【产品】静态漏源导通电阻典型值为3.6mΩ的N沟道功率MOSFET AP040N03G，具有快速开关特性
AP040N03G是铨力半导体推出的采用先进的电源创新设计和硅工艺技术的N沟道功率MOSFET，实现了尽可能低的导通电阻和快速的开关性能，为设计者提供了一个在广泛的电源应用中使用的极端高效的器件。
由于连接电阻低，PDFN5*6封装被广泛用于所有商业-工业表面贴装应用。通孔型( AP040N03G )可用于薄型应用。其漏源击穿电压为30V，静态漏源导通电阻典型值3.6mΩ（@VGS=10V,ID=30A），漏极电流可达80A（@VGS=10V,TC=25℃）。
特色
低导通电阻
驱动简单
快速开关特性
符合RoHS标准且无卤素
绝对最大额定值（Tj=25℃，除非另有说明）
热参数
电气特性（Tj=25℃，除非另有说明）
源漏二极管
Notes：
1：脉冲宽度受最高结温度限制
2：脉冲测试
3：表面安装在FR4板的1平方英寸铜垫上。
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产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
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VDS (V)
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VGS (V)
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Vth (V)
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
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|
AP2302B
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Trench Mos
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SOT23
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Single
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N
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20
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±8
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0.5-1.2
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-
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45/52
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52/67
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-
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2
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-
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