【产品】瞻芯电子1200V 25mΩ Full-SiC半桥功率模块宣布量产,通过JEDEC测试,开关损耗小
上海瞻芯电子科技有限公司(以下简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司, 2017年成立于上海自贸区临港新片区。瞻芯电子以虚拟IDM模式与国内一线半导体行业的合作伙伴完成晶圆制造、芯片封装、模块封装、性能测试和可靠性测试等工作环节,为中国新能源产业提供整套碳化硅功率器件及驱动芯片解决方案,同时打造我国独立自主的碳化硅电力电子产业链关键环节。
瞻芯电子于2021年9月正式宣布量产1200V 25mΩ Full-SiC半桥功率模块(IV1B),在现有SiC MOSFET产品和SiC SBD产品基础上,进一步完善了瞻芯电子SiC产品线,在工业电源、光伏应用等领域,为中等电流SiC应用提供了一种简单灵活的解决方案。
该模块采用全SiC MOSFET芯片实现半桥拓扑,充分发挥了SiC器件开关频率高、开关损耗小的特点,同时采用了业内通用的功率模块封装结构,杂散电感低,尺寸与国际主流厂家产品兼容,通过陶瓷直接敷铜基板进行电气隔离和散热,并通过模块内嵌的NTC进行温度的监控,方便了客户安装使用。
模块内部使用的是瞻芯电子已经量产的SiC MOSFET芯片,该芯片在分立器件中已经通过了JEDEC测试,同时瞻芯电子按照IEC60749-34和AQG324规定的方法和条件,通过了针对模块模块产品进行的秒级和分钟级功率循环测试。
主营产品介绍
SiC分立功率器件、SiC模块,SiC MOSFET专用驱动IC,隔离/非隔离通用驱动IC和图腾柱CCM PFC模拟控制IC。
适用于:风能逆变、光伏逆变、工业电源、新能源汽车、电机驱动、充电桩等领域。
产品目录
1、SiC MOSFET Products
2、SiC SBD Products
3、Driver Products
4、CCM Totem-pole PFC Controllers Products
5、SiC Module Products
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型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
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瞻芯电子SiC MOSFET选型表
瞻芯电子提供以下参数选型:汽车级&工业级,VDS(V):650V~1700V,RDS(ON) :15mΩ~10000mΩ。
产品型号
|
品类
|
Qualification
|
VDS(V)
|
RDS(ON) (mΩ)
|
ID(TC=25°C)(A)
|
VTH( TJ =25°C)(V)
|
VTH( TJ =175°C)(V)
|
Qg(nC)
|
Operating Junction Temperature(°C)
|
Package
|
IV2Q06025T4Z
|
SiC MOSFET
|
汽车级
|
650V
|
25mΩ
|
99A
|
2.8V
|
2.0V
|
125.0nC
|
-55°C to 175°C
|
TO247-4
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
瞻芯电子参与编制SiC MOSFET可靠性和动态开关测试标准,助推行业技术共识
为了让测试足够精准和稳定,需要定量的技术规范和测试方法。瞻芯电子结合长期的测试开发经验,参与编制了《SiC MOSFETs动态开关损耗测试方法》标准,以助推行业形成广泛的技术共识,实现有效的溯源和评比。
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近日,瞻芯电子推出了一系列采用SOT-227封装的碳化硅(SiC) MOSFET、碳化硅(SiC)二极管以及混合封装产品。采用SOT-227封装的产品具有模块体积小、热阻低、通流能力强的特点,同时,SOT-227为内绝缘封装,安装简便,也更安全。
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PMR系列 150W及600W新机型工业电源
描述- 台达推出PMR系列平板型工业电源供应器,包括150W和600W两种型号。这些电源供应器具有主动式PFC设计,适用于空间有限的环境,如工厂自动化、家用电器、贩卖机及测量设备等。产品符合国际电器安规IEC/EN/UL 62368-1和家用电器安全标准IEC/EN 60335-1及IEC/EN 61558-1/-2-16,并具备宽温操作和多种安全保护功能。
型号- PMR,PMR-48V150W1AT,PMR-48V600W1BT,PMR-24V150W1AT,PMR-36V150W1AT,PMR-36V600W1BT,PMR系列,PMR-12V600W1BT,PMR-24V600W1BT,PMR-12V150W1AT
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电子商城
服务
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可定制无线位移传感器量程范围10~600mm,采用了无线传输方式,可远程自动实时检(监)测位移量值,准确度级别(级):0.2、0.5;内置模块:无线传输模块、供电模块;传输距离L(m):可视距离1000 (Zigbee、 LORA)。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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