采用明芯微高边开关MX74502D23的具有高侧控制的低功率Oring电路分析
在Oring的应用电路中，有一种应用场景，当充电器供电存在的时候，客户总是希望充电器供电，无论电池电压高于或者低于充电器电压，都希望电池处于待机状态，优先充电器供电，并且要求电池的静态功耗足够低，甚至是小于10μA，当充电器不存在的时候，电池开始供电， 并且要求充电头不带电。
下面就是采用无锡明芯微超低静态功耗的高边开关MX74502D23和集成功率MOSFET的理性二极管的一个具体的引用案例，就很好的满足了如上客户的要求。
如下图，客户的工作电压是2节电池，电影是是6到8.4V，充电器电压是5V到12V。
当充电器电压VBUS在5V~12V的时候，通过理想二极管MX5052SL给输出Vout供电，无论VBUS电压是5V还是12V，这时候都开启了2N7002K的MOSET，把高边开关MX74502D23的EN引脚拉低，关断Q3功率管，只采用VBUS 5V~12V的供电，同时由于U3的存在，VBUS 5V~12V不会倒灌到输入电池端。
当VBUS 5V~12V不存在的时候，U4的使能被拉高，开启Q3 MOSFET，让电池供电，并开启U3理想二极管。这时候U5理想二极管由于VBUS不存在，Out电压比In的高，理想二极管U5截至，截至的静态功耗小于1μA。
该应用电路，由于受到MX5052SL的低电压限制，只能应用在30V及其以下的场景，如果想要扩展到100v的应用，由于MX74502D23是100V耐压，只是需要更好理想二极管，改为无锡明芯微的100V的理想二极管MX74700T或者MX16171D100加外接功率MOSFET, 或者直接采用集成功率MOSFET的MX5050TL10R25。
MX74502D23的产品特定描述
MX74502D23控制器与外部背对背连接的N沟道MOSFET配合工作，可实现低损耗反极性保护和负载断开的解决方案。该器件也可以配置为具有过压保护功能的负载开关，用于驱动高侧MOSFET。3.2V至90V的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如，12V、24V和48V输入系统）的控制。该器件可以承受并保护负载免受低至-90V的负电源电压的影响。
MX74502D23控制器为外部N沟道MOSFET提供电荷泵栅极驱动。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约1μA的电流，从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。MX74502D23还具有可编程的过压保护和欠压保护功能，可在发生故障时将负载从输入源切断。这些器件采用8引脚DNF2*3-8L封装，额定工作温度范围为-40℃至+150℃。
特性
◆ 3.5V至90V输入范围（3.9V启动）
◆ -90V反向电压额定值
◆ 集成电荷泵用于驱动
外部背对背N沟道MOSFET
外部高侧开关MOSFET
外部反极性保护MOSFET
◆ 2.3A峰值栅极灌电流能力
◆ 8mA峰值栅极驱动1拉电流能力
◆ 使能引脚特性
◆ 150μA典型工作静态电流（EN=高电平）
◆ 1μA关断电流@12V input（EN=低电平）
◆ 可调节过压和欠压保护
◆ -40℃至+125℃环境工作温度范围
采用8引脚DFN2*3-8L封装
MX5052SL的主要特征如下
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