扬贺扬新一代16nm NAND Flash存储芯片斩获2024年“中国芯”“芯火”新锐产品称号
11月7日晚，2024中国微电子产业促进大会暨第十九届“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在广东珠海隆重举行。
经无锡国家“芯火”双创基地（平台）推荐，江苏扬贺扬微电子科技有限公司（以下简称“扬贺扬”）自主研发设计的新一代16nm NAND Flash存储芯片斩获2024年“中国芯”“芯火”新锐产品称号！
国家集成电路设计（无锡）产业化基地、无锡国家“芯火”双创基地（平台）致力于打造集成电路设计企业全生命周期的国家级公共服务平台，支持集成电路创新成果转化应用，自2019年以来，连续6年推荐无锡市优秀的集成电路企业“中国芯”优秀产品征集活动，累计24家（次）无锡集成电路设计企业获得“中国芯”优秀产品称号，充分展现出无锡集成电路产业发展勃勃生机。无锡芯火将持续整合各方资源，发挥辐射带动作用，促进无锡市集成电路设计产业提质升级，厚植无锡集成电路设计企业发展沃土，激活发展“芯”力量。
扬贺扬新一代16nm NAND Flash存储芯片产品性能可靠性达到车规级水平，具备高达10万次的擦写周期，在-40℃至125℃的工况温度下性能稳定，使用寿命长达20年，与3D NOR Flash芯片相比，芯片体积较小，生产工艺难度较低，更具成本优势。芯片创新性地采用集中控制技术，首次在同一块芯片上集中控制NAND Flash和NOR Flash。同时，扬贺扬自研的增强型ECC功能模块技术，基于先进的纠错算法，ECC纠错能力提升至96位，在更短的时间能够内纠正更多的错误，从而提高数据传输的可靠性。并且支持更大的纠错容量，在更大的数据块中检测和纠正错误，从而更好地保护数据存储的完整性。
“中国芯”优秀产品征集活动是国内集成电路领域最具影响力和权威性的行业活动之一，旨在聚焦国内半导体企业及其产品，通过推广优秀芯片产品、优化企业服务、加强产业链上下游的协同合作、强化芯机联动、完善产业生态建设等举措。
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