Q4市场展望：企业数字转型加速，工业内存稳健发展

时间： 2024-11-08 来源：SMART Modular世迈科技公众号

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在迈入本年度第四季度之际，全球经济仍面临着机遇与挑战并存的局面。尽管美联储近期的降息措施可望让经济维持穏健增长，但通膨压力仍未消退，尤其对于高度仰赖能源的产业影响更为显着。即将到来的美国大选也为未来的经济政策、贸易形势和法规限制增添许多不确定性。同时，地缘政治造成的紧张局势持续扰乱全球贸易和供应链，连带影响存储市场的走向。

然而，受惠于AI模型与云端基础设施的广泛应用，加速了企业的数字转型，也推动各产业对存储的强劲需求。尽管市场起伏不定，在高等级效能运算解决方案需求持续带动下，工业内存的生产与销售表现依然维持穏健发展。

随着AI落地应用日渐普及，请参考存储关键应用全新市场展望和价格预测。

市场概况

2024年市场行情自第三季度开始涨势趋缓，同期九月韩国存储器芯片出口价格涨幅亦持续放缓。
第三季度虽为传统旺季，但今年已是连续第五年未能达到市场预期表现。
预估第四季度整体DRAM价格涨幅为百分之零至百分之五，而NAND Flash预计下滑百分之三至百分之八。
由于HBM及DDR5服务器内存已成为推升DRAM价格的主要动能，促使供应商全力抢攻DDR5与HBM市场。美光预估2025年的资本支出将占营收的百分之三十至百分之三十五，约为一百二十亿美元，年增率敢达百分之五十。
NAND Flash整体价格虽在第四季度呈现下滑趋势，但企业级SSD仍可望持平或上涨百分之五。
整体DRAM价格预期呈现逐季上扬态势，这可归功于HBM3e渗透率持续提升，带动均价上涨。然而，若消费性需求持续低迷，2025年整体价格涨幅恐将低于预期。

服务器市场

在第四季度服务器与工作站出货量预估将较前一季下滑百分之一点七，但仍维持近五百万台水平。
由于第三季度库存水位较高，导致美系云端服务供应商（CSP）缩减服务器采购量。
中国市场虽有复苏迹象，但对整体需求的拉货力度仍显不足。
2025年AI服务器年出货量预估将成长百分之二十八，占整体服务器市场比重将近百分之十五。
从二季度出货数据来看，通过Microsoft、Amazon、Google和Meta等ODM Direct模式出货的AI服务器占比达百分之四十四。

PC/NB市场

第四季度PC/NB出货量预估较上一季衰退百分之三点七，较去年同期微幅成长百分之一点二。
自2021年以来，第三季度已不再是PC/NB市场的传统旺季。
由于AI PC（如Intel Lunar Lake）机种尚未上市，消费市场持续观望，预计第四季度需求将维持疲软。
DRAM采购成本上升，促使库存加速去化，预计第四季度Bit采购量将呈现季减。
DDR4产品仍占库存大宗，将成为影响DDR5市场渗透速度的关键因素。

四季度DRAM市场展望

DRAM价格自去年十月以来持续上涨，但今年八月意外出现百分之二点三八的跌幅。
第四季度整体DRAM价格预估将持平或微幅上涨百分之五。
从DDR3来看，尽管三星、SK海力士和美光已缩减产能，台湾厂商仍持续扩产。面对供应增加但需求下滑的情况下，价格呈现走低态势。
DDR4价格在第四季度预计持平，但现货市场已出现跌价趋势。展望2025年，DDR4部分规格价格预估仍可小幅上升百分之一至百分之三。
第四季度服务器内存Bit需求量预计较上一季成长，主要受惠于DDR5采用率提升及上一季低基期效应。
HBM渗透率的提升可望稳定DRAM市场，对整体DRAM营收的占比预估将从2023年的百分之八上升至2024年的百分之二十一，2025年可达到百分之三十以上。
HBM每GB平均价格约为十点六美元，标准DRAM则为二点九美元。以毛利率来说，HBM预计可达百分之五十三，高于标准DRAM的百分之三十五。
SK海力士在主流HBM3产品市场持续保持头部地位，市占率超过百分之九十。

四季度NAND Flash市场展望

第四季度NAND Flash合约价预计季减百分之三至百分之八，仅企业级SSD价格维持稳定。
消费型SSD（Client SSD）合约价预计下跌百分之五至百分之十。
第三季度智能手机销量持平，移动设备用eMMC和UFS合约价在第四季度预估季减百分之八至百分之十三。
NAND Flash晶圆合约价预估在第四季度出现较大幅度衰退，降幅可达百分之十至百分之十五，且不排除进一步恶化的可能性。
中低端产品预计将首当其冲受价格下跌影响，促使三星和SK海力士等供应商转向高阶企业级SSD以提升获利。
2024年服务器应用的NAND Bit需求年增率预计将成长近七成，带动大容量QLC NAND的供给增加，并拉升原厂采用200层以上堆叠制程的比重。

DRAM/NAND Flash供需状况

DRAM供需比（Sufficiency Ratio）预估来到百分之零点六，显示第四季度供给将大于需求，市场供需平衡出现反转。
NAND Flash供需比（Sufficiency Ratio）预计达百分之六点九。由于供需比在第三季度已出现反转，加上消费市场持续疲软，导致第四季度供需差距将进一步扩大。
DRAM和NAND Flash预计到2025年一季度将持续供过于求的状况。
第三季度产能利用率大致恢复满载，再加上制程升级，带动产能小幅增加。
HBM需要高度定制化，并通过NVIDIA、AMD和ASIC供应商等合作伙伴的严格验证，相较于标准DDR产品，可大幅降低供过于求的风险。
AI服务器应用可望持续推动未来需求成长。

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