碳化硅功率半导体在新能源汽车领域的应用

2024-11-08 macrocore semiconductor官网
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新能源汽车是“中国制造2025”战略的重点领域之一。在未来5年内,中国将超越美国,成为全球最大的电动汽车市场。中瑞宏芯在制造碳化硅器件领域的专有技术能够为电动汽车应用提供完整的解决方案。中瑞宏芯的产品可用于新能源汽车OBC、HV-LV DC-DC转换器、电驱逆变器、充电桩及电动空调压缩机控制器、PTC加热器等。


OBC

如今电动汽车变得越来越普遍,但是许多消费者仍然对续航里程和充电时效感到担忧。几十年来,消费者的驾驶体验一直由化石燃料驱动,加油意味着在加油站快速停车且很快加满油箱,而漫长的充电过程使您的电动汽车在路上行驶或被限制使用独立充电站的前景是巨大的影响因素。


车载充电机是保持电动汽车供电的关键——它们从车主家中获取交流电并将其转换为直流电为电池充电,但是传统的硅已经使这些系统在输出、尺寸和速度方面都非常有限,而碳化硅器件却能弥补硅器件的不足。   


车载DC/DC变换器

所有乘用车车辆都有12V电池(用车车辆使用24V电池)。12V电池为T-BOX、座椅、窗户、雨刷电机和除霜加热器等提供动力。电动汽车和混合动力汽车已经没有充电发电机。12V电池依靠电动汽车的高压母线进行降压充电。移相全桥和LLC拓扑是DC/DC变换器设计中常用的拓扑结构。功率等级在1.8KW到3千瓦之间。由于副边输出是12V,同步低压MOSFET整流可以达到99%的效率。这使得整个设计可以装在一个小铝盒内,而无需使用任何强制冷却。对于800V母线电压,SiC MOSFETs是当前最合适的高频器件。


电驱逆变器

逆变器在电动汽车中扮演着极为重要的角色。逆变器将直流电源转变为交流电源,对电机进行控制。电动汽车逆变器会智能调节幅值和频率,频率控制电动汽车的速度,幅值控制汽车的动力大小。逆变设备就是汽车的大脑,在不同的驾驶情况下,能提供完美的动力供给。而碳化硅器件的特有性能,能够实现最高效率、最先进的功率密度和敏捷的响应速度。                 


充电桩

随着电动汽车的普及,消费者对电动汽车充电器/充电桩的功率和速度的要求日益提高,碳化硅器件可满足这一市场需求。比如,基于碳化硅器件的电动汽车充电桩(器)功率可达250kW,能够为用户带来相当于在加油站加油的直流充电体验。在高功率和高温环境下,碳化硅器件在效率和成本方面比当前的硅基器件表现出明显的优势。   

                                          

E-compressor电动压缩机控制器

压缩机将制冷剂压缩成高温高压的蒸汽,送入冷凝器散热然后作为高温高压液体流出进入干燥瓶,主要是将水踢出,然后进入蒸发箱。蒸发箱有一个膨胀阀,把高温高压的液体变成低温低压的蒸汽,当液体变成蒸汽时,会吸收一些热量,所以蒸发箱的温度很低,带走了车内的热量。蒸发箱中的制冷剂流回压缩机。另外最新热门的CO2热泵空调系统控制器集成了制冷和制热一体化功能,节能效率也有了明显提高。


总之,使用碳化硅器件的电动压缩机在实现更高功率的同时,体积更轻、尺寸更小,满足发动机小型化设计的需求。

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  • 123456QQ Lv4. 资深工程师 2024-11-13
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瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/驱动与控制芯片选型指南

描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司,2017 年成立于上海临港,致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,围绕 SiC 应用,为客户提供一站式芯片解决方案。

型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1

选型指南  -  瞻芯电子  - March 2024 PDF 中文 下载

爱仕特(AST)SiC碳化硅芯片及模块选型指南

目录- 公司简介和芯片/模块产品规则    芯片    模块    参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍   

型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200

选型指南  -  爱仕特  - 2021/11/26 PDF 中文 下载

国内新能源汽车未来发展,最核心的技术是什么?

近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示,2023年,中国新能源汽车销量达到了949.5万辆,同比增长37.9%。预计2024年,中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展,倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。

行业资讯    发布时间 : 2024-11-18

碳化硅功率半导体在光伏储能领域的应用概述

如今的储能系统被要求处理不常见的高水平电流,并且维持高度的可靠性和稳定性,在必要时,它们还需要快速精准地释放储存的能量,这需要高质量的宽禁带功率半导体。与传统硅器件相比,中瑞宏芯(macrocore semiconductor)的碳化硅MOSFET和Diode具有更高的性能和更低的损耗,同时允许能源系统工程师设计出更轻便的系统,从而降低整体系统尺寸和成本。

应用方案    发布时间 : 2024-11-16

【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12,封装一次铸造成型,为高速发展的新能源汽车注入动力

深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。

新产品    发布时间 : 2023-06-22

【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

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碳化硅:第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体,半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

行业资讯    发布时间 : 2024-11-11

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