2A单通道低侧同相栅极驱动芯片NSG44273,输入输出同相位,兼容3.3V输入逻辑

2024-11-08 NCE(无锡新洁能股份有限公司公众号)
低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器,NSG44273,NCE 低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器,NSG44273,NCE 低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器,NSG44273,NCE 低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器,NSG44273,NCE

NCE推出的NSG44273低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。



产品特性

●PIN2PIN替换Infineon IR44273L

●输入输出同相位

●兼容3.3V输入逻辑

●工作范围:5V~25V

●高电容负载驱动能力:

在1nF负载时,开关时间<100ns 宽温度范围:-40℃~125℃

●欠压锁定

欠压锁定正向阈值4.0V

欠压锁定负向阈值3.9V

●驱动电流能力:

拉电流/灌电流=2A/2A

●SOT23-5封装

功能框图


推荐应用范围

家用空调


电机驱动


工业吊扇的PFC电路


开关电源


典型应用电路


竞品参数对比


NCE产品相比国外同型号产品电流能力更大,可以驱动更大电流的功率管。


拉灌电流测试数据


拉电流测试



灌电流测试

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产品型号
品类
封装/外壳/尺寸
车规级/工业级
Technology
Polarity
BVDSS(V)
ID(A)
VTH(V)
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
VGS(th)(V)
CISS(pF)
QG(nC)
PD(W)
NCE12P09S
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
SOP-8
工业级
Trench
P
-12
-9
-0.7
11.5
18
14
22
±12
2700
35
2.5

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产品型号
品类
Package
IC(A) Tj=100℃
VTH-Typ(V)
VCE(sat)(V) @VGE=15V Typ
VCE(sat)(V) @VGE=15V Max
Switching Frequency
Voltage(V)
NCEM40W120HA34
IGBT Module
34mm
40
5.5
2
2.4
10~40KHz
1200

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NCE  -  N沟道超沟道功率MOSFET,N-CHANNEL SUPER TRENCH POWER MOSFET,NCE,NCEP0210Q,HIGH-FREQUENCY SWITCHING,DC/DC变换器,高频开关,DC/DC CONVERTER

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产品型号
品类
封装/外壳/尺寸
V(BR)CES (V)
IC(A)100℃
PD(W)25℃
VGE(V)
VTH(V)Typ
VCE(sat)(V)@VGE=15V, 25℃ Typ
VCE(sat)(V)@VGE=15V, 25℃ Max
Switching Frequency
Tsc(us)
NCE15TD120BT
Trench FS II Fast IGBT
TO-247
1200
15
300
±30
5.5
1.55
1.8
1~20KHz
10

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品牌:NCE

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品牌:NCE

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