【元件】中瑞宏芯半导体1200V 14mΩ SiC MOSFET正式发布，175℃、800V下短路3.5μS安全通过

时间： 2024-11-07 来源：macrocore semiconductor（中瑞宏芯半导体公众号）

技术问答

近日，随着可靠性测试的完成，中瑞宏芯正式发布1200V/14mΩ SiC MOSFET新产品——HX1M014120K的量产计划，成为国内极少数可批量提供该规格大电流低导通电阻SiC MOSFET产品的半导体厂商之一。

产品主要参数与国内外主流产品对比如下表所示：

以上各项数据均可看出，中瑞宏芯SiC MOSFET产品主要静态和动态参数与国际主流产品不相上下。且与国内友商相比，我司配套供应链材料、外延、制造与封装测试等相关制程均符合IATF 16949认证，并可单独提供完整的车规级MOSFET产品筛选以达到更高规格一致性要求。

该产品应头部合作车企的要求，于2022年Q3开始研发，Q4开始下线、测试等工作。考虑到承载更大电流的特性，当下优先推出了TO-247-4L的封装形式，可以满足光伏储能、新能源车、超级充电桩等相关工业领域的诸多需求。

值得一提的是在驱动电压方面，中瑞宏芯做到与国际一流产品相匹配，在客户端应用方面可以实现更好的兼容性。此外，HX1M014120K在短路耐受方面也有良好提升，175℃、800V下短路3.5μS安全测试表现，意味着在桥式结构电路应用上的更高可靠性。

短路能力曲线：175℃、800V下短路3.5μS安全通过

中瑞宏芯半导体自成立以来，本着对产品性能提升的执着追求，凭借雄厚的技术实力，不断取得SiC JBS和SiC MOSFET研发及产品的突破，目前已形成650V/750V/1200V/1700V完整的产品系列，单从1200V MOSFET来看，就已经成功实现了1200V/14mΩ、1200V/17mΩ、1200V/22mΩ、1200V/40mΩ、1200V/60mΩ、1200V/80mΩ六款产品的量产，针对不同细分市场提供更专业的产品和解决方案，且产品性能均达到国际一流水平，可实现SiC器件的国产替代。

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