TMC科普课堂系列——解析MOS管的判定、连接要点、开关条件、重要参数等
1. 三个极怎么判定
G极（gate）—栅极，不用说比较好认。
S极（source）—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是DS极。
D极（drain）—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。
2. N沟道还是P沟道
箭头指向G极的是N沟道 ；
箭头背向G极的是P沟道。
3. 寄生二极管方向如何
4. MOS管用作开关时在电路中的连接关键点：
确定那一极连接输入端，那一极连接输出端
控制极电平为？V时MOS管导通
控制极电平为？V时MOS管截止
N MOS：D极接输入，S极接输出
P MOS：S极接输入，D极接输出
反证法加强理解
N MOS假如：S接输入，D接输出
由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。
P MOS假如：D接输入，S接输出
同样失去了开关的作用。
5. MOS管的开关条件
N沟道—导通时Ug>Us，Ugs> Ugs(th)时导通
P沟道—导通时Ug<Us，Ugs<Ugs(th)时导通
总之，导通条件： |Ugs|>|Ugs(th)|
6. MOS管重要参数
a. 封装（外形，与PCB散热要求密切关联）
b. 类型（极性N MOS、P MOS）
c. 耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压）
d. 导通阻抗Rds（决定Id）
e. 栅极阈值电压Vgs(th)（开启电压）
f. 输入容性阻抗值（结电容Ciss）
7. 从MOS管实物识别管脚
下面列部分封装及对应的管脚图。
8. 粗略用万用表辨别N NOS、P MOS
借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档，红表笔接S，黑表笔接D，有数值显示，反过来接无数值，说明是N沟道，若情况相反是P沟道。静电敏感元件，测试需谨慎。
9. 关于MOS反向导通
在大多数MOS的DATASHEET中，并没有给出反向导通相关参数，但反向导通的应用却是十分广泛的，在此给出我对反向导通的理解。
从上文我们可以得出结论，只要控制栅源电压使得导电沟道开启，那么漏极和源极之间即可导通。而漏极和源极在结构上看是十分对称的，因此在栅源电压控制得好，以及漏源电压没有使得体二极管导通的情况下，正向与反向导通皆可以参考数据手册中正向导通的电气参数。
那么是否存在反向导通时导电沟道和体二极管同时导通的情况呢？体二极管导通压降和导通内阻十分大，一般在栅源电压较大，使得MOS的导电沟道完全导通时，体二极管是不容易导通的，因为假设反向导通管压降能达到开启体二极管的压降，由于导电沟道的导通内阻很小，此时会产生相当大的电流，会超过MOS管的额定电流，导致MOS管烧坏。若栅源电压较小，导电沟道的导通内阻较大时，则可能出现导电沟道和体二极管同时导通的情况。
总结规律则为，在栅源电压使得MOS管不导通时，反向导通回路中，MOS等效为二极管。在栅源电压逐渐增加时，MOS反向导通压降逐渐减小，导通内阻逐渐减小。在栅源电压使得MOS完全导通时，反向导通回路中的MOS可大致等效为导线。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky转载自台懋，原文标题为:TMC 科普课堂系列 MOS 管结构，原理及基本应用(四)，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
4种常见的MOS管驱动电路
MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。本文分享几种常用的驱动电路。
开关电源MOS管的8大损耗计算及6大选型原则
在器件设计选择过程中需要对MOSFET的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形，套用公式进行理论上的近似计算）。本文介绍开关电源MOS的8大损耗计算与选型原则。
工程师必看！4种常见的MOS管栅极驱动电路
MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。本文介绍4种常用的驱动电路。
场效应晶体管技术解析，JFET与MOSFET的原理、区别及应用
FET分为JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。两者都主要用于集成电路，并且在工作原理上非常相似，但是它们的组成略有不同。让我们详细认识下两者。
台懋MOS管TM150N03NF在锂电池保护板领域的应用，扛浪涌电流可达500A
在当今这个科技飞速发展的时代，锂电池广泛应用于各类电子设备之中，从我们日常使用的手机、平板电脑，到电动汽车等大型设备，都离不开锂电池的支持。而MOS管在电池保护板中更是发挥着举足轻重的作用。台懋TM150N03NF产品在锂电池保护板领域快速响应，高效能，并联工作，IDM可达555A，提供过充，过放，过流，短路保护等功能。
台懋TM15N06S在RGB控制器领域的应用，N管内阻低于28mΩ。从而使输出功率更大，功耗更小
在当今绚丽多彩的电子世界里，RGB控制器有着至关重要的作用，它能够让各种设备呈现出千变万化的色彩组合，为我们带来视觉上的盛宴。而在RGB控制器背后，有一个低调却不可或缺的关键元件——MOS管。台懋产品TM15N06S在RGB控制器应用中的低导通压降和高开关效率，提升电路的稳定和安全性，IDM可达46A。
关于直流电机的MOS参考要点
直流无刷电机：单相电机，双相电机，三相电机1、单相电机：额定电压*1.5=选型电压2、双相电机：额定电压*2-3倍=选型电压，双相常规应用：小水泵和散热风扇3、三相电机：额定电压*1.5=选型电压，常见产品为BLDC。
关于开关电源的MOS参考要点
本文由台懋讲述在开关电源中的MOS参考要点。
台懋SGT工艺产品TMG05N10MI应用在车灯领域，内阻低于95mΩ，有助于提高车灯的能效，减少能源浪费
在汽车照明领域，车灯的性能至关重要。而MOS管在其中扮演着不可或缺的关键角色，就如同车灯的“智慧芯”，为汽车照明带来了卓越的性能提升。其原理图为： 台懋SGT工艺产品TMG05N10MI在车灯应用领域可提高电源效率、简化电路设计、提升可靠性和安全性，峰值IDM可达21A。
TMC科普课堂系列——MOS管工作原理、基本特性及极性符号解析
本文台懋详细介绍了MOS管工作原理、基本特性及极性符号。
介绍MOS管结构构造、特点及实用电路
MOS管的英文全称叫MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）， 即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型 。因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。
台懋N+P MOS TM4614C在微型电机领域的应用，N管内阻低于30mΩ，实现生活中的高速化和智能化
微型电机，是一种体积小、输出功率相对较小的电机，广泛应用于各个行业，（包括家电、汽车、信息处理设备、音响等其它特殊行业）。台懋TM4614C N+PMOS产品具有小体积，高效率，高稳定性，IDM可达23A，可广泛应用在电机领域。
台懋PDFN5*6超薄N+P MOS TM50G03NF助力扫地机器人，N管内阻低至于7mΩ
台懋PDFN5*6超薄N+P MOS TM50G03NF助力扫地机器人，N管内阻低至于7mΩ，高电流承载能力，峰值（IDM）可达到150A，产品结温范围在-55%~175%，适用环境更宽，在三相驱动器中优势明显。
大功率扫地机器人性能升级的优选方案——台懋MOS管TM50G03NF，具备较低导通电阻，IDM可达150A
在大功率扫地机器人的核心部件——直流无刷电机中，MOS管不仅起到了关键的开关作用，还通过PWM调速、过流保护等功能提高了电机的性能和可靠性。台懋科技是一家专注于中低压MOS的公司，其TM50G03NF在三相驱动器有导通电阻较低、高电流承载能力、100%UIS测试、100%Rg测试、结温范围在-55%~175%等优势。
台懋半导体MOS管拥有高速信号处理能力，实现精准色彩把控与节能增效，在RGB控制器中表现卓越
MOS管默默支撑着RGB控制器的高效运转，台懋半导体MOS管更是其中的佼佼者，它拥有高速信号处理能力，精准把控色彩，实现节能增效，具有超强环境适应能力。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可定制单位/双位/三位/四位LED数码管的尺寸/位数/发光颜色等性能参数，每段亮度0.8~30mcd，主波长470~640nm，电压2~10.2V。
最小起订量： 1000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论