【产品】静态漏源导通电阻典型值为3.6mΩ的N沟道功率MOSFET AP040N03G，具有快速开关特性

时间： 2022-11-22 来源：铨力半导体

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AP040N03G是铨力半导体推出的采用先进的电源创新设计和硅工艺技术的N沟道功率MOSFET，实现了尽可能低的导通电阻和快速的开关性能，为设计者提供了一个在广泛的电源应用中使用的极端高效的器件。

由于连接电阻低，PDFN5*6封装被广泛用于所有商业-工业表面贴装应用。通孔型( AP040N03G )可用于薄型应用。其漏源击穿电压为30V，静态漏源导通电阻典型值3.6mΩ（@V_GS=10V,I_D=30A），漏极电流可达80A（@V_GS=10V,T_C=25℃）。

特色
低导通电阻
驱动简单
快速开关特性
符合RoHS标准且无卤素

绝对最大额定值（T_j=25℃，除非另有说明）

热参数

电气特性（T_j=25℃，除非另有说明）

源漏二极管

Notes：

1：脉冲宽度受最高结温度限制

2：脉冲测试

3：表面安装在FR4板的1平方英寸铜垫上。

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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V

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