【选型】推荐高性价比的国产SIC二极管G3S12003C用于车载DC-DC,平均正向电流IF为3A
目前车载DC-DC会越来越多的用到SIC二极管,主流的以国外品牌为主,国产的泰科天润推出的单芯1200V,封装TO-252的SIC二极管G3S12003C,在Tc温度在150℃-175℃的情况下,平均正向电流IF为3A,相比国外同类型的SIC二极管,国产泰科天润的SIC二极管G3S12003C可以为设计者在保证产品性能同时又可以降低产品设计成本。
图1为G3S12003C的引脚封装图,TO-252的封装与目前主流在车载DC-DC上用的续流SIC二极管封装兼容;另外在Tc温度为140℃时,平均正向电流IF可以达到5A,Tc在150℃以上时的IF电流达到3A,可以满足当前大多数SIC二极管续流电流参数需求。
图1 G3S12003C
国产泰科天润SIC二极管的主要特性是正温度系数,易于并联使用 ;不受温度影响的开关特性 ;最高工作温度 175℃ ; 零反向恢复电流 ;零正向恢复电压,有利于效率的提升;产品的优点单极器件,极大降低开关损耗,并联器件中没有热崩溃 ,降低系统对散热片的依赖;有利于保证产品设计的特性。
综上所述国产泰科天润SIC二极管在可以满足车载DC-DC电源设计性能的要求时,相比国外品牌又可以提升高的性价比,在车载DC-DC电源设计上可以做设计者的最优选择。
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泰科天润(GPT)SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南
目录- Company Profile SiC Chip/SiC Devices
型号- G3S06506D,GW3-S12050,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G4S06508HT,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G3S06510C,G3S06510D,G5S12020A,G3S12020A,G3S06506H,G3S06510A,G4S12020D,G3S12020B,GW1-S3300.6,G3S06510B,G5S12015P,GW3-S065100,G3S06505R,G3S06004J,G3S12003R,G5S06508AT,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G5S12015A,G3S06505A,G3S12003A,G5S06510HT,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S06505H,G3S12003H,G3S06504R,G5S06510PT,G3S06520L,G3S06520H,G5S12002R,GAS06540B,G3S06560B,G3506008J,G3S12002R,G3S06520P,G3S06504C,G3S06504A,G5S06508HT,G3S06516B,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06504H,G3S06520B,G3S12002D,G5S12010A,G5S06508PT,G3S06520A,G3S06504D,G3S12002H,G3S06503R,GWA-S06520,G3S06540PP,G3S065100P,G5S06506CT,G4S06508AT,GW3-S17050,G5S06505AT,G3S06503A,GW3-S12020,G3S12040PP,G5S06508QT,G3S06503H,G5S06504QT,G4S06510HT,G3S06503C,G3S06503D,G3S06530L,G5S12020H,GW3-S06550,G4S06510PT,G4S06515AT,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06530P,G3S06502R,GW5-S12010,G3S06502A,G4S06510AT,GW3-S12010,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,GW5-S12015,G3S06530A,G3S06502D,G3S12040B,G3S06502C,GW3-S06520,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,GW3-S17010,GW5-S12002,G5S06510DT,G4S06515DT,GW3-S12002,GW3-S12003,GW3-S12005,GAS06520A,G3S17005C,GW5-S12008,G3S17005A,G3S12010H,GAS06520H,G3S06508R,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G3S17020B,GW3-S06530,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,G3S12050P,GAS06520L,GW3-S33050,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S06510AT,G3S06508D,GW3-S17005,G3S06508C,G5S12002C,G3S06508A,G5S12002A,G3S12030PP,G3S06540B,G5S12030B,G3S12010A,G3S12010B,G3S12010C,G3S12010D,G3S06508H,G3S06512B,GW1-S33001,GW1-S33002,G5S06510QT,G3S12005P,GW1-S33005,G3S06006J,G3S12005R,GW3-S06506,GW3-S06508,GW3-S06502,G3S06010J,GW3-S06503,GW3-S06504,G5S06508CT,GW3-S06505,GW5-S12020,G4S06510DT,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G3S06510M,GW3-S06510,G3S06506U,G3S06506R,G3S06510K,G3S06510L,G3S12020L,G3S06510H,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06550P,G3S06510R,G5S06508DT,G3S06510P,G3S12020U
GPT050M0120DPM1碳化硅肖特基二极管
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泰科天润碳化硅二极管选型表
提供泰科天润碳化硅二极管选型,覆盖常规封装SOD123、SMA、TO-220AC、TO-252、TO-263、TO-247等,覆盖常规功率段,晶圆尺寸:4寸/6寸,VRRM(V):650V-3300V。
产品型号
|
品类
|
晶圆尺寸
|
Package
|
Config.
|
VRRM(V)
|
IF(A)(Tc=160℃)
|
IF(A)(Tc=125℃)
|
IF(A)(Tc=25℃)
|
IFSM(A)(Tc=25℃)
|
RTH-JC(Typ.)(℃/W)
|
Qc(nc)(Tj=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=110℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
|
IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
|
IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
|
G51XT
|
碳化硅肖特基功率二极管
|
4寸
|
SOD123
|
单芯
|
650
|
0.65
|
1
|
1.84
|
18
|
32.74
|
3.6(VR=400V)
|
3.8
|
1.2
|
1.38
|
1.6
|
1.57
|
2
|
0.07
|
50
|
0.2
|
100
|
选型表 - 泰科天润 立即选型
G3C06560B混合SiC分立器件
描述- 本资料介绍了G3C06560B混合碳化硅离散器件的特性。该器件采用Si IGBT与SiC二极管结合技术,具有优异的导通和开关损耗、良好的稳定性和均匀性,适用于感应转换器和不间断电源等领域。
型号- G3C06560B
【产品】DFN8*8紧凑表贴封装的650V SiC二极管,高度仅1mm,帮助实现更紧凑、高能效设计
为了帮助工程师设计密度更高,效率更高的功率转换级,泰科天润(GPT)推出了DFN8*8的紧凑型表面贴装型号,涵盖650V 4A/6A/8A/10A/15A的产品可供选择。产品包括G5S06504QT,G5S06506QT,G5S06508QT,G5S06510QT,G4S06515QT。
【视频】2023年1月12日碳化硅&氮化镓新技术研讨会
EPC、英诺赛科、西南集成等顶尖厂商带来SiC MOS、GaN FET、车规级SiC二极管等全新产品和技术。
中电国基南方SiC肖特基二极管应用手册
描述- 本资料主要讲解了以下内容:(1)SiC半导体的材料特性、优点;(2)SiC肖特基二极管特性;(3)SiC SBD产品系列介绍、可靠性测试报告;(4)SiC的应用和优势示例应用优势。
型号- WS3A003065E,WS3A003065B,WS3A003065A,WS3A015065F,WS3A015065J,WS3A010170D,WS3A010170B,WS3A003065J,WS3A008120E,WS3A008120A,WS3A008120B,WS3A030120K,WS3A008120J,WSXAXXXXXX0,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A003120B,WS3A005120E,WS1A030330B,WS3A003120E,WS3A020120J,WS1A025170B,WS3A020120D,WS3A020120B,WS3A020120A,WS3A010065J,WS2A015120B,WS2A015120D,WS2A015120A,WS3A016120K,WS1A025170D,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A005120B,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A012065J,WS3A003120J,WS3A012065K,WS3A008065A,WS3A008065B,WS2A030120K,WS3A008065J,WS3A004065A,WS3A004065B,WS3A012065F,WS3A005170D,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A012065B,NSD10220B,WS3A005170B,WS3A012065A,WS3A020065J,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A020065B,WS3A006065E,WS3A020065A,WS3A006065F,WS3A002065B,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WS3A015120B,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A015120D,WS3A002065F,WS3A002065E,WS3A010065D,WS2A040120B,WS3A010065E,WS3A010065B,WS3A002065J,WS3A015170B,WS2A040120D,WS3A006065A,WS3A006065B,WS3A015170D,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS3A010065A,WS3A020065K,WS3A012120K,WS3A004065J,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WS1A050065D,WS1A050065B,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120B,WS3A015065B,WS3A002120E,WS3A015065A,WS3A006120J,WS3A015065D,WS3A010120D,WS3A010120E,WS3A015120E,WS3A002120J,WS3A010120B,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WS3A006120B,WS3A040120K,WS3A010120A,WS3A030065A,WS3A030065B,WS3A030065J,WS3A030065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K
泰科天润即将亮相23慕尼黑华南电子展,展示SiC MOSFET、混合单管、碳化硅二极管等系列产品
慕尼黑华南电子展将于2023年10月30-11月1日在深圳国际会展中心(宝安新馆)盛大举行。作为国内知名的碳化硅器件制造与应用解决方案提供商,泰科天润(展位号:1号馆·1F33)即将亮相慕尼黑华南电子展。
G3S12003C 1200V/3A 碳化硅肖特基功率二极管 数据手册
描述- 本资料介绍了泰科天润半导体科技(北京)有限公司生产的G3S12003C碳化硅肖特基功率二极管的产品特性、参数和应用领域。该产品具有正温度系数、零反向恢复电流和零正向恢复电压等特点,适用于开关模式电源、电机驱动等领域。
型号- G3S12003C
中电国基南方SiC应用方案(DC-DC/LED电源/OBC/UPS/充电/服务器电源/光伏逆变器/通信电源)
描述- 本文主要介绍了SiC(碳化硅)功率器件在各类电源应用中的优势。SiC器件因其低开关损耗、高效率、高功率密度等特点,在DC-DC电源、LED驱动电源、OBC(车载充电器)、UPS(不间断电源)、充电桩、服务器电源和光伏逆变器等应用中得到了广泛应用。文章对比了SiC器件与传统硅器件的性能差异,并提供了相关产品选型推荐。
型号- WS3A010120D,WS3A008065X,WS3A008120X,WS3A020065X,WS3A010170D,WS3A012065X,WS3A040120K,WS3A030065X,WS1A025170D,WS3A004065X,WS3A006065X,WS3A020120K,WS3A015065X,WS3A015120X,WS3A010065X,WS3A010120X,WS3A020120D,WS3A030120K,WS3A002120E,WS3A015120D
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