碳化硅器件在PD快充/工业电源中的应用及典型拓扑架构
一、应用概述
PD快充
随着智能手机等设备的功能升级和屏幕变大,耗电量成为用户的最大烦扰,对充电器快速充电的需求也越来越迫切。随着充电器充电功率的不断增加,使得基于Si器件的充电器体积也越来越大,对日常的使用和携带带来了不便。而SiC Diode可助力充电器实现更高的效率和更小的体积,逐渐在消费电子市场中崭露头角。另在大功率电源产品中,SiC Diode主要用于PFC的升压整流,其搭配GaN功率器件,可以将PFC的工作频率从不足100KHz提升到300KHz以上,从而不仅可以减小升压电感体积,实现高功率密度的设计,同时也让电源效率得到大幅增加。
工业电源
工业开关电源是利用电力电子技术,控制功率器件开通和关断的时间比,从而稳定输出电压。工业开关电源一般由PWM控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新,使得开关电源技术也在不断地创新升级。目前,开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用于几乎所有的电子产品,是当今电子信息产业快速发展不可或缺的配件。
电源如同电脑的心脏,为各硬件供能。如今不断进步的技术使得电脑CPU的总功耗持续降低,然而随着GPU功耗的不断提升,电脑整体功耗给电源带来了新的挑战。同时,OEM对PC电源更小体积和DIY市场的更好性价比需求也是必不可少的。 以上基于碳化硅器件的PFC升压转换器,能够在使用更少器件数的前提下,实现更高的功率密度,进而达到最高98%的能效。
二、应用方案及典型拓扑架构
1、PD快充典型拓扑架构:
2、工业电源典型拓扑架构:
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基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
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【元件】基本半导体Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块——革新您的电源体验
基本半导体Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块不仅在材料选择上具有领先优势,其内置的高性能器件也确保了其在高效能电源转换领域的领先地位。无论是对于设计者还是终端用户而言,PcoreTM2 E2B模块都是提升系统性能、可靠性和经济性的优选方案。
芯众享推出DFN5*6和DFN8*8封装的快充PFC电路专用碳化硅二极管,最高工作温度可达175℃
芯众享针对USB PD快充推出了两款超薄封装的碳化硅二极管,助力高功率密度快充产品的开发。该两款器件参数均为650V耐压,Tc=155℃时连续正向电流为6A,封装分为DFN8*8和DFN5*6。几乎无反向开关损耗的特性,可显著提高系统能效。
萨科微碳化硅MOS管性能如何?——具有优异的电气特性和高温环境下的稳定性
萨科微的碳化硅(SiC)MOS管的确具有许多优异的特性,使其在高性能和恶劣工作环境下的应用非常适合。
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可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
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