从入门到精通：江西萨瑞微S8050H三极管，您的电路设计好帮手
亲爱的电子爱好者和工程师朋友们，本文来深入了解江西萨瑞微电子的爆款产品——S8050H三极管。
什么是S8050H？
S8050H是一款NPN型硅双极型晶体管（BJT），属于小信号晶体管类别。它是江西萨瑞微电子精心打造的高性能三极管，广泛应用于各类电子电路中。
结构特点
S8050H是一款NPN外延硅晶体管，具有低电压和高电流能力，是推挽放大和通用开关应用的亮点。S8050H三极管包含三层，其中一个P掺杂半导体层封装在另外两个N掺杂层之间。P掺杂层代表基极端，而其他两层分别代表发射极和集电极。
S8050H三极管具有两个PN结：正向偏置的发射极-基极结和反向偏置的集电极-基极结。需要注意的是，S8050H三极管必须在正向偏置模式下运行才能获得更好的性能。如果晶体管没有正向偏置，则无论在基极端子上施加多少电压，都不会有集电极电流。当在基极端施加电压时，放大是一种简单的方式，晶体管吸收小电流，然后用于控制其他端子的大电流。
S8050H三极管参数
S8050H三极管主要包含三个端子，即发射极、基极和集电极，用于与电子电路的外部连接，三个端子在掺杂浓度方面是不同的。
其中发射极是高度掺杂的，基极是轻掺杂的，而集电极是中掺杂的。前者控制电子数量，后者从基极收集电子数量。一个端子的小电流用于控制其它端子的大电流。
S8050H的CAD模型
S8050H三极管的封装尺寸图
S8050H三极管特点
低电压、大电流NPN晶体管
小信号晶体管
最大功率：0.3W
最大直流电流增益（hFE）为400
连续集电极电流（IC）为800mA
基极-发射极电压（VBE）为5V
集电极-发射极电压（VCE）为20V
集电极-基极电压（VCB）为30V
高用于推挽配置B类放大器
SOT-23封装
S8050H工作原理讲解
在S8050H NPN晶体管中，当基极接地时，发射极和集电极等两个端子都将反向偏置，当向基极引脚提供信号时，它们将关闭（正向偏置）。S8050H三极管的最大增益值为300，此值将决定放大能力，如果放大率很高，则将其用于放大。
但是，集电极电流的增益值将是110，并且整个集电极端子的最大电流供应是800mA，因此我们无法通过该晶体管通过800mA以上的电流来控制不同的负载。一旦向必须限制在5mA的基极引脚提供电流供应，晶体管就可以被偏置。
一旦该晶体管完全偏置，则它允许高达800mA的电流通过发射极和集电极端子提供，因此该阶段称为饱和区。VCE或VCB上使用的典型电压相应为20V和30V。
一旦在晶体管的基极端移除电流源，它将被关闭，因此这个阶段称为截止区域。
在S8050H NPN晶体管中，电子是主要的电荷载流子，与空穴是主要电荷载流子的PNP晶体管不同。基极相对于发射极更正，集电极上的电压也必须比基极更正。
两个电流增益因素：共发射极电流增益和共基极电流增益对决定晶体管的特性起着至关重要的作用。共发射极电流增益是集电极电流和基极电流之间的比率，这称为贝塔，用β表示，通常在20到1000之间，但标准值取为200。
同样，共基极电流增益是集电极电流和发射极电流之间的比率，它被称为阿尔法，用α表示，其值主要在0.95到0.99之间，但大多数时候它的值被取为1。
S8050H可以用什么型号替换？
1、S8050H 代品
MMBT4401、MMBT2222A、SS8050、MMBT5551、M8050
2、S8050H对管型号
S8550H、SS8550
注意：替换时请仔细比对参数，确保符合电路要求。
S8050H三极管如何工作的？
1、S8050H三极管构成推挽放大器（B类放大器）
推挽放大器是一种多级放大器，常用于扬声器内的音频放大，该电路的设计非常简单，需要两个相等的互补晶体管才能工作。
互补意味着我们需要一个NPN晶体管及其等效的PNP晶体管。像这里的NPN晶体管将是S8050H ，其等效的PNP晶体管将是S8550H。使用S8050H的B类放大器的简单电路图如下所示。
2、S8050H三极管作为开关
当S8050H三极管用作开关时，它工作在饱和区和截止区。当我们向晶体管的基极提供电流时，它为集电极电流从基极流向发射极开辟了一条路径。在正向偏置期间，晶体管将充当打开开关，在反向偏置期间，它将充当闭合开关。
3、S8050H三极管作为放大器
当处于活动区域时，S8050H三极管作为放大器工作。S8050H三极管具有放大功率、电压和电流的能力。
最流行和最常用的配置是共发射极类型， 输入总是施加在放大晶体管电路的正向偏置结上，类似地，可以通过晶体管的反向偏置结收集输出。
江西萨瑞微的S8050H三极管，以其卓越性能和多样化应用，成为电子工程师的得力助手。无论您是在设计放大器、开关电路还是LED驱动，S8050H都将是您的理想之选。
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