载5A。
2个充电FET（2xCFET）和2个放电FET（2xDFET）串联
FET排列：2个充电FET（2xCFET），2个放电FET（2xDFET）串联。
测试条件：VBAT=48V，CVDDCP=1uF，输出带载5A。
4个充电FET（4xCFET）和4个放电FET（4xDFET）串联
FET排列：4个充电FET（4xCFET)，4个放电FET（4xDFET）串联。
测试条件：VBAT=48V，CVDDCP=2.2μF，输出带载5A。
8个充电FET（8xCFET）和8个放电FET（8xDFET）串联
FET排列：8个充电FET（8xCFET），8个放电FET（8xDFET）串联。
测试条件：VBAT=48V，CVDDCP=4.7μF，输出带载5A。
12个充电FET（12xCFET）和12个放电FET（12xDFET）串联
FET排列：12个充电FET（12xCFET），12个放电FET（12xDFET）串联。
测试条件：VBAT=48V，CVDDCP=4.7μF，输出带载5A。
15个充电FET（15xCFET）和15个放电FET（15xDFET）串联
FET排列：15个充电FET（15xCFET），15个放电FET（15xDFET）串联。
测试条件：VBAT=48V，CVDDCP=10μF，输出带载5A。
总结
SiLM266x的电荷泵可能因为高边驱动的负载电容过大，或者启动过程中的冲击电流过大而造成电荷泵输出电压无法正常建立，从而影响MOSFET的开启。实际应用时，根据MOSFET使用数量和输入电容，建议遵循表1中的理论最小值来配置合适的电荷泵电容值，并通过实际的实验结果验证。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由玉鹤甘茗转载自数明半导体公众号，原文标题为:应用笔记 丨 SiLM266x电荷泵电容配置，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
美丽微半导体（FORMOSA）MOSFET选型指南
Company Introduction MOSFETs Product Map N Channel MOSFET N Channel Trench MOSFET N Channel Planar MOSFET N Channel Super Junction MOSFET N Channel Small Signal MOSFET P Channel MOSFET P Channel Trench MOSFET P Channel Planar MOSFET P Channel Small Signal MOSFET FRED MOSFET Combo Mosfet
美丽微半导体 - N CHANNEL– SUPER JUNCTION MOSFET,N沟道–TRENCH MOSFET,MOSFET,FRED MOSFET,DUAL N+ DUAL P MOSFET,超级结MOSFET,N CHANNEL–SMALL SIGNAL MOSFET,N CHANNEL – PLANAR MOSFET,P CHANNEL–FRED MOSFET,SMALL SIGNAL MOSFET,双N MOSFET,MOSFETS,N CHANNEL–SUPER JUNCTION MOSFET,N沟道–FRED MOSFET,双P MOSFET,P CHANNEL – SMALL SIGNAL MOSFET,P CHANNEL – FRED MOSFET,P CHANNEL–PLANAR MOSFET,N CHANNEL – TRENCH MOSFET,N沟道-平面MOSFET,TRENCH MOSFET,DUAL P MOSFET,N CHANNEL – SMALL SIGNAL MOSFET,快恢复二极管MOSFET,P沟道–沟槽式MOSFET,DUAL N MOSFET,沟槽MOS管,P沟道–小信号MOSFET,SUPER JUNCTION MOSFET,N CHANNEL–TRENCH MOSFET,N沟道–超级结MOSFET,P CHANNEL–SMALL SIGNAL MOSFET,组合MOSFET,N沟道–小信号MOSFET,平面MOSFET,N CHANNEL–PLANAR MOSFET,PLANAR MOSFET,P沟道-平面MOSFET,P CHANNEL – TRENCH MOSFET,N CHANNEL–FRED MOSFET,N CHANNEL – FRED MOSFET,P沟道–FRED MOSFET,双N+双P MOSFET,COMBO MOSFET,P CHANNEL – PLANAR MOSFET,N+P MOSFET,P CHANNEL–TRENCH MOSFET,小信号场效应管MOSFET,FMOSP30P06,FMOSB3205,FMOSU06N90,FMOSU07N70B,FMOSP03N65,FMOSP3025A,FMOSPF10N90,FMOSP03N60,FMOSU07N70A,FMOSP40N10,FMOSU410,FMOSPFA05N60,FMOSP40N15,FMOSP03N70,FMOSAJ2352,FMOSU05N60KA,FMOSP04N60KA,FMOSU002NM65,FMOSU413,FMOSP04N60KB,FMOSP04N60KC,FMOSU08N50B,FMOSPFA05N65,FMOSP10N65K,FMOSUA09NM65,FMOSPFA02N65KA,FMOSP15N60,FMOSU830KA,FMOSU830KB,FMOSAC50P04,FMOSPF10N80,FMOSU21P04A,FMOSD36N10,FMOSAJ2340,FMOSU420,FMOSD630A,FMOSAC60N03,FMOSAC60N06,FMOSAC60N05,FMOSPFA05N50,FMOSP02N40K,FMOSU012N60Q,FMOSU03N25Z,FMOSB20N06,FMOSD02N30Z,FMOSP12N25V,FMOST01NM65,FMOSB09P10,FMOST01NM60,FMOSD08N40K,FMOSPX23N50E,FMOSU90N03A,FMOSPFA05N80,FMOSAC08NM65B,FMOSU80N06,FMOSP17N50K,FMOSU9435,FMOSA01N70,FMOSPF10N65,FMOSU01N60Q,FMOSAG03N25Z,FMOSPF10N60,FMOSU45P03,FMOST01NM70,FMOST16N15,FMOSU408,FMOSPFA03N60K,FMOSU01N60Z,FMOSQ07N10A,FMOSU80N10,FMOSPFA05N70,FMOSU02N40K,FMOSU08NM70A,FMOSU01N60A,FMOSAJ2305A,FMOSAJ4502,FMOSAJ2321,FMOSU405,FMOSU55N03,FMOSAC25P10,FMOSU01N60K,FMOSQ30N10,FMOSAC03N06,FMOSU06N50,FMOSU454,FMOSK05P04M,FMOSD24N06,FMOSAJ2312,FMOSAC03N10,FMOSAJ2316,FMOSU21P04,FMOSD03N100,FMOSU452,FMOSG1333,FMOSL654,FMOSQ30N04,FMOSU43N03,FMOSU18N25,FMOSA05N10,FMOSU10N65C,FMOSL8205,FMOSU06N65,FMOSPW60N10M,FMOSU09NM50A,FMOSU06N60,FMOST005N65,FMOSPFA05N90,FMOSPW33N25,FMOSP06N65KA,FMOSP03N40KA,FMOSD12N10,FMOSAJ2302,FMOSAJ2301,FMOSAG12NP03,FMOSAJ2304,FMOSAG05P04M,FMOSAJ2306,FMOSQ30N06,FMOSAJ2305,FMOSAJ2308,FMOSPF24NM65,FMOSQ4509,FMOST04N20,FMOSAJ2309,FMOSU06N70,FMOSPX60NM60,FMOSB07N70,FMOST04N03,FMOSPFA10N60Z,FMOSAJ015N10,FMOSAJ9435HZ,FMOSA05N06,FMOST02N60Q,FMOSPX60NM65,FMOSP64N04,FMOSU05NL70,FMOSB76N15,FMOSK02P06,FMOSU436,FMOSD01N50A,FMOSAG16N15,FMOST02N60K,FMOSPFA10N60K,FMOSD01N50K,FMOSUA3004,FMOSAG16N10,FMOST02N60D,FMOSU06N80,FMOSK302,FMOSU12N25V,FMOSPFA730K,FMOSB07N65,FMOSPW90N10,FMOSAG04N30,FMOSPFA10N60A,FMOST04N20Z,FMOSAC2003,FMOSAC5504,FMOSU02NM50A,FMOS1013T,FMOSPF08N40K,2N7002E,FMOSD28N03,FMOSU06N10,FMOSB540,FMOSU05N25Z,FMOSPF10N90B,2N7002T,FMOSD18P06,FMOS001P20,FMOSAC80N03,FMOSAC80N06,FMOSK351,FMOSU60N10M,2N7002K,FMOSPFA05N65A,FMOSP50P10,FMOS1012T,FMOSAG28N03,FMOSP08N100,FMOSPFA05N65K,FMOSAI2158,FMOSAC80N09M,FMOSPFA01N90,FMOSK04N10,FMOSU09N70A,FMOSD16N10,FMOSU03N65A,FMOSP60N10,FMOSU03N65B,FMOSU03N65C,FMOS002P06E,FMOSAJ6302,FMOSL606P,FMOST005N25,FMOSPFA10N65Z,FMOS001P10,FMOSP3025,FMOSD04N40,FMOSP03N06,FMOSAG3404,FMOS047N03,FMOSQ4953A,FMOSAG3400,FMOSPFA10N65A,FMOSPFA10N65K,FMOSU04NM60A,FMOSPX60N10,FMOSAG3409,FMOSU75N03,FMOSP60N03,FMOSP740A,FMOSAC2054,FMOSP60N05,FMOSP60N06,FMOSU08P03,FMOSP60N08,FMOSPWA24NM65,FMOSUC50P10,FMOSPWA24NM60,FMOS001P03,FMOSU18N20,FMOSP5210,FMOSPFA02N40K,FMOST02P50,FMOSAI0015N03,FMOSAP410,FMOSQ80N09M,FMOSP50P06,FMOSK9435H,FMOSD75P03,FMOSPFA50N06,FMOSU06N40,2N7002Z,FMOSAC80N07A,2N7002W,FMOSAJ4101,FMOSD04N60,FMOSAC45P03,FMOSAM7401,FMOSAC80N10,FMOSU484,FMOSPX80N06,FMOSA01N60,FMOSA01N65,FMOSAC23N15,FMOSAC55N06,FMOSAC6401,FMOSAC6402,FMOSU02N90,FMOSAM351,FMOSP15N06,FMOSM2311,FMOSB8010,FMOSAM3055,FMOSP06N90Z,FMOST005NM70,FMOSQ02NM65A,FMOSB15N65,FMOSQ10N10,FMOSU07NL70,FMOSAJ035N10,FMOSAC2305A,FMOSPFA17N50K,2N7002DW1,FMOSD40N025,FMOST005NM65,FMOST005NM60,FMOSM2305,FMOSH008N02Z,FMOSD03N50K,FMOST02P40,FMOSP15N10,FMOSAG2513,FMOSD02N70A,FMOSAC108N03,FMOSD02N70K,FMOSPFA03N65K,FMOST01N40A,FMOSHBSS84ZT,FMOSP15N25,FMOSB30P06,FMOSP15N20,FMOSAM001P03,FMOSPFA04N100A,FMOSU01N65Q,FMOSAG2502,FMOSAM02N10,FMOSU06NM60A,FMOSPX24NM60,FMOSU04NM65A,FMOST12N10,FMOSAJBSS139Z,FMOSPX11N80,FMOSACBSS84Z,FMOSP17P10,FMOSQ09N10,FMOSP17P12,FMOS2302A1,FMOSAC3416A,FMOSG001P03,FMOSU15N06,FMOSD05N65K,FMOSD34,FMOSAG10P02,FMOS3418V,FMOSB36N10,FMOSU02N65KA,FMOST9971P,FMOSD05N65B,FMOSU09NM50,FMOSD05N65A,FMOSU03N10,2N7002KW,FMOSAG20N03,FMOSPFA20NM65,FMOS01P10,FMOSQ25N10,FMOSU15N10,FMOSU12N60K,FMOSPFA830,FMOSP9530,FMOSAG3458,FMOSK9435HZ,FMOSQ9930M,FMOSP13N40K,FMOSU03N30,FMOSPW08N120,FMOSQ5003Z,FMOSU03N25,FMOST02P06,FMOSAJ2035Z,FMOS2303P,FMOSPFA07N65A,FMOSP6016,2N7002KA,FMOSPFA07N65C,FMOSAG3008,FMOSAJ001P03,FMOSAG3006,FMOSB12N65,FMOSAG2158,FMOSU03N70B,FMOSU04N50Z,FMOSU03N70C,FMOSAP01N10,FMOSAC001P03,FMOSU15N25,FMOSU05P20,FMOSAM410,FMOSU03N70A,FMOSD90N02,FMOSU15NM70A,FMOSD90N03,FMOS2302T,FMOSU04N50D,FMOSQ50N03,FMOSU15N30,FMOSU17P10,FMOSU04N50B,FMOSPF05N50A,FMOS2302W,FMOSPFA05N60KA,FMOSP634,FMOSAF21NM70,FMOSAMBSS84Z,FMOSD40N03A,FMOSU03N50,FMOSU06N10Z,FMOSAC2035Z,FMOS2301T,FMOSU34,FMOSAM4414,FMOSP06N60KA,FMOSPFA05N60A,FMOSP630,FMOSQ15P03,FMOSU15N20,FMOSQ15P04,FMOSA005NM65,FMOSG7401,FMOSPFA20NM70,FMOS2301W,FMOSA005NM60,FMOSU60N10,2N7002KWAI,2N7002KWAG,FMOS2301A,2N7002KWAL,2N7002KWAM,2N7002KWAJ,FMOSU50P06,FMOSAC6006,FMOSU11NM65,2N7002KWAC,FMOSU09NM95,FMOSPFA06N40K,FMOSAJ6354,FMOSU50P04,2N7002KWAP,FMOSD04N70,FMOSPFA,2N7002KWAN,FMOSP730K,FMOSU80N075A,FMOSP12N10,FMOSU40N025,FMOST02NM65A,FMOSAC75N06,FMOSAG3416,FMOSAG3413,FMOSP05N70K,FMOSA9435HZ,FMOSAC6016,FMOSAG3419,FMOSAG3418,FMOSAC75N03,FMOSAG40N025,FMOSPX15NM65,FMOSQ4812Z,FMOSU60N06,FMOSD04N80,FMOSAG3443,FMOSU09NM70,FMOSP12N65A,FMOSP12N65B,FMOSP36N05,FMOSPW460,FMOSPFA13N65,FMOSD04N90,FMOSD06N40A,FMOSAC035N10,FMOSPF13N40K,电机控制,计算,照明,NOTEBOOK,电力银行,SWITCHING APPLICATIONS,S.R. QUICK CHARGER,QUICK CHARGER,不间断电源,交流/直流,INVERTERS,NET WORK,UPS,DC FAN,电池组,SMPS ADAPTER QUICK CHARGER,MOTOR,切换应用程序,POE,LED LIGHTING,MOTOR CONTROL,显示,DRIVES,UPS POWER INVERTER,DC TO DC CONVERTER,倒相器,CALCULATIONS,英国材料学会,INDUSTRIAL CONTROL,POWER BANK,AC/DC,驱动器,音频放大器,电池供电应用,马达,S.R.快速充电器,电信,网络工作,UPS电源逆变器,笔记本,开关控制,POWER SWITCH,BATTERY-POWERED APPLICATIONS,AUDIO AMPLIFIER,LIGHTING,电源开关,坡,SWITCH CONTROL,工控,BALLAST,LED照明,TELECOM,BATTERY PACK,镇流器,直流风扇,SMPS适配器快速充电器,B.M.S,DISPLAY,直流到直流转换器
SILM27212 170 V、4 A峰值、高频高端和低端驱动器
SiLM27212是一款高频N沟道MOSFET驱动器，包含170V自举二极管和高侧和低侧驱动器，具有独立输入以实现最大控制灵活性。该产品适用于半桥、全桥、两开关正向转换器和主动钳位正向转换器中的N沟道MOSFET控制。
数明半导体 - 高频N沟道MOSFET驱动器,高频高端和低端驱动器,HIGH-FREQUENCY HIGH-SIDE AND LOW-SIDE DRIVER,HIGH-FREQUENCY N-CHANNEL MOSFET DRIVER,SILM27212LCA-DG,SILM27212,SILM27212EK-DG,SILM27212LEK-DG,SILM27212CB-DG,SILM27212LCB-DG,SILM27212L,SILM27212CA-DG,电信,POWER SUPPLIES,高压同步BUCK变换器,两个开关正激变换器,全桥变换器,数据通信,CLASS-D AUDIO AMPLIFIERS,DATACOM,MERCHANT,HIGH VOLTAGE SYNCHRONOUS-BUCK CONVERTERS,有源箝位正激变换器,半桥变换器,推挽变换器,电源,FULL-BRIDGE CONVERTERS,TWO-SWITCH FORWARD CONVERTERS,TELECOM,PUSH-PULL CONVERTERS,ACTIVE-CLAMP FORWARD CONVERTERS,D类音频放大器,HALF-BRIDGE CONVERTERS,商人
DI001N65PTK N沟道功率MOSFET
本资料介绍了DI001N65PTK型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关时间、小尺寸封装等特点，适用于电源校正（PFC）、反激转换器、直流驱动等领域。
DIOTEC - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,DI001N65PTK-AQ,DI001N65PTK,COMMERCIAL,返驰转换器,INDUSTRIAL,电源,商业的,FLYBACK CONVERTERS,POWER SUPPLIES,工业,DC DRIVES,直流驱动器
SLM27211 120 V、4 A峰值、高频高压侧和低压侧驱动器
SLM27211是一款高频N沟道MOSFET驱动器，具备120V自举二极管和高侧和低侧驱动器，具有独立输入以实现最大控制灵活性。该产品适用于半桥、全桥、两开关正向转换器和主动钳位正向转换器中的N沟道MOSFET控制。高侧和低侧栅极驱动器可独立控制，并匹配至2ns的开启和关闭延迟时间。片上自举二极管消除了外部离散二极管的需求。
数明半导体 - 高频N沟道MOSFET驱动器,高频高端和低端驱动器,HIGH-FREQUENCY HIGH-SIDE AND LOW-SIDE DRIVER,HIGH-FREQUENCY N-CHANNEL MOSFET DRIVER,SLM27211,SLM27211EK-DG,SLM27211EL-7G,SLM27211CA-DG,SLM27211CB-DG,电信,POWER SUPPLIES,高压同步BUCK变换器,两个开关正激变换器,全桥变换器,数据通信,CLASS-D AUDIO AMPLIFIERS,DATACOM,MERCHANT,HIGH VOLTAGE SYNCHRONOUS-BUCK CONVERTERS,有源箝位正激变换器,半桥变换器,推挽变换器,电源,FULL-BRIDGE CONVERTERS,TWO-SWITCH FORWARD CONVERTERS,TELECOM,PUSH-PULL CONVERTERS,ACTIVE-CLAMP FORWARD CONVERTERS,D类音频放大器,HALF-BRIDGE CONVERTERS,商人
【产品】40V，60A的N沟道功率MOSFET，零门极电压漏电流最大仅1uA
新电元的P60B4EL是一款N沟道功率MOSFET，其导通延迟时间td（on)典型值为10ns，静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为4.6mΩ（ID＝30A,VGS＝4.5V），主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
DI048N08PQ N沟道功率MOSFET
本资料介绍了DI048N08PQ型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于直流转换器、电源供应、电机驱动等领域。
DIOTEC - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,DI048N08PQ-Q,DI048N08PQ,DC/DC CONVERTERS,SYNCHRONOUS RECTIFIERS,POWER TOOLS,DC/DC转换器,电动工具,POWER SUPPLIES,DC DRIVES,COMMERCIAL,INDUSTRIAL,电源,同步整流器,商业的,工业,直流驱动器
【产品】400V，9A的高压N沟道功率MOSFET，大功率电路设计首选
新电元的P9B40HP2是一款SMD封装的N沟道功率MOSFET，兼具小尺寸、低噪音等优点，其结壳热阻θjc最大值仅为3.12℃/W，可用于开关电路、驱动器、逆变器等电子电路中。
【产品】带4.5V栅极驱动的工业级N沟道MOSFET P32FG15SL
P32FG15SL是日本新电元公司推出的一款工业级N沟道MOSFET，具有低静态导通电阻、低电容的特点，4.5V栅极驱动，拥有更好的包封和阻燃性能。可应用于继电器驱动，逆变器，DC-DC转换等应用。
DIW085N06 N沟道功率MOSFET
本资料介绍了DIOTEC公司的DIW085N06型号N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于直流/直流转换器、电源供应、直流驱动、电动工具等商业和工业级应用。
DIOTEC - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,DIW085N06,DIW085N06-Q,COMMERCIAL,INDUSTRIAL,DC/DC CONVERTERS,电源,商业的,POWER TOOLS,DC/DC转换器,电动工具,POWER SUPPLIES,工业,DC DRIVES,直流驱动器
机器人项目中帮忙推荐一款H桥门驱动器，对标DRV8701，优先考虑国产方案，可接受功能替代。
您好，可以评估看看类比半导体的DR702Q，单H桥门驱动器，驱动四个外部N沟道MOSFET，5.5V至55V工作电源电压范围 https://www.sekorm.com/doc/3657022.html
DIW030N65K N沟道功率MOSFET
本资料介绍了DIOTEC公司的DIW030N65K型号N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、快速开关时间等特点，适用于直流/直流转换器、电源供应、直流驱动器和电动工具等领域。
DIOTEC - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,DIW030N65K,COMMERCIAL,INDUSTRIAL,DC/DC CONVERTERS,电源,商业的,POWER TOOLS,DC/DC转换器,电动工具,POWER SUPPLIES,工业,DC DRIVES,直流驱动器
【产品】50V，80A的N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值仅为3mΩ
新电元的P80FH5ENK 是一款由FH封装的N沟道功率MOSFET，它拥有结壳热阻小，静态漏源导通电阻低，开关速度快以及电容低等优势，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
【产品】50V抗雪崩N沟道MOSFET，单脉冲雪崩能量达245mJ
新电元的P70F5EN是一款采用FTO-220AG三引脚绝缘封装的N沟道MOSFET，其主要优势在于拥有低静态漏源导通电阻以及极高的单脉冲雪崩能量，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
DI080N10PQ N沟道功率MOSFET
本资料介绍了DI080N10PQ型N沟道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。该器件适用于直流/直流转换器、电源供应、直流驱动、电动工具、同步整流器等领域。
DIOTEC - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,DI080N10PQ-AQ,DI080N10PQ,DC/DC CONVERTERS,SYNCHRONOUS RECTIFIERS,POWER TOOLS,DC/DC转换器,电动工具,POWER SUPPLIES,DC DRIVES,COMMERCIAL,INDUSTRIAL,电源,同步整流器,商业的,工业,直流驱动器
【产品】高耐压低噪声的600V/0.5A的MOSFET
新电元的P0R5B60HP2是一款SMD封装的N沟道耐高压MOSFET，总门极电荷Qg典型值仅为4.3nC，有着较好的开关性能。可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
电子商城
品牌：数明半导体
品类：High-Frequency High-Side and Low-Side Driver
价格：￥2.5883
现货： 47
品牌：数明半导体
品类：High-Frequency High-Side and Low-Side Driver
价格：￥2.5883
现货： 0
品牌：数明半导体
品类：Single-Channel, High-Speed, Low-Side Gate Driver
价格：￥0.7059
现货： 44,171
现货市场
服务
可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量： 100000 提交需求>
可定制变压器支持60W-600W范围，额定电流最高10A，漏感稳定度最小3%；支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论